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1. 发明专利

JP6663766B2 III族窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6663766B2
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：JP2016061608
申请日：2016-03-25
申请人：国立大学法人大阪大学 , パナソニック株式会社
发明人：森勇介 , 今出完 , 信岡政樹 , 岡山芳央 , 小松真介
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38

2. 发明专利

JP6267303B2 結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6267303B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2016185984
申请日：2016-09-23
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本千秋 , 久芳豊 , 正木克明 , 林雄一郎
IPC分类号： C30B19/10 , C30B15/20 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B15/14 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36

3. 发明专利

JP2017171552A III族窒化物結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017171552A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016061608
申请日：2016-03-25
申请人：国立大学法人大阪大学 , パナソニック株式会社
发明人：森勇介 , 今出完 , 信岡政樹 , 岡山芳央 , 小松真介
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38
摘要：【課題】成長中のGaN結晶におけるインクルージョンを効果的に除去することができるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、III族金属と、フラックスとを含む混合融液、および、窒素から種結晶基板上にIII族窒化物結晶を製造する製造工程を有するIII族窒化物結晶の製造方法であって、製造工程において、混合融液中におけるIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長領域に変動磁界を加えながら、種結晶基板上にIII族窒化物結晶を成長させる。【選択図】図2

4. 发明专利

JPWO2014189010A1 炭化珪素単結晶及びその製造方法有权
标题翻译：碳化硅单晶及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014189010A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015518238
申请日：2014-05-19
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：邦治藤井 , 康一武井 , 和央蔵重 , セングットバンナチムス , 一郎長井 , 智久加藤 , 武志三谷 , 直佳小松 , 徹夫高橋
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10
CPC分类号： C30B29/36 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/30
摘要：本発明は、1.0×1016(cm−3)以上の濃度でTiを含有し、かつn型キャリア密度が3.0×1018(cm−3)以下である、炭化珪素単結晶を提供する。
摘要翻译：本发明的Ti含有在1.0×1016（cm -3）的以上的浓度，和3.0×1018 n型载流子密度（cm -3）的下面，以提供一个碳化硅单晶。

5. 发明专利

JP2017019682A 窒化ガリウム単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造氮化镓单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2017019682A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137757
申请日：2015-07-09
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38
摘要：【課題】クラックや割れを抑制する。【解決手段】本実施の形態の窒化ガリウム単結晶40の製造方法は、反応容器52内に保持されたアルカリ金属と13族金属を含む混合融液24中に、窒素を溶解させ、混合融液24中に配置された種結晶30に窒化ガリウム結晶32を成長させる。本実施の形態の窒化ガリウム単結晶40の製造方法は、第1の結晶成長工程と、第2の結晶成長工程と、を含む。第1の結晶成長工程は、第1の工程または第2の工程を行い、種結晶30に窒化ガリウム結晶32による第1の層34を形成する。第2の結晶成長工程は、第3の工程または第4の工程を行い、種結晶30上に形成された第1の層34上に第2の層36を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：本发明涉及抑制裂缝或裂纹。制造本实施方式的氮化镓单晶40的方法，包含碱金属和第13族金属在该反应容器52保持的熔融混合物24以溶解氮气，混合熔体籽晶30，其被布置在24生长氮化镓晶体32。用于制造本实施方式的氮化镓单晶40的方法包括：第一结晶生长工序，第二结晶生长工序。第一结晶生长工序，执行第一步骤或第二步骤中，通过形成在晶种上30上的氮化镓结晶32的第一层34。第二结晶生长工序进行第三步骤或第四步骤中，形成于籽晶30的第一层34上的第二层36。点域1

6. 发明专利

JP2016056071A 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置有权
标题翻译：碳化硅晶体和晶体制造设备的制造方法
公开(公告)号：JP2016056071A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014184978
申请日：2014-09-11
申请人：国立大学法人名古屋大学 , セントラル硝子株式会社
发明人：宇治原徹 , 原田俊太 , 古池大輝 , 梅崎智典
IPC分类号： C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
摘要：【課題】炭化ケイ素のオフ基板上へ表面荒れを抑制しながら炭化ケイ素の単結晶を成長させることが可能な方法を得る。【解決手段】炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に接触させながら回転させる炭化ケイ素の結晶の製造方法において、前記種結晶の結晶成長面はオフ角を有し、前記種結晶の回転中心の位置が、前記種結晶の中心位置に対して、前記オフ角の形成方向であるステップフロー方向の下流側にあることを特徴とする炭化ケイ素の結晶の製造方法を用いる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在抑制碳化硅的脱离基板的表面粗糙度的同时生长碳化硅的单晶的方法。解决方案：通过将碳化硅晶种转化为碳化硅晶体的方法使其与包含硅和碳的材料溶液接触，其特征在于：晶种的晶体生长表面具有偏角; 并且晶种的旋转中心的位置位于相对于晶种的中心位置的阶梯流动方向或偏离角的形成方向的下游侧。选择的图示：图1

7. 发明专利

JP5877812B2 SiC単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP5877812B2
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2013081376
申请日：2013-04-09
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：楠一彦 , 亀井一人 , 大黒寛典 , 加渡幹尚 , 坂元秀光
IPC分类号： C30B19/10 , H01L21/208 , C30B29/36

8. 发明专利

JP5876390B2 SiC単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP5876390B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2012190547
申请日：2012-08-30
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：加渡幹尚 , 楠一彦 , 亀井一人
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： H01L21/02628 , C30B17/00 , C30B29/36 , C30B9/06 , H01L21/02529 , H01L21/02598

9. 发明专利

JP2016020288A 単結晶炭化ケイ素半導体薄膜の形成方法审中-公开
标题翻译：单晶硅半导体薄膜的形成方法
公开(公告)号：JP2016020288A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2014144040
申请日：2014-07-14
申请人：日新電機株式会社
发明人：吉岡久
IPC分类号： C30B19/10 , H01L21/208 , C30B29/36
摘要：【課題】多結晶SiC基板を原料に使用して、N濃度が1E+16(atoms/cc)よりも低濃度となるMSEエピ膜を成長させることを課題とする。【解決手段】本発明は、N濃度が安定して製作できる、7E+15(atoms/cc)以上、1E+16(atoms/cc)以下である多結晶SiC基板を原料に使用する。前記多結晶SiC基板を原料に使用して、Si融液層厚みを25〜200μm、成長温度を1600〜1850℃の間に設定する。前記条件にてMSEエピ膜のN濃度を1E+16(atoms/cc)よりも低濃度に成長させる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过使用多晶SiC衬底作为原料来生长制成具有低于1E + 16（原子/ cc）的N浓度的MSE外延膜。解决方案：在本发明中，作为材料使用等于或高于7E + 15（原子/ cc）且等于或低于1E + 16（原子/ cc）的多晶SiC衬底，其被制造成具有稳定的N浓度。所述多晶SiC用作将Si熔融液层厚度设定为25〜200μm，生长温度为1600〜1850℃的材料。在所述条件下，生长MSE外延膜以使N浓度低于1E + 16（原子/ cc）。选择的图：图2

10. 发明专利

JP5742390B2 窒化ガリウム結晶の成長方法有权
标题翻译：氮化镓晶体的生长方法
公开(公告)号：JP5742390B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2011080253
申请日：2011-03-31
申请人：株式会社IHI , 国立大学法人大阪大学
发明人：伊藤彰 , 河口紀仁 , 森勇介 , 今出完
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38

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