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1. 发明专利

JP2021167258A III族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具审中-公开
公开(公告)号：JP2021167258A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2020070511
申请日：2020-04-09
申请人：豊田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：岩田康生 , 守山実希 , 森勇介 , 今西正幸
IPC分类号： C30B19/02 , H01L21/208 , C30B29/38
摘要：【課題】基板全面にわたって結晶品質の均一なIII 族窒化物半導体単結晶を製造することのできるIII 族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具を提供することである。【解決手段】埋め込み層形成工程では、サファイア基板S1を融液ML1に浸漬する浸漬工程と、サファイア基板S1を融液ML1から引き上げた状態で第1層11の上に残留する融液から結晶成長させる結晶化工程と、を繰り返す。結晶化工程におけるサファイア基板S1の板面と水平面とがなす角の角度は、浸漬工程におけるサファイア基板S1の板面と水平面とがなす角の角度よりも大きい。【選択図】図11

2. 发明专利

JP6614529B2 III族元素窒化物結晶の製造方法、III族元素窒化物結晶、半導体装置、およびIII族元素窒化物結晶製造装置有权
公开(公告)号：JP6614529B2
公开(公告)日：2019-12-04
申请号：JP2015541623
申请日：2014-10-08
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社
发明人：森勇介 , 今出完 , 吉村政志 , 伊勢村雅士
IPC分类号： C30B29/38

4. 发明专利

JP2016150871A III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置审中-公开
标题翻译： III类氮化物晶体，III类氮化物晶体和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016150871A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015029101
申请日：2015-02-17
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：竹内正太郎 , 酒井朗 , 浅津宏伝 , 森勇介 , 今出完 , 吉村政志 , 平尾美帆子 , 今西正幸
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/38
摘要：【課題】簡便かつ低コストにIII族窒化物結晶の転位密度を低減できる、III族窒化物結晶の製造方法の提供。【解決手段】アルカリ金属融液を用いた一般的な液相成長法によるIII族窒化物結晶の製造において、基板11上に、1つのIII族窒化物種結晶12の層を一体に、或いは、1つのIII族窒化物種結晶12に代えて複数のIII族窒化物種結晶12aを形成し、III族窒化物種結晶12、12aの表面において、らせん成分を含む有する転位13の部分を、ウェットエッチングにより選択的に除去して凹部15を形成し、凹部15の形成されたIII族窒化物種結晶12,12aの上面にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法。凹部15の形成は、III族窒化物結晶の液相成長法に先立ち、アルカリ金属融液中でメルトバックにより行うこともできる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供以低成本容易地降低位错密度的III族氮化物晶体的制造方法。解决方案：使用碱金属熔体的通常的液相外延法的III族氮化物晶体的制造方法其中：在基板11上，一体形成一个III族氮化物晶种12的一个层，或者代替一个III族氮化物晶种12形成多个III族氮化物晶种12a; 在III族氮化物晶种12或12a的表面上，通过湿蚀刻选择性地去除具有螺纹部件的部分位错13以形成凹陷15; 并且在具有形成的凹部15的III族氮化物晶种12或12a的上表面上生长III族氮化物晶体。在该方法中，在III族氮化物晶体的液相外延之前，可以通过在碱金属熔体中进行熔融回加工来形成凹陷部15.图3

5. 发明专利

JP5883912B2 窒化物結晶およびその製造方法有权
标题翻译：氮化物晶体及其制造方法
公开(公告)号：JP5883912B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2014230094
申请日：2014-11-12
申请人：株式会社リコー , 国立大学法人大阪大学
发明人：佐藤隆 , 皿山正二 , 岩田浩和 , 森勇介 , 北岡康夫
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38

6. 发明专利

JP6906205B2 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6906205B2
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：JP2017149346
申请日：2017-08-01
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知 , 北村寿朗 , 森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/20 , C30B25/16 , C23C16/34 , C23C16/02 , H01L21/302 , H01L21/208 , H01L21/205

7. 发明专利

JP2020132475A III族窒化物結晶の製造方法および種基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020132475A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019028247
申请日：2019-02-20
申请人：パナソニック株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：岡山芳央 , 小松真介 , 多田昌浩 , 森勇介 , 今西正幸 , 吉村政志
IPC分类号： C30B9/06 , C30B29/38
摘要：【課題】割れやクラックの無い大きなサイズのIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】基板1の上に、複数のIII族窒化物の結晶を、複数の種結晶として配置する種結晶準備工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウム、およびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素、ならびにアルカリ金属を含む融液に種結晶の表面を接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程と、を含み、種結晶準備工程において、複数の種結晶を基板上に設けられた六角形の領域2内部に配置する、III族窒化物結晶の製造方法。結晶成長工程において、六角形の領域2の外周の各辺を、III族窒化物結晶の(1—100)面と一致させる、III族窒化物結晶の製造方法。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2018058718A III族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018058718A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016196509
申请日：2016-10-04
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 北本啓 , 伊勢村雅士
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/165 , C30B25/18 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：【課題】気相成長法により、クラック、転位等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を製造することのできるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】前記目的を達成するために、本発明のIII族窒化物結晶の製造方法は、III族元素含有ガス111aと、窒素含有ガス203aおよび203bとを反応させて、III族窒化物結晶204を生成させるIII族窒化物結晶生成工程を含み、前記III族窒化物結晶生成工程において、炭素含有物質の存在下で反応を行うことを特徴とする。【選択図】図2

9. 发明专利

JP5904421B2 III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法有权
标题翻译： III族氮化物晶体的制造方法及半导体装置
公开(公告)号：JP5904421B2
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：JP2013553314
申请日：2013-01-10
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：森勇介 , 今出完 , 吉村政志 , 平尾美帆子 , 今西正幸
IPC分类号： C30B19/12 , C30B29/38
CPC分类号： C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/007

10. 发明专利

JP2015166293A III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置审中-公开
标题翻译：制造III类硝酸盐晶体的方法，III类氮化物晶体，半导体器件和制造III类氮化物晶体的装置
公开(公告)号：JP2015166293A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2014041080
申请日：2014-03-03
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社 , 古河機械金属株式会社 , 株式会社サイオクス
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 伊勢村雅士 , 碓井彰 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C30B19/02 , C23C16/08 , C23C16/34 , H01L21/208 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625
摘要：【課題】気相成長法により大サイズで、かつ、歪み、転位、反り等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶の製造方法の提供。【解決手段】液相成長法により第1のIII族窒化物結晶1003を製造する第1のIII族窒化物結晶製造工程と、第1の結晶1003上に、気相成長法により第2のIII族窒化物結晶1004を製造する第2のIII族窒化物結晶製造工程とを含む、III族窒化物結晶の製造方法であって、前記第1のIII族窒化物結晶製造工程は、予め準備されたIII族窒化物の複数の種結晶1003aの表面をアルカリ金属融液に接触させ、窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させ、複数の種結晶1003aから成長した複数のIII族窒化物結晶の成長により、前記複数のIII族窒化物結晶を結合させて第1の結晶1003とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有大尺寸的III族氮化物晶体的方法，较少的应变，位错和翘曲的缺陷以及通过气相生长方法的高质量。方法：一种制造III族的方法氮化物晶体包括：通过液相生长法制造第一III族氮化物晶体1003的第一III族氮化物晶体制造步骤; 以及通过气相生长法在第一晶体1003上制造第二III族氮化物晶体1004的第二III族氮化物晶体制造步骤。第一III族氮化物晶体制造步骤包括：将预先制备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔体接触; 在包含氮气的气氛下，使碱金属熔体中的III族元素与氮反应; 以及通过从所述多个晶种1003a中生长所述多个III族氮化物晶体来接合多个III族氮化物晶体以形成所述第一晶体1003。

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