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1. 发明专利

JP2017036179A 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置审中-公开
标题翻译：过程用于制造第13族氮化物单晶，和13族氮化物单晶的制造装置
公开(公告)号：JP2017036179A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015158489
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社リコー , 古河機械金属株式会社
发明人：佐藤隆 , 三好直哉 , 和田純一 , 林昌弘 , 皿山正二 , 砂川晴夫 , 石原裕次郎 , 碓井彰
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】クラックを低減する。【解決手段】13族窒化物単結晶40の製造方法は、溶解工程と、結晶成長工程と、を含む。溶解工程は、混合融液24と、種結晶30と、囲み部材90と、を内側に保持した反応容器52における混合融液24中に、窒素を溶解させる工程である。混合融液24は、アルカリ金属と13族金属を含む。種結晶30は、混合融液24中に設置され13族窒化物結晶からなり主面をc面とする種結晶である。囲み部材90は、種結晶30における側面の全領域を囲むように配置されている。結晶成長工程は、種結晶30に13族窒化物結晶32を結晶成長させる。【選択図】図2
摘要翻译：本发明的一个目的是减少裂纹。一种用于制造第13族氮化物单晶40工艺包括熔化步骤，晶体和生长步骤。溶解工序，混合熔体24，籽晶30时，包封部件90，在氮气中溶解的步骤内保持的反应容器52中的熔融混合物24。熔融混合物24包括碱金属和第13族金属。籽晶30，主表面由安装13族氮化物晶体到熔融混合物24是晶种的c面。包封件90设置，以便围绕晶种30的侧表面的整个区域。晶体生长过程中，籽晶30 13族氮化物晶体32生长。 .The

2. 发明专利

JP2017036178A 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置审中-公开
标题翻译：过程用于制造第13族氮化物单晶，和13族氮化物单晶的制造装置
公开(公告)号：JP2017036178A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015158488
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社リコー , 古河機械金属株式会社
发明人：林昌弘 , 皿山正二 , 佐藤隆 , 和田純一 , 三好直哉 , 碓井彰 , 錦織豊
IPC分类号： C30B19/12 , H01L21/208 , C30B29/38
CPC分类号： C30B19/12 , C30B29/38 , H01L21/208
摘要：【課題】転位密度の低減と、クラックの低減と、の双方を実現するフラックス法による13族窒化物単結晶の製造方法の提供。【解決手段】13族窒化物結晶からなり結晶成長面の表面粗さRaが0.1μm以上5μm以下の種結晶30と、アルカリ金属と13族金属を含む原料と、を反応容器52内に配置する配置工程と、前記原料が溶融して混合融液24となった状態で、混合融液24に窒素を溶解させ、結晶成長温度の混合融液24中に配置された種結晶30に13族窒化物結晶32を成長させる結晶成長工程と、前記配置工程と前記結晶成長工程との工程間に150℃/時間以下の昇温速度で前記原料を前記結晶成長温度に昇温する昇温工程、および、前記結晶成長工程の後に150℃/時間以下の降温速度で前記混合融液24を降温する降温工程、の少なくとも一方の温度調整工程と、を含む、13族窒化物単結晶の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：为了提供位错密度的降低，减少开裂，通过助熔剂法IIIA族氮化物单晶的制造方法来实现这两者。和A 13族氮化物晶体生长表面的表面粗糙度Ra为5μm或更小的籽晶30或0.1μm的在组成晶体，放置原料，以含有碱金属和第13族金属的反应容器52 和配置工序中，在一个状态，其中混合物24熔融的原料已成熔融，氮溶解在熔融混合物24，在13族氮化物籽晶30设置熔融混合物24在晶体生长温度事情晶体32，并且增长在步骤和晶体生长步骤以及在晶体生长温度下的配置工序之间0.99℃下/时间少加热速率升高所述起始材料的温度的工序的加热晶体生长步骤，和，冷却工序中，至少包括一个温度控制过程中的一个，用于制造在以下的冷却速度0.99℃下/晶体生长过程后熔融混合物24冷却时间13族氮化物单晶的方法。点域1

3. 发明专利

JP6548509B2 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置有权
公开(公告)号：JP6548509B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2015158488
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社サイオクス , 古河機械金属株式会社
发明人：林昌弘 , 皿山正二 , 佐藤隆 , 和田純一 , 三好直哉 , 碓井彰 , 錦織豊
IPC分类号： C30B19/12 , H01L21/208 , C30B29/38

4. 发明专利

JP6621615B2 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置有权
公开(公告)号：JP6621615B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2015158489
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社サイオクス , 古河機械金属株式会社
发明人：佐藤隆 , 三好直哉 , 和田純一 , 林昌弘 , 皿山正二 , 砂川晴夫 , 石原裕次郎 , 碓井彰
IPC分类号： C30B29/38

5. 发明专利

JP6135080B2 13族窒化物結晶、13族窒化物結晶基板、及び13族窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6135080B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2012203754
申请日：2012-09-17
申请人：株式会社リコー
发明人：林昌弘 , 佐藤隆 , 木村千春 , 三好直哉 , 村上明繁 , 三宅信輔 , 和田純一 , 皿山正二
IPC分类号： C30B19/12 , C30B29/38
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B29/403 , C30B9/12

6. 发明专利

JP5842490B2 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板有权
标题翻译： 13族氮化物晶体，并且13族氮化物晶体衬底
公开(公告)号：JP5842490B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2011201216
申请日：2011-09-14
申请人：株式会社リコー
发明人：林昌弘 , 皿山正二 , 佐藤隆 , 南部洋志 , 木村千春 , 三好直哉
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B7/105 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/607 , C30B9/00

7. 发明专利

JP2015193519A 13族窒化物結晶の製造方法及び13族窒化物結晶审中-公开
标题翻译：第十三组氮化物晶体和第十三组氮化物晶体的生产方法
公开(公告)号：JP2015193519A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014221791
申请日：2014-10-30
申请人：株式会社リコー
发明人：林昌弘 , 佐藤隆 , 三好直哉 , 和田純一 , 皿山正二
IPC分类号： C30B19/06 , H01L21/208 , C30B29/38
CPC分类号： C30B19/066 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/12 , C30B29/406 , C30B29/68 , C30B9/10 , C30B9/12
摘要：【課題】高品質な13族窒化物結晶を低コストで製造する。【解決手段】アルカリ金属と13族元素を含む混合融液5中に13族窒化物結晶からなる種結晶6を設置し、混合融液5中に窒素を供給することにより、種結晶6の主面上に13族窒化物結晶を成長させる13族窒化物結晶の製造方法であって、種結晶6は気相成長法により製造され、混合融液5を収容する反応容器13内の混合融液5と接触する接触部材13,21,22の少なくとも一部がAl 2 O 3 からなり、種結晶6と成長した13族窒化物結晶との間に、成長した13族窒化物結晶のフォトルミネッセンス発光ピークよりも長波長側にフォトルミネッセンス発光ピークを有する界面層が形成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：以低成本制造高品质的组III-III族氮化物晶体。解决方案：在第ⅩⅢ族氮化物晶体的制造方法中，将由氮-ZIII族晶体构成的晶种6配置在含有碱金属和第ⅩⅢ族元素的混合熔体5，并将氮气供入到混合熔体5中，以在晶种6的主面上生长第ⅩⅢ族氮化物晶体。晶种6由气相生长法。接触构件13,21,22的至少一部分由AlO制成，接触构件在反应容器13中与混合熔体5接触以容纳混合熔体5.具有较长波长的光致发光峰的边界层在种子晶体6和生长组-III族氮化物晶体之间形成生长组-III族氮化物晶体的光致发光峰。

8. 发明专利

JP6175817B2 13族窒化物結晶の製造方法、及び製造装置有权
公开(公告)号：JP6175817B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2013051056
申请日：2013-03-13
申请人：株式会社リコー
发明人：佐藤隆 , 皿山正二 , 林昌弘 , 三好直哉
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38
CPC分类号： C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1024

9. 发明专利

JP6098028B2 窒化ガリウム結晶、13族窒化物結晶、13族窒化物結晶基板および製造方法有权
公开(公告)号：JP6098028B2
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：JP2011201207
申请日：2011-09-14
申请人：株式会社リコー
发明人：林昌弘 , 皿山正二 , 佐藤隆 , 南部洋志 , 木村千春 , 三好直哉
IPC分类号： C30B19/12 , C30B29/38
CPC分类号： C30B9/12 , C30B29/406 , Y10T428/239 , Y10T428/26

10. 发明专利

JP2017036180A 13族窒化物結晶の製造方法および13族窒化物結晶の製造装置审中-公开
标题翻译： 13族氮化物晶体的制造方法及氮化物晶体的制造装置
公开(公告)号：JP2017036180A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015158492
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社リコー
发明人：佐藤隆 , 三好直哉 , 和田純一 , 林昌弘 , 皿山正二
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/208 , C30B9/06
摘要：【課題】クラック発生の低減を図り、結晶製造の歩留まり向上を図る。【解決手段】アルカリ金属と13族元素とを含む混合融液と、窒素とを反応させて種結晶からフラックス法により13族窒化物結晶を製造する13族窒化物結晶の製造方法において、前記混合融液を保持する反応容器として、窒化物を主材料とし、0.1wt%〜20.0wt%の酸化物材料を含有した反応容器を用いることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：甲工作，以减少开裂，实现改善的晶体生产的产率。含有碱金属和第13族元素，在氮的制造方法和混合熔体由13族氮化物反应籽晶助熔剂法以从混合物中产生的晶体13族氮化物晶体作为用于保持熔融，氮化物作为主要材料，该方法包括使用含有0.1重量的％〜20.0wt％的氧化物材料的反应容器的反应容器中。点域1

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