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1. 发明专利

JP2018138511A 官能化IVA族粒子およびその使用方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018138511A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2018039307
申请日：2018-03-06
申请人：クラトス・エル・エル・シー
发明人：ティモシー・ニューバウンド , レスリー・マシューズ , ジェフ・ノリス
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/02
CPC分类号： H01M4/366 , H01L31/0264 , H01L31/0352 , H01M4/049 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0569 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02P70/54
摘要：【課題】リチウムイオン電池および光起電力セルを含めた様々な技術において使用され得るシリコン粒子を提供する。【解決手段】シリコン粒子の表面の少なくとも一部を覆う非誘電層により改質されているシリコン粒子であって、前記非誘電層が、アルケン、アルキン、芳香族化合物、ヘテロ芳香族化合物、シクロアルケン、アルコール、グリコール、チオール、ジスルフィド、アミン、アミド、ピリジン、ピロール、フラン、チオフェン、シアネート、イソシアネート、イソチオシアネート、ケトン、カルボン酸、アミノ酸およびアルデヒドからなる群から選択される化合物に由来し、前記非誘電層が、活性化の際に他の試薬と共有結合を形成する他の官能基を有している、シリコン粒子。【選択図】図4

3. 发明专利

JP6206856B2 太陽電池及び太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP6206856B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2016028099
申请日：2016-02-17
申请人：旭化成株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：渡辺明 , 湯本徹
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/208 , H01L21/368 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/541 , Y02E10/547 , Y02P70/521

4. 发明专利

JPWO2016088640A1 半導体結晶の製造方法、半導体放射線検出器、およびそれを用いた放射線撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016088640A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016562402
申请日：2015-11-26
申请人：株式会社日立製作所
发明人：信也小南 , 信也小南 , 崇章石津 , 崇章石津 , 喬之神田 , 喬之神田
IPC分类号： H01L31/0264
CPC分类号： C30B29/12 , G01T1/24 , H01L31/0264
摘要：高いγ線エネルギー分解能を有する半導体結晶の製造方法、半導体放射線検出器、およびそれを用いた放射線撮像装置を提供する。半導体結晶を、臭化第一タリウムを99.91〜99.99モル%、および3価のタリウム(臭化第二タリウム換算)を0.01〜0.09モル%含む臭素リッチな臭化タリウムの単結晶で構成して、半導体放射線検出器を製造する。

5. 发明专利

JP6049166B2 半導体放射線検出器およびそれを用いた核医学診断装置有权
标题翻译：半导体放射线检测器和使用其的辐射成像设备
公开(公告)号：JP6049166B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2012112665
申请日：2012-05-16
申请人：株式会社日立製作所
发明人：小南信也 , 甕久実 , 小橋啓司
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： H01L31/032 , A61B6/037 , A61B6/4233 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B29/12 , G01T1/24 , H01L31/036 , G01N2033/0095 , G01N23/22 , G01T1/161 , G01T1/241 , G01T1/249 , G01T1/2928 , H01L27/14 , H01L27/142 , H01L27/14676 , H01L31/0224 , H01L31/0264 , H01L31/0328 , H01L31/08 , H01L31/085 , H01L31/115 , H01L31/18

6. 发明专利

JP2015220258A 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2015220258A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014100785
申请日：2014-05-14
申请人：キヤノン株式会社
发明人：遠藤信之 , 廣田克範 , 荻野拓海 , 楠川将司 , 田村清一
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L31/02 , H01L31/02005 , H01L31/0264 , H01L27/1462
摘要：【課題】センサ特性の優れた光電変換装置を提供する。【解決手段】光電変換装置は、画素回路部と周辺回路部とを備える。前記画素回路部は、第1導電型の不純物を含む第1半導体領域と、前記第1導電型の不純物によって前記第1半導体領域の中に形成された第2半導体領域と、第2導電型の不純物によって前記第2半導体領域の中に形成された第3半導体領域と、前記第3半導体領域の上に形成されたコンタクトプラグと、を含む。前記第1導電型の不純物の濃度から前記第2導電型の不純物の濃度を差し引いた前記第1導電型の不純物のネットの濃度が、前記第2半導体領域において前記第1半導体領域および前記第3半導体領域よりも高く、かつ、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域において、前記第2導電型の不純物の最大濃度位置と前記コンタクトプラグとの距離が、前記第1導電型の不純物の最大濃度位置と前記コンタクトプラグとの距離以下である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异传感器特性的光电转换装置。解决方案：光电转换装置包括像素电路单元和外围电路单元。像素电路单元包括：第一半导体区域，包括第一导电类型的杂质;通过第一导电类型的杂质形成在第一半导体区域中的第二半导体区域;通过杂质形成在第二半导体区域中的第三半导体区域的第二导电类型，以及形成在第三半导体区域上的接触塞。在第二半导体区域中，通过从第一导电类型的杂质的浓度减去第二导电类型的杂质的浓度而获得的第一导电类型的杂质的净浓度高于第一半导体区域，并且第三半导体区域。在第二半导体区域和第三半导体区域中，第二导电类型的杂质的最大浓度位置与接触插塞之间的距离不大于第一导电类型的杂质的最大浓度位置与接触插头。

8. 发明专利

KR20210028858A KR20210028858A - Direct conversion x-ray detector and method for manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210028858A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020190109928A
申请日：2019-09-05
申请人： 한국조선해양 주식회사 , 울산과학기술원 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정은화 , 전득재 , 박장웅 , 지상윤
IPC分类号： G01T1/20 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC分类号： G01T1/2002 , H01L31/0264 , H01L31/18
摘要： 본 발명은 기판 및 상기 기판 상에 메틸암모늄요오드화납(CH
3 NH
3 PbI
3 )을 함유하는 코팅층을 포함하는 직접 변환 X선 검출기를 제공한다. 본 발명에 따르는 직접 변환 X선 검출기는 액상 공정을 제조된 메틸암모늄요오드화납(MAPbI
3 ) 광전도체를 포함하며, 원하는 형태로 패터닝하여 전자 소자와의 집적화가 가능하고, 동시에 유연하고 신축성 있는 형태의 X선 검출기를 제공한다.

9. 发明专利

JP2018078280A 高い光電変換効率と低い暗電流とが具現可能なイメージセンサ审中-公开
公开(公告)号：JP2018078280A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2017183395
申请日：2017-09-25
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：趙常▲ヒョン▼ , 李載昊 , 李殷奎 , 朴晟準 , 李基榮 , 許鎭盛
IPC分类号： H01L31/10 , H04N5/369 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14667 , B82Y15/00 , H01L27/14636 , H01L31/0264 , H01L31/074
摘要：【課題】高い光電変換効率と低い暗電流とが具現可能なイメージセンサを提供する。【解決手段】高い光電変換効率と低い暗電流とが具現可能なイメージセンサに係り、該イメージセンサは、第1電極及び第2電極と、該第1電極及び該第2電極の間に設けられる複数の光検出層と、該光検出層間に設けられる中間層と、を含み、該光検出層は、入射される光を電気的信号に変化させるものであり、半導体物質を含み、該中間層は、電気伝導異方性を有する金属性または半金属性の物質を含む。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2017208561A 半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017208561A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2017134966
申请日：2017-07-10
申请人：旭化成株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：渡辺明 , 湯本徹
IPC分类号： H01L21/368 , H01L31/18 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/541 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】低温プロセスで大面積の半導体膜を作製でき、かつ低コスト化が可能な塗布法に好適に用いられる半導体膜形成用塗布液により得られる半導体膜を備える半導体素子を提供すること。【解決手段】無機半導体粒子及び比誘電率が10以上200以下の有機化合物を含む半導体膜からなる層を備え、無機半導体粒子が、シリコン粒子、金属酸化物粒子及びCIGS系化合物半導体粒子からなる群より選択される少なくとも一種であり、金属酸化物が、酸化銅(I)、酸化銅(II)、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銀並びに酸化チタン(ルチル及びアナターゼ)からなる群より選択される少なくとも一種であり、有機化合物が、シアノエチル基含有有機化合物である、半導体素子。【選択図】図1

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