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1. 发明专利

JP2021184110A 光モニタ回路审中-公开
公开(公告)号：JP2021184110A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021134082
申请日：2021-08-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武田浩太郎 , 那須悠介 , 地蔵堂真
IPC分类号： H04B10/075 , H04J14/06 , G02F2/00
摘要：【課題】単一のPDによって偏波多重信号光のパワーをモニタすることにより、単純・低コストな制御回路で制御可能な光モニタ回路を実現する。【解決手段】偏波分離合流回路と偏波回転回路を備える偏波ダイバーシティ構成の光回路において、TE偏波成分の信号が通過する経路上にTE偏波成分用の光分岐回路と、TM偏波成分の信号が通過する経路上にTM偏波成分用の光分岐回路と、前記TE偏波成分用の光分岐回路で分岐されたモニタ光と、前記TM偏波成分用の光分岐回路で分岐されたモニタ光をそれぞれ導波する2つの導波路に接続された2光入力の単一のフォトディテクタから構成される光モニタ回路とした。【選択図】図9

2. 发明专利

JP6302375B2 光受信器有权
公开(公告)号：JP6302375B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2014164275
申请日：2014-08-12
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：亀井新 , 地蔵堂真 , 菊池清史
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/126 , G02B6/14 , G02B6/12

3. 发明专利

JP2017050650A 光信号処理装置有权
公开(公告)号：JP2017050650A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015171281
申请日：2015-08-31
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：鈴木賢哉 , 亀井新 , 地蔵堂真 , 渡辺俊夫 , 森脇摂 , 伊熊雄一郎
IPC分类号： G02B6/12 , G02F1/313 , H04B10/27
摘要：【課題】必要なトランスポンダー数の増加に関わらず、原理的な損失を増やすことのないトランスポンダーアグリゲータを備えた、量産性、信頼性に優れる光信号処理装置を提供すること。【解決手段】複数の光導波路の入出力を切り替える光信号処理装置であって、複数の入出力導波路と、上記複数の入出力導波路のそれぞれに接続された複数の波長選択フィルタと上記複数の波長選択フィルタに接続された複数の光スイッチと、上記複数の光スイッチと光信号がルーティングされる機器とに接続された複数の機器側導波路とを備え、上記光スイッチは、互いに異なる入出力導波路に接続された複数の波長選択フィルタに対して入出力する光信号を切り替え可能に設けられており、波長選択フィルタにおいて選択される波長の光信号が対応する光スイッチにおいても選択されることを特徴とする光信号処理装置である。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2016057341A 光スイッチ审中-公开
标题翻译：光开关
公开(公告)号：JP2016057341A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014181161
申请日：2014-09-05
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：亀井新 , 片寄里美 , 地蔵堂真
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/313
摘要：【課題】低消費電力化を図るとともに、作製工程が簡易化された光スイッチを提供する。【解決手段】複数の入出力導波路101と、複数の入出力導波路101を一端に接続したスターカプラ102と、スターカプラ102の他端に接続されたアレイ導波路103と、アレイ導波路103の各導波路の一部に形成されたヒータ105からなる位相シフタと、アレイ導波路103のスターカプラ102が接続されていない端部に設けられた反射回路107とを含む光スイッチにおいて、アレイ導波路103の各導波路のうち位相シフタが形成されている部分から反射回路107までの第1の導波路と、反射回路107とは、シリコン光導波路で形成されている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供实现低功耗并简化制造工艺的光开关。解决方案：光开关包括：多个输入/输出波导101; 将多个输入/输出波导101连接到一端的星形耦合器102; 连接到星形耦合器102的另一端的阵列波导103; 由形成在阵列波导103的每个波导的一部分的热量105构成的移相器; 以及光学开关，其包括设置在与阵列波导103的星形耦合器102不连接的端部的反射电路107.在阵列波导103的波导中形成有移相器的部分的第一波导反射电路107和反射电路107由硅光波导形成。图3：

5. 发明专利

JP2019060988A Siフォトニクス光回路及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019060988A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017184118
申请日：2017-09-25
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：那須悠介 , 小熊学 , 才田隆志 , 地蔵堂真
IPC分类号： G02B6/124 , G02B6/122
摘要：【課題】ウェハプロセス途中に観測できるモニタ回路により、スポットサイズ変換器の形状の調整が可能とし、低損失な光回路が安定に製造することを課題とする。【解決手段】本発明のSiフォトニクス光回路は、光回路とは独立にモニタ回路を備え、当該モニタ回路は、グレーティングカプラと、当該グレーティングカプラに接続されているテーパ導波路と、テーパ導波路の先に空気層を介した導波路構造とが形成されている構成である。【選択図】図3

6. 发明专利

JP6434991B2 光変調器审中-公开
公开(公告)号：JP6434991B2
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：JP2016563506
申请日：2015-12-08
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：都築健 , 亀井新 , 地蔵堂真
IPC分类号： G02F1/025
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/127

7. 发明专利

JPWO2017085934A1 シリコン光回路审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017085934A1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2017551537
申请日：2016-11-17
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：亀井新 , 地蔵堂真 , 武田浩太郎 , 福田浩
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/124 , G02B6/125
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/124 , G02B6/125 , G02B6/13
摘要：従来技術のシリコン光回路の目視による検出は、視認する人間の感覚的な判断に依存し、小さい傷の検出を完全に行うには限界があった。目視検査で見逃された傷のある不良チップは誤って合格と判定され、目視検査より下流にある工程に流出する。不良チップを光回路全体の早い工程の段階で不合格と判断をすることができず、下流の製造・検査工程での歩留りを低下させ、製品の製造検査コストが増大していた。本発明の光回路は、所望の機能を実現する光回路に加えて、光回路の全体を囲み、光回路の光導波路に十分に近接した傷の検出用光導波路と、検出用光導波路に接続されたグレーティングカプラを含む。グレーティングカプラを用いた検出用光導波路の透過特性測定に基づき、チップへ切りだす前のウエハ状態で、各々のチップ内の傷を効率よく発見できる。チップ毎に個別の検出用光導波路を設け、さらに複数のチップに渡る共通の1本の検出用光導波路を形成することで、階層的に傷を発見することもできる。

8. 发明专利

JP2018004692A 導波路型光カプラ审中-公开
公开(公告)号：JP2018004692A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016126738
申请日：2016-06-27
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：郷隆司 , 井藤幹隆 , 地蔵堂真
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/125
摘要：【課題】加工偏差に対して光結合率特性の変動が小さく、広い波長域に亘って所望の光結合率特性で動作する小さな回路規模の導波路型光カプラを提供する。【解決手段】光カプラ400は、位相差付与部における2本のアーム導波路404、405の一方のアーム導波路404の少なくとも一部の幅が他方のアーム導波路405の幅と異なる導波路部分406を含む。幅の異なる導波路部分は、2本のアーム導波路の導波路幅より広くても狭くても良い。幅の異なる導波路部分の幅、2本のアーム導波路の光路長差は、所定の手順で求められる。【選択図】図4

9. 发明专利

JP2017228698A 電極構造审中-公开
公开(公告)号：JP2017228698A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2016124792
申请日：2016-06-23
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：福田浩 , 亀井新 , 伊藤敏洋 , 都築健 , 地蔵堂真
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2924/10157
摘要：【課題】従来の製造工程を変えることなく金ワイヤとの接合に十分なアルミニウム層の厚さを確保することにより、接合強度の低下が抑制された金とアルミニウムとを主成分とする接合がなされる電極構造を提供すること。【解決手段】金とアルミニウムとを主成分とする接合がなされる電極構造であって、一部が露出したアルミニウム配線層を有する絶縁基板と、前記アルミニウム配線層の露出部分に積層されたアルミニウム電極と、前記アルミニウム電極と接合している金ワイヤとを備え、前記アルミニウム電極と金ワイヤとの接合により形成された金・アルミニウム合金が、前記アルミニウム電極と前記アルミニウム配線層との積層部分に隣接していることを特徴とする電極構造。【選択図】図3

10. 发明专利

JP2017045011A 光変調器のpn接合位置測定方法有权
标题翻译：光调制器的pn结的位置测量方法
公开(公告)号：JP2017045011A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015169794
申请日：2015-08-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：福田浩 , 亀井新 , 都築健 , 地蔵堂真 , 菊池清史
IPC分类号： H01L21/66 , G02F1/025
摘要：【課題】シリコン光変調器のpn接合位置を迅速かつ正確に測定するための構造及び方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明のpn接合部の位置を測定するためのテスト構造は、基板と、前記基板上に形成された下部クラッドと、下部クラッドに形成され、幅方向中央に凸部を有する導波路であって、一方の導波路縁側はp型半導体領域であり、他方の導波路縁側はn型半導体領域であり、凸部において、p型半導体領域とn型半導体領域とが接合されたpn接合部が形成され、p型半導体領域は、n型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度p型半導体領域が形成され、n型半導体領域は、p型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度n型半導体領域が形成された、導波路と、それぞれが前記高濃度p型半導体領域及び高濃度n型半導体領域に接続されたテスト電極と、下部クラッド及び導波路上に形成された上部クラッドとを備える。【選択図】図2
摘要翻译：甲旨在为快速，准确地测量所述硅光调制器的pn结的位置提供的结构和方法。用于测量本发明的pn结的位置测试结构涉及导电具有基板，形成在基板上的下覆，形成在下部包，在宽度方向中央的凸部波导，一个波导边缘是p型半导体区域，另一波导边缘是n型半导体区域，所述凸部和所述p型半导体区域和n型半导体区域被接合的pn 接合处形成，p型半导体区域，形成在部分在上表面的相反方向上与n型半导体区域，n型半导体区域，所述p型半导体区域的在相反的方向上的上表面上的高浓度p型半导体区域在所形成的，波导管的被测试电极的一部分，并且，每一个连接到所述高浓度p型半导体区域和高浓度的n型半导体区域，在所述下包层和波导高浓度的n型半导体区域只要形成的上包层。 .The

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