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2. 发明专利

JP2015166293A III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置审中-公开
标题翻译：制造III类硝酸盐晶体的方法，III类氮化物晶体，半导体器件和制造III类氮化物晶体的装置
公开(公告)号：JP2015166293A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2014041080
申请日：2014-03-03
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社 , 古河機械金属株式会社 , 株式会社サイオクス
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 伊勢村雅士 , 碓井彰 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C30B19/02 , C23C16/08 , C23C16/34 , H01L21/208 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625
摘要：【課題】気相成長法により大サイズで、かつ、歪み、転位、反り等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶の製造方法の提供。【解決手段】液相成長法により第1のIII族窒化物結晶1003を製造する第1のIII族窒化物結晶製造工程と、第1の結晶1003上に、気相成長法により第2のIII族窒化物結晶1004を製造する第2のIII族窒化物結晶製造工程とを含む、III族窒化物結晶の製造方法であって、前記第1のIII族窒化物結晶製造工程は、予め準備されたIII族窒化物の複数の種結晶1003aの表面をアルカリ金属融液に接触させ、窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させ、複数の種結晶1003aから成長した複数のIII族窒化物結晶の成長により、前記複数のIII族窒化物結晶を結合させて第1の結晶1003とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有大尺寸的III族氮化物晶体的方法，较少的应变，位错和翘曲的缺陷以及通过气相生长方法的高质量。方法：一种制造III族的方法氮化物晶体包括：通过液相生长法制造第一III族氮化物晶体1003的第一III族氮化物晶体制造步骤; 以及通过气相生长法在第一晶体1003上制造第二III族氮化物晶体1004的第二III族氮化物晶体制造步骤。第一III族氮化物晶体制造步骤包括：将预先制备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔体接触; 在包含氮气的气氛下，使碱金属熔体中的III族元素与氮反应; 以及通过从所述多个晶种1003a中生长所述多个III族氮化物晶体来接合多个III族氮化物晶体以形成所述第一晶体1003。

3. 发明专利

JP6614529B2 III族元素窒化物結晶の製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、およびIII族元素窒化物結晶製造装置有权
公开(公告)号：JP6614529B2
公开(公告)日：2019-12-04
申请号：JP2015541623
申请日：2014-10-08
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社
发明人：森勇介 , 今出完 , 吉村政志 , 伊勢村雅士
IPC分类号： C30B29/38

4. 发明专利

JP2018058718A III族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018058718A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016196509
申请日：2016-10-04
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 北本啓 , 伊勢村雅士
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/165 , C30B25/18 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：【課題】気相成長法により、クラック、転位等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を製造することのできるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】前記目的を達成するために、本発明のIII族窒化物結晶の製造方法は、III族元素含有ガス111aと、窒素含有ガス203aおよび203bとを反応させて、III族窒化物結晶204を生成させるIII族窒化物結晶生成工程を含み、前記III族窒化物結晶生成工程において、炭素含有物質の存在下で反応を行うことを特徴とする。【選択図】図2

5. 发明专利

JP6019542B2 III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶製造装置有权
标题翻译： III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体制造装置
公开(公告)号：JP6019542B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2015556313
申请日：2015-03-03
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社 , パナソニック株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 伊勢村雅士 , 岡山芳央
IPC分类号： C30B25/20 , C30B19/12 , H01L21/208 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B19/02 , C30B25/20 , C30B29/38 , C30B33/00 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02625

7. 发明专利

JP6906205B2 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6906205B2
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：JP2017149346
申请日：2017-08-01
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知 , 北村寿朗 , 森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/20 , C30B25/16 , C23C16/34 , C23C16/02 , H01L21/302 , H01L21/208 , H01L21/205

8. 发明专利

JP6731590B2 窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6731590B2
公开(公告)日：2020-07-29
申请号：JP2016092450
申请日：2016-05-02
申请人：国立大学法人大阪大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C30B29/38

9. 发明专利

JP2017122013A 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板审中-公开
公开(公告)号：JP2017122013A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016000354
申请日：2016-01-05
申请人：国立大学法人大阪大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , C23C16/01 , C23C16/08 , H01L21/205 , H01L21/208 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/186 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02002 , H01L21/02389 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625
摘要：【課題】結晶成長用基板を大径化させ、これを用いて良質な窒化物結晶基板を製造する。【解決手段】窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を、それらの主面が互いに平行となり、それらの側面が互いに当接するように平面状に配置する工程と、平面状に配置させた複数の種結晶基板の表面上に、気相成長法を用いて第1結晶膜を成長させ、隣接する種結晶基板が第1結晶膜によって互いに接合されてなる接合基板を作製する工程と、接合基板の主面上に、液相成長法を用いて第2結晶膜を成長させ、種結晶基板の接合部に存在する溝内に第2結晶膜を埋め込んで、平滑化された主面を有する結晶成長用基板を作製する工程と、結晶成長用基板の平滑化された主面上に、気相成長法を用いて第3結晶膜を成長させる工程と、を有する。【選択図】図6

10. 发明专利

JP2016160151A III族窒化物半導体結晶基板の製造方法审中-公开
标题翻译： III类氮化物半导体晶体基板的制造方法
公开(公告)号：JP2016160151A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015041830
申请日：2015-03-03
申请人：国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/208
摘要：【課題】Naフラックス法などの液相成長法で成長したIII族窒化物種結晶基板上に、HVPE法などの気相成長法でIII族窒化物(例えば、GaN)結晶を厚く成長させた場合においても、成長した結晶中に新たに転位が発生することや、基板の反りや結晶中のクラックが発生することを抑制できるIII族窒化物半導体結晶基板の製造方法の提供。【解決手段】液相成長法により、少なくとも主面の結晶領域がその結晶成長時に2次元成長モードの平坦な成長界面形状を保った状態で成長された結晶領域により構成され、主面が+C面であり、面内全域に亘って、その主面近傍における結晶中の酸素原子濃度が1×10 17 cm −3 以下であるIII族窒化物単結晶を種結晶基板として、その主面上に気相成長法でホモエピタキシャル成長させた、結晶中の酸素原子濃度が1×10 17 cm −3 以下であるIII族窒化物半導体結晶基板の製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供抑制生长晶体中新的位错产生的发生的III族氮化物半导体晶体基板的制造方法以及基板的翘曲的产生和晶体的裂纹，即使在III族氮化物，GaN）晶体通过诸如HVPE法的气相生长法在通过诸如Na通量法的液相生长方法生长的III族氮化物晶种衬底上生长。解决方案：组成III族氮化物单晶通过液相生长方法生长的结晶区域，而至少在主平面的结晶区域生长时，保持二维生长模式的平坦生长界面形状，并且以+ C面为主面，在整个平面中的主平面附近的晶体中的氧原子浓度为1×10cm以下。通过使作为晶种的III族氮化物单晶通过气相生长法在主平面上进行同质外延生长，制造了晶体中氧原子浓度为1×10cm以下的III族氮化物半导体晶体基板。选择图：没有

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