专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2018058718A III族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018058718A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016196509
申请日：2016-10-04
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 北本啓 , 伊勢村雅士
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/165 , C30B25/18 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：【課題】気相成長法により、クラック、転位等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を製造することのできるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】前記目的を達成するために、本発明のIII族窒化物結晶の製造方法は、III族元素含有ガス111aと、窒素含有ガス203aおよび203bとを反応させて、III族窒化物結晶204を生成させるIII族窒化物結晶生成工程を含み、前記III族窒化物結晶生成工程において、炭素含有物質の存在下で反応を行うことを特徴とする。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2021167258A III族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具审中-公开
公开(公告)号：JP2021167258A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2020070511
申请日：2020-04-09
申请人：豊田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：岩田康生 , 守山実希 , 森勇介 , 今西正幸
IPC分类号： C30B19/02 , H01L21/208 , C30B29/38
摘要：【課題】基板全面にわたって結晶品質の均一なIII 族窒化物半導体単結晶を製造することのできるIII 族窒化物半導体単結晶の製造方法および治具を提供することである。【解決手段】埋め込み層形成工程では、サファイア基板S1を融液ML1に浸漬する浸漬工程と、サファイア基板S1を融液ML1から引き上げた状態で第1層11の上に残留する融液から結晶成長させる結晶化工程と、を繰り返す。結晶化工程におけるサファイア基板S1の板面と水平面とがなす角の角度は、浸漬工程におけるサファイア基板S1の板面と水平面とがなす角の角度よりも大きい。【選択図】図11

3. 发明专利

JP2016150871A III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置审中-公开
标题翻译： III类氮化物晶体，III类氮化物晶体和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016150871A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015029101
申请日：2015-02-17
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：竹内正太郎 , 酒井朗 , 浅津宏伝 , 森勇介 , 今出完 , 吉村政志 , 平尾美帆子 , 今西正幸
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/38
摘要：【課題】簡便かつ低コストにIII族窒化物結晶の転位密度を低減できる、III族窒化物結晶の製造方法の提供。【解決手段】アルカリ金属融液を用いた一般的な液相成長法によるIII族窒化物結晶の製造において、基板11上に、1つのIII族窒化物種結晶12の層を一体に、或いは、1つのIII族窒化物種結晶12に代えて複数のIII族窒化物種結晶12aを形成し、III族窒化物種結晶12、12aの表面において、らせん成分を含む有する転位13の部分を、ウェットエッチングにより選択的に除去して凹部15を形成し、凹部15の形成されたIII族窒化物種結晶12,12aの上面にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法。凹部15の形成は、III族窒化物結晶の液相成長法に先立ち、アルカリ金属融液中でメルトバックにより行うこともできる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供以低成本容易地降低位错密度的III族氮化物晶体的制造方法。解决方案：使用碱金属熔体的通常的液相外延法的III族氮化物晶体的制造方法其中：在基板11上，一体形成一个III族氮化物晶种12的一个层，或者代替一个III族氮化物晶种12形成多个III族氮化物晶种12a; 在III族氮化物晶种12或12a的表面上，通过湿蚀刻选择性地去除具有螺纹部件的部分位错13以形成凹陷15; 并且在具有形成的凹部15的III族氮化物晶种12或12a的上表面上生长III族氮化物晶体。在该方法中，在III族氮化物晶体的液相外延之前，可以通过在碱金属熔体中进行熔融回加工来形成凹陷部15.图3

4. 发明专利

JP2020186158A III族窒化物結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020186158A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2019093968
申请日：2019-05-17
申请人：国立大学法人大阪大学 , パナソニック株式会社
发明人：森勇介 , 今西正幸 , 吉村政志 , 村上航介 , 岡山芳央 , 小松真介
IPC分类号： C30B19/12 , C23C16/34 , H01L21/208 , C30B29/38
摘要：【課題】高品質なIII族窒化物結晶を製造するIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、酸化物気相成長法でIII族窒化物種結晶を成長させる種結晶製造工程と、III族窒化物種結晶の表面に孔を形成する孔形成工程と、窒素を含む雰囲気下にて、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に、孔を形成したIII族窒化物種結晶の表面を接触させることによって、III族元素と窒素とを前記融液中で反応させてIII族窒化物結晶を液相成長させる結晶成長工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図11

5. 发明专利

JP2019196294A III族窒化物結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019196294A
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018092446
申请日：2018-05-11
申请人：国立大学法人大阪大学 , パナソニック株式会社
发明人：森勇介 , 今西正幸 , 岡本貴敏
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】結晶中の酸素不純物が少ないIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、アルカリ金属、III族元素含有原料、及び、種基板11を収納する坩堝、坩堝を収納する反応容器、反応容器15を収納する圧力容器、窒素元素含有ガス及び/又はアルゴンガスを圧力容器に導入するガス供給管、圧力容器を封止する蓋、圧力容器を加熱するヒータ、ヒータと反応容器とを絶縁するための絶縁材、反応容器内の熱漏れを防止する断熱材を使用してIII族窒化物結晶を製造する方法であって、蓋を前記圧力容器から分離して、圧力容器内に反応容器を収納し、蓋で圧力容器を封止した後に、アルゴンガスを圧力容器内に充填する工程と、アルゴンガスを加熱して保持する工程と、加熱したアルゴンガスを圧力容器から排出する工程と、窒素元素含有ガスを圧力容器内に導入し、アルカリ金属とIII族元素含有原料とを反応させて種基板上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6604205B2 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板有权
公开(公告)号：JP6604205B2
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：JP2016000354
申请日：2016-01-05
申请人：国立大学法人大阪大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , C23C16/01 , C23C16/08 , H01L21/205 , H01L21/208 , C30B29/38

7. 发明专利

JP2019151519A III族窒化物結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019151519A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018037500
申请日：2018-03-02
申请人：国立大学法人大阪大学 , パナソニック株式会社
发明人：森勇介 , 今西正幸 , 吉村政志 , 村上航介 , 岡山芳央
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/12
摘要：【課題】表面が平坦で高品質かつ大サイズのIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に、複数のIII族窒化物を種結晶として準備する種結晶準備工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に種結晶の表面を接触させることによって、前記III族元素と前記窒素とを融液中で反応させてIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程と、を含み、結晶成長工程は、複数の種結晶からそれぞれ断面が三角形状又は台形状の複数の第一のIII族窒化物結晶を成長させる第一の結晶成長工程と、複数の第一のIII族窒化物結晶の間隙に第二のIII族窒化物結晶を成長させる第二の結晶成長工程と、を含む。【選択図】図1

8. 发明专利

JPWO2020075599A1 窒化物半導体膜の形成方法有权
公开(公告)号：JPWO2020075599A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2019038987
申请日：2019-10-02
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：高橋伸明 , 三浦仁嗣 , 根石浩司 , 片山竜二 , 森勇介 , 今西正幸
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/203
摘要：窒化物半導体膜の形成方法は、窒素及びアルゴンを含む真空チャンバ内で窒化ガリウムのターゲットを間欠的にスパッタする工程と、真空チャンバ内でターゲットから飛散した窒化ガリウムのスパッタ粒子を、温度が560℃以上650℃以下の対象物上に堆積させる工程と、を有する。真空チャンバに供給する窒素の流量とアルゴンの流量との和に対する窒素の流量の割合を6%以上18%以下とする。

9. 发明专利

JP2020132464A III族窒化物結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020132464A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019026845
申请日：2019-02-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , パナソニック株式会社
发明人：森勇介 , 今西正幸 , 吉村政志 , 村上航介 , 小松真介 , 多田昌浩 , 岡山芳央
IPC分类号： H01L21/208 , C30B29/38
摘要：【課題】高品質なIII族窒化物結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、基板上に複数のドット状のIII族窒化物を、III族窒化物結晶の成長のための複数の種結晶として準備する種結晶準備工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記種結晶の表面を接触させることによって、III族元素と窒素とを融液中で反応させてIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程と、を含み、結晶成長工程は、複数の種結晶から結晶核を形成する核発生工程と、複数の結晶核から角錐形状の第一のIII族窒化物結晶を成長させる角錐成長工程と、複数の角錐形状の第一のIII族窒化物結晶の間隙を埋め込んで表面が平坦になるように第二のIII族窒化物結晶を成長させる横方向成長工程とを含む。【選択図】図19

10. 发明专利

JP6731590B2 窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6731590B2
公开(公告)日：2020-07-29
申请号：JP2016092450
申请日：2016-05-02
申请人：国立大学法人大阪大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C30B29/38

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式