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1. 发明专利

JP6588851B2 外部共振器型レーザ光源有权
公开(公告)号：JP6588851B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2016060427
申请日：2016-03-24
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：川村百合子 , 都築健 , 亀井新
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/14

2. 发明专利

JP6511141B2 光スイッチ有权
公开(公告)号：JP6511141B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2017531019
申请日：2016-07-27
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：菊池清史 , 福田浩 , 才田隆志 , 亀井新 , 都築健
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/02 , G02B6/12 , G02B6/42 , H01S5/022

3. 发明专利

JP6484128B2 光波長フィルタおよびその作製方法有权
公开(公告)号：JP6484128B2
公开(公告)日：2019-03-13
申请号：JP2015129320
申请日：2015-06-26
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：地蔵堂真 , 亀井新 , 菊池清史
IPC分类号： G02B6/12

4. 发明专利

JP2018142751A 光検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2018142751A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2018120129
申请日：2018-06-25
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：福田浩 , 亀井新 , 都築健 , 地蔵堂真 , 菊池清史
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/102 , H01L31/022408 , H01L31/0264 , H01L31/10
摘要：【課題】光電流を損なうことなく、暗電流を低減したゲルマニウム光検出器を提供する。【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板上に形成された下部クラッド層と、下部クラッド層上に形成されたコア層(210)と、コア層(210)の一部に形成されたp型不純物イオンがドーピングされたp型シリコンスラブ(211)、およびp型不純物が高濃度にドーピングされ、電極として作用するp++シリコン電極部(212、213)と、光を吸収するゲルマニウム層(241、242)を備える。さらに、上部クラッド層、ゲルマニウム層の上部のn型不純物がドーピングされたn型ゲルマニウム領域、および電極を備える。本発明は、p型シリコンスラブ(211)上に2つのゲルマニウム層(241、242)を備えることにより、個々のゲルマニウム層のp型シリコンスラブ(211)と接する面積を小型化することで、貫通転位に起因する暗電流を削減することが出来る。【選択図】図5

5. 发明专利

JP6263312B2 偏波多重光送信回路および偏波多重光送受信回路有权
公开(公告)号：JP6263312B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2017512198
申请日：2016-04-12
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：亀井新 , 地蔵堂真 , 福田浩 , 菊池清史 , 都築健
IPC分类号： H04B10/61 , H04B10/50 , H01S5/022 , H04B10/40 , H04J14/06
CPC分类号： H04J14/06 , H01S5/022 , H04B10/516 , H04B10/532 , H04B10/614 , H04J14/00 , H04J14/04

6. 发明专利

JP2017045012A 光変調器审中-公开
标题翻译：调光器
公开(公告)号：JP2017045012A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015169805
申请日：2015-08-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：福田浩 , 亀井新 , 都築健 , 地蔵堂真 , 菊池清史
IPC分类号： G02F1/025
摘要：【課題】電極の電極抵抗を低減させたシリコン光変調器を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の光変調器は、基板と、基板上に形成された下部クラッドと、下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はp型半導体領域であり、幅方向中心線から他方の導波路縁側はn型半導体領域であり、幅方向中心線は、pn接合部が形成され、p型半導体領域は、n型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度p型半導体領域が形成され、n型半導体領域は、p型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度n型半導体領域が形成された、導波路と、折り目がアーム導波路の光の導波方向と同じ方向になるように基板垂直方向に蛇腹状に折り曲げられ、それぞれが高濃度p型半導体領域及び高濃度n型半導体領域に接続された二枚の電極と、導波路上に形成された上部クラッドとを備える。【選択図】図2
摘要翻译： A具有一个目的是提供一种具有所述电极的减小电极电阻的硅光调制器。本发明的光学调制器包括：基板，形成在基板上的下部包层，在下部包被形成，其具有肋型的臂波导的波导，所述波导臂的宽度从方向中心线一个波导边缘是p型半导体区域，在宽度方向中心线上的其它波导边缘的n型半导体区域，所述宽度方向中心线，形成pn结，p型半导体区域，形成高浓度p型半导体区域部分地在所述上表面的相反方向上与n型半导体区域，n型半导体区域，所述上表面的相对方向和所述p型半导体区域的高浓度的n型部分半导体区域形成，波导和折叠被折叠等的方向垂直于基片的波纹管，从而，分别在高浓度p型半导体区域和高浓度具有相同的方向臂波导的光传播方向和两个电极连接到n型半导体区域中，波导的形成这是和上包覆。 .The

7. 发明专利

JP2016218280A Siフォトニクス光波回路及びその製造方法有权
标题翻译：硅光子光波线路及其制造方法
公开(公告)号：JP2016218280A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015103680
申请日：2015-05-21
申请人： NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社
发明人：佐藤照明 , 菅原一也 , 美野真司 , 石井元速 , 鈴木雄一 , 浅川修一郎 , 福田浩 , 亀井新 , 相馬俊一 , 都築健 , 碓氷光男 , 才田隆志
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/13
摘要：【課題】接触面が平坦な光ファイバブロックと接続可能なSiフォトニクス光波回路を提供する。【解決手段】上面に光波回路610が形成されるSi基板611において、Si基板上部とSi基板上面に形成された光波回路とを、エッチングにより除去する第1の工程601と、第1の工程のエッチングにより除去されないSi基板に、Si基板の上面及び下面から視認できるマーカを形成する第2の工程602と、第1の工程により除去されないSi基板を切断する位置を、マーカを基準とし位置決めする第3の工程と、第1の工程により除去されないSi基板を、Si基板の下面側から切断する第4の工程とからなる工程603とを含むSiフォトニクス光波回路の製造方法である。【選択図】図6
摘要翻译：的接触表面，以提供可连接到平坦光纤块在Si光子光回路。在Si衬底611的顶光波线路610被形成，并且形成在Si基片的顶部和Si衬底上表面上的光回路中，第一步骤601是通过蚀刻，在第一步骤中除去 Si衬底，其不被蚀刻去除，并且形成一个标记物从上表面可见的第二步骤602和Si衬底的下表面，切割相对于标记的定位未由所述第一步骤中去除的Si基板的位置第三步骤中，未由所述第一步骤中除去所述Si衬底，Si光子光波电路的制造方法，包括步骤603，其包括从Si衬底的下表面侧的切割的第四步骤。点域6

8. 发明专利

JP2016053685A 偏波切替え回路审中-公开
标题翻译：极化开关电路
公开(公告)号：JP2016053685A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014180244
申请日：2014-09-04
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：亀井新 , 地蔵堂真 , 片寄里美
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/14
摘要：【課題】偏波回転を行う状態とそれを行わない状態とを選択することができる偏波切替え回路を提供すること。【解決手段】偏波切替え回路は、2つの異なる偏波のモード光に応じて調整されるモード光を出力する第1の偏波変換回路10と、第1の偏波変換回路10の出力が予め設定された偏波のモード光のときに、当該モード光をそのまま出力し、あるいは当該モード光を入れ替えて出力するように設定するモード切替え回路11と、モード切替え回路11の出力に応じて調整されるモード光を出力する第2の偏波変換回路12とを備える。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在执行偏振旋转的状态和不执行偏振旋转的状态之间进行选择的偏振切换电路。解决方案：偏振切换电路包括：第一偏振转换电路10，用于输出调节的模式光根据两种不同极化的模式光; 模式切换电路11，其原样输出模式光，或者当第一偏振转换电路10的输出为预定设定的极化的模式光时，输出反相的模式光; 以及第二偏振转换电路12，用于输出根据模式转换电路11的输出调节的模式光。图示：图3

9. 发明专利

JP2016038446A 光回路有权
标题翻译：光电路
公开(公告)号：JP2016038446A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014160677
申请日：2014-08-06
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：山崎裕史 , 才田隆志 , 亀井新 , 川村百合子
IPC分类号： G02B6/13 , G02B6/34 , G02B6/30 , G02B6/42 , G02B6/122
摘要：【課題】高効率で製造工程が簡易な光回路を提供する。【解決手段】光回路10は、傾斜構造121を有する支持基板100と、支持基板上に形成されたアンダークラッド層101と、アンダークラッド層101上に形成され、グレーティングカプラ111を有するコア層102と、コア層上に形成されたオーバークラッド層103とを備え、アンダークラッド層101はグレーティングカプラ111下部において支持基板100と接しておらず、斜面構造121は、グレーティングカプラ111下部に形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有简单制造工艺的高性能光学电路。解决方案：光学电路10包括：具有倾斜结构121的支撑基板100; 形成在支撑基板上的下覆盖层101; 芯层102，其形成在下包层101上并具有光栅耦合器111; 以及形成在芯层上的外包层103。下覆盖层101不与光栅耦合器111的下部的支撑基板100接触。倾斜结构121形成在光栅耦合器111的下部。图1

10. 发明专利

JP6652969B2 光コヒーレントミキサ回路有权
公开(公告)号：JP6652969B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2017521685
申请日：2016-05-27
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：亀井新 , 地蔵堂真 , 福田浩 , 菊池清史 , 都築健
IPC分类号： G02F2/00 , G02B6/126 , G02B6/12 , H01L31/0232 , H01L31/10 , G02B6/125

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