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1. 发明专利

JP6806733B2 光通信機有权
公开(公告)号：JP6806733B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2018097463
申请日：2018-05-21
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：伊藤敏洋 , 武田浩太郎
IPC分类号： H03F3/08 , H04B10/69 , H01L31/02

2. 发明专利

JP2017219587A 光送信機审中-公开
公开(公告)号：JP2017219587A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2016112078
申请日：2016-06-03
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：高橋雅之 , 武田浩太郎 , 本田健太郎
IPC分类号： G02F1/035 , G02F1/03
摘要：【課題】従来のMZ型光変調器でプリエンファシスを利用するためには、より耐圧の高い材料を用いたトランジスタを使った駆動回路が必要で、駆動回路のデバイス選択に制限が生じる。ディエンファシスを使用する場合には、電気変調信号の平均的な電圧振幅がディエンファシスを使用しない場合よりも小さくなる。その結果、光送信機で強度変調位相変調を用いる場合には消光比が小さくなり、位相変調位相変調を用いる場合には平均出力パワーが小さくなってしまう。光送信機から送信される光信号の品質が劣化してしまう。【解決手段】本発明の光送信機は、光変調器の進行波電極を複数のセグメントに分割し、セグメント間に少なくとも1つのエンファシス回路を備える。本発明では駆動回路における振幅の補償操作を行わず、進行波電極の途中で変調信号の広帯域化補償を行う。駆動回路におけるデバイスの耐圧条件を緩和し、電気変調信号および変調光の品質低下を抑える。エンファシス回路は、好ましくは同じ長さのセグメントのセグメント間に配置される。【選択図】図9

3. 发明专利

JP2017112425A 光送受信システム审中-公开
公开(公告)号：JP2017112425A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015243383
申请日：2015-12-14
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：菊池清史 , 才田隆志 , 武田浩太郎 , 本田健太郎 , 山中祥吾
IPC分类号： H04B10/40
摘要：【課題】光送受信システムの光伝送装置における送信側から受信側への電気信号のクロストークを補償する光送受信システムを提供する。【解決手段】送信側ストリップラインと受信側ストリップラインの近接により発生する電気信号のクロストークや、送信側デバイスにおける高レベル変調信号から受信側デバイスへの低レベル復調信号へのクロストークによる受信信号の特性劣化に対して、デジタル領域で送信側から受信側へのクロストークを補償する補償回路を備える。受信信号が存在しない時間を使って、補償回路のパラメータの構成を決定する。補償回路にデジタル信号処理プロセッサを用い、受信信号のエラーベクトル振幅およびBER(ビット誤り率)を改善する。ストリップラインの配置構成において、送信用光回路および受信用光回路の配置・構成条件を緩和できる。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017044729A 光変調器有权
标题翻译：调光器
公开(公告)号：JP2017044729A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015164671
申请日：2015-08-24
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武田浩太郎 , 野坂秀之 , 高橋雅之 , 本田健太郎 , 長谷宗彦
IPC分类号： G02F1/01
摘要：【課題】マッハツェンダ光変調器における上アームと下アームの位相変化特性が異なっていても、位相変化量を上下アームで合致させる。【解決手段】マッハツェンダ光変調器100は、マッハツェンダ干渉計110と、制御電圧Vc1,Vc2を屈折率変化部116a,116bに印加するドライバ120と、第1及び第2のモニタ・バイアス調整機構200,300を備えている。第1及び第2のモニタ・バイアス調整機構200,300は、上下アーム113a,113bを伝播して変調された光信号の強度の振幅を一致させるバイアス電圧を、屈折率変化部116a,116bに印加する。これにより上下アーム113a,113bの位相変化特性が異なっていても、位相変化量を上下アーム113a,113bで合致させる。【選択図】図1
摘要翻译：在上臂和下臂的A为相变化特性是在马赫 - 曾德尔光调制器不同，对相位变化量在上臂和下臂相匹配。的Mach-Zehnder光调制器100，一个Mach-Zehnder干涉110中，控制电压VC1，VC2的折射率变化部分116a，和驱动器120被施加到器116b，第一和第二显示器偏压调整机构200中，300 它提供。第一和第二显示器偏压调整机构200和300，上部和下部臂113A，偏置电压，以匹配的113B的强度传播调制的光信号的幅度，并适用折射率变化部分116a，一个器116b。因此，上臂和下臂113A，即使113b的不同的相变的特性，在113B匹配的相位变化量上下臂113A。点域1

5. 发明专利

JP6077476B2 光デバイスシミュレーション方法有权
标题翻译：光电器件模拟方法
公开(公告)号：JP6077476B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2014020092
申请日：2014-02-05
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武田浩太郎 , 山田浩治 , 福田浩
IPC分类号： H04B10/60 , G06F17/50

6. 发明专利

JP2016085389A 光デバイスシミュレーション方法审中-公开
标题翻译：光学装置仿真方法
公开(公告)号：JP2016085389A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014218898
申请日：2014-10-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武田浩太郎 , 野坂秀之 , 山田浩治 , 福田浩
IPC分类号： G02F1/01
摘要：【課題】光デバイスの特性を電子回路シミュレータを用いてシミュレーションする。【解決手段】光信号の搬送波周波数よりも低い疑似搬送波周波数となっている疑似光信号Lf TE ,Lf TM を、擬似搬送波周波数におけるTE−TE,TM−TM,TE−TM,TM−TE応答特性を有している光デバイスモデル13の各光デバイス応答モデル13−1〜13−4に入力する。光デバイス応答モデル13−1,13−4から出力される2つのTE偏波の光出力信号を合波してTE偏波の総合光出力信号R TE を求め、光デバイス応答モデル13−2,13−3から出力される2つのTM偏波の光出力信号を合波してTE偏波の総合光出力信号R TM を求める。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：模拟使用电子电路模拟器的光学器件的特性。解决方案：伪光信号Lf，Lfwhose伪载波频率低于光信号的载波频率被输入到光器件响应模型具有TE-TE，TM-TM，TE-TM，TM-TE在伪载波频率中的TM-TE响应特性的光学器件模型13的图13-1至13-4。从光学装置响应模型13-1,13-4输出的两个TE偏振光输出信号被组合以找到集成的光输出信号Rof TE偏振波，以及从光学装置输出的两个TE偏振光输出信号响应模型13-2,13-3被组合以找到集成的光输出信号Rof TE极化波。选择图：图3

7. 发明专利

JP2015111618A 実装方法有权
标题翻译：安装方法
公开(公告)号：JP2015111618A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2013253002
申请日：2013-12-06
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：碓氷光男 , 武田浩太郎 , 福田浩
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L2224/11
摘要：【課題】チップに形成されているデバイスに損傷を与えることなく、バンプを用いた実装ができるようにする。【解決手段】第1スタッドバンプ103の第1先端部104を圧潰して第1接合面106を形成し、第2スタッドバンプ113の第2先端部114を圧潰して第2接合面116を形成し、各々対応する第1スタッドバンプ103の第1接合面と第2スタッドバンプ113の第2接合面116とを当接させる。この状態で、加熱し、また両者に荷重を加え、第1スタッドバンプ103および第2スタッドバンプ113を互いに圧潰して接合することで、第1基板101を第2基板111に実装する。【選択図】図1H
摘要翻译：要解决的问题：使得能够使用凸块进行安装而不会对形成在芯片中的装置造成损害。解决方案：第一螺柱凸起103的第一末端部分104被压碎以形成第一接合表面106和第二接头表面106 第二凸起凸起113被压碎以形成第二接合表面116.第一凸起凸起103的第一接合表面106和彼此对应的第二凸起凸起113的第二接合表面116彼此接触。在该状态下，加热第一柱状凸块103和第二柱面凸块113，并将负载施加到第一凸柱凸块103和第二凸柱凸块113，以将第一凸柱凸块103和第二凸柱凸块113压接并接合到每个凸块其他。第一基板101通过上述工艺安装在第二基板111上。

8. 发明专利

JP6836547B2 光検出器有权
公开(公告)号：JP6836547B2
公开(公告)日：2021-03-03
申请号：JP2018097211
申请日：2018-05-21
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武田浩太郎 , 那須悠介
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/126 , H01L31/10

9. 发明专利

JP2020113719A 光検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2020113719A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2019005532
申请日：2019-01-16
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武田浩太郎
IPC分类号： H01L31/0232 , G01J1/02 , G01J1/42 , H01L31/10
摘要：【課題】シグナルノイズ比の劣化を抑制した光検出器を提供する。【解決手段】光吸収層にゲルマニウム、またはゲルマニウム化合物を用いたゲルマニウム光検出器200を用いた光検出器であって、ゲルマニウム光検出器200のカソードまたはアノードに直列に接続された抵抗202と、抵抗202とゲルマニウム光検出器200のカソードまたはアノードとの間の接続点に一端が接続され他端が接地204された容量203とを備え、抵抗202のもう一つの接続点はバイアス電源201に接続され、最大動作光入力パワーを受けた時に耐えうるように、ゲルマニウム光検出器200に掛かる電力が破壊閾値を下回るように抵抗の値が決定される。【選択図】図7

10. 发明专利

JP2020113700A 光検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2020113700A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2019005272
申请日：2019-01-16
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武田浩太郎
IPC分类号： H01L31/10
摘要：【課題】光感度の温度に対する依存性のないGePDを提供し、さらにそのGePDは複数個設置したとしてもヒータから与えられる熱は一定であり、各GePDの温度と感度は同一である光検出器を実現する。【解決手段】シリコン基板と、下部クラッド層と、シリコンコア層と、シリコン導波路層と、ゲルマニウム層と、上部クラッド層と、電極とを備えるゲルマニウム受光器を有する光検出器であって、2つ以上が隣接して前記シリコン基板上に配置され、前記2つ以上隣接されて配置されたゲルマニウム受光器の各ゲルマニウム層を覆うまたは囲うように、前記上部クラッド層に埋め込まれた、金属または金属化合物で形成された抵抗体を備える光検出器とした。【選択図】図11

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