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1. 发明专利

JP2015078121A 窒化物結晶およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物晶体及其生产方法
公开(公告)号：JP2015078121A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2014252213
申请日：2014-12-12
申请人：株式会社リコー , 国立大学法人大阪大学
发明人：佐藤隆 , 皿山正二 , 岩田浩和 , 森勇介 , 北岡康夫
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/38
摘要：【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶及び製造方法の提供。【解決手段】アルカリ金属とIII族元素と炭素をモル数の比率で0.01〜5%の範囲で含む混合融液を反応容器内に形成する工程と、種結晶21を配置した反応容器内の混合融液に窒素を供給し、種結晶21上に窒化物結晶を成長させる工程とによって成長させた窒化物結晶(あるいはこれをスライスして作製した窒化物結晶基板20)であって、種結晶21の外周に成長した窒化物結晶は、第1の部分領域25と、第1の部分領域25とは光学的特性が異なる成長分域境界面(第2の部分領域)26とを含み、第2の部分領域26は、種結晶21の近傍から窒化物結晶の外縁部まで、結晶方位に沿って形成されており、窒化物結晶のc軸に垂直な断面内で、第2の部分領域26は方向に沿って形成される窒化物結晶。【選択図】図5−1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种氮化物晶体和制造方法，即使在不进行制造工艺的情况下也可以容易地观察晶体定位和晶体取向。解决方案：在通过以下方式生长的氮化物晶体（或其切片制造的氮化物晶体基板20）在反应容器中以摩尔数比例形成0.01〜5％的碱金属，III族元素和碳的混合溶液的方法，以及通过供给氮气使晶种21上生长氮化物晶体的工序对于配置有晶种21的反应容器中的混合溶液，在晶种21的外周生长的氮化物晶体包括第一部分区域25和生长域边界（第二部分区域）26。区域26沿着从晶种21的附近到外周的晶体取向形成，第二部分区26沿<11-20>二在垂直于氮化物晶体的c轴的横截面中的取向。

2. 发明专利

JP5883912B2 窒化物結晶およびその製造方法有权
标题翻译：氮化物晶体及其制造方法
公开(公告)号：JP5883912B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2014230094
申请日：2014-11-12
申请人：株式会社リコー , 国立大学法人大阪大学
发明人：佐藤隆 , 皿山正二 , 岩田浩和 , 森勇介 , 北岡康夫
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38

3. 发明专利

JP2016172692A 窒化物結晶およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硝酸盐晶体及其生产方法
公开(公告)号：JP2016172692A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2016136132
申请日：2016-07-08
申请人：株式会社リコー , 国立大学法人大阪大学
发明人：佐藤隆 , 皿山正二 , 岩田浩和 , 森勇介 , 北岡康夫
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】種結晶21の外周に成長した窒化物結晶において、窒化物結晶は、第1の部分領域25と、第1の部分領域25とは光学的特性が異なる第2の部分領域26とを含む。第2の部分領域26は、窒化物結晶の少なくとも一部に、種結晶21の表面から窒化物結晶の外縁部に向かって形成されており、結晶方位を示すものである。【選択図】図5−1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中可以容易地观察晶体位置和晶体取向而不进行加工处理的氮化物晶体，并提供其制造方法。解决方案：关于在种子的外周生长的氮化物晶体晶体21，氮化物晶体包括具有与第一部分区域25不同的光学特性的第一部分区域25和第二局部区域26.第二部分区域26由晶种21的表面向外部形成氮化物晶体的边缘部分至少在氮化物晶体的一部分上，并且显示出晶体取向。选择图：图5-1

4. 发明专利

JP2016128381A 窒化ガリウム結晶、13族窒化物結晶、結晶基板、およびそれらの製造方法有权
标题翻译：氮化钠晶体，13号氮化钛晶体，晶体基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2016128381A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2016029132
申请日：2016-02-18
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和 , 南部洋志 , 佐藤隆
IPC分类号： C30B9/12 , C30B25/20 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化ガリウム結晶及び13族窒化物結晶であって、実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶の製造方法。【解決手段】窒化ガリウム結晶25が、c軸と垂直な断面の形状が六角形又は概ね六角形であり、c軸の長さLが9mm以上であり、c軸と垂直な断面の結晶径dが100μm以上であり、c軸の長さLと、c軸と垂直な断面の結晶径dの比L/dが7以上であり、c軸と平行な6側面がm面である針状の種結晶25。前記長尺の針状結晶25を肥大化させることにより体積の大きなバルク結晶80を製造することが可能となり、実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶80を製造する方法。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有氮化镓晶体和13族氮化物晶体并且切割成具有实际尺寸的晶体衬底的大尺寸体晶的方法。解决方案：针晶种25是氮化镓具有垂直于c轴的截面形状的六边形或近似六边形的晶体25，c轴的长度L为9mm以上，截面的晶体直径（d）为100μm以上垂直于c轴的c轴的长度L与垂直于c轴的截面的晶体直径（d）相比为7或更大的比例L / d，以及平行于c轴的六个侧面 c轴为m面。在制造大尺寸体积晶体80的方法中，通过生长长针状晶体25来制造具有大体积并切割成具有实际尺寸的晶体衬底的块状晶体80.图5

5. 发明专利

JP6337526B2 13族窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6337526B2
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：JP2014046442
申请日：2014-03-10
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和
IPC分类号： C30B9/10 , C30B17/00 , C30B29/38

6. 发明专利

JP2017100944A 13族窒化物結晶および13族窒化物結晶基板审中-公开
公开(公告)号：JP2017100944A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2017030764
申请日：2017-02-22
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】大口径かつ反りが少ない13族窒化物結晶および13族窒化物結晶基板を提供する。【解決手段】本発明に係る13族窒化物結晶は、六方晶の13族窒化物結晶であって、c面内において結晶欠陥の多い領域を境界とする六角形状のドメインを複数含み、該六角形の辺のうち平行な辺と辺の間隔は1mm以上であり、結晶中のシリコン濃度は2×10 17 cm -3 より少なく、2インチよりも大きい外径を有することを特徴とするものである。【選択図】図3−4

7. 发明专利

JP2015168609A 13族窒化物結晶の製造方法有权
标题翻译：制造13组氮化物晶体的方法
公开(公告)号：JP2015168609A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014046442
申请日：2014-03-10
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和
IPC分类号： C30B17/00 , C30B9/10
摘要：【課題】フラックス法において雑晶の付着や成長速度の低下を招くことなく、高品質な13族窒化物結晶を安定して製造できるようにする。【解決手段】種結晶7は13族窒化物がc軸に配向して結晶成長する主面を有し、その長手方向と13族窒化物結晶5のa軸とが略平行な短冊状の単結晶である。種結晶7は主面とは反対側の面が反応容器12の内側面14に接するように、且つ長手方向が混合融液6の気液界面18と略平行となるように、且つ気液界面18の近傍部に位置するように混合融液6中に設置される。13族窒化物結晶5のa軸と平行な{10−11}面が主な成長面となるように種結晶7の主面から13族窒化物を結晶成長させる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了稳定地制造高质量的13族氮化物晶体，而不会引起杂晶的粘附和通量法中生长速率的降低。解决方案：晶种7是具有主表面的条形单晶其中13族氮化物在交流轴上取向并生长成晶体，并且具有大致平行于13族氮化物晶体5的a轴的纵向方向。将晶种7放置在混合熔体6中，使得表面在与主表面相反的一侧与反应容器12的内表面14接触，纵向方向大致平行于混合熔体6的气 - 液界面18，晶种位于气/液界面18. 13族氮化物从晶种7的主表面生长成晶体，使得与13族氮化物晶体的a轴平行的{10-11}面 5是主要生长面。

8. 发明专利

JP2015127298A 窒化ガリウム結晶、結晶基板および窒化物結晶有权
标题翻译：氮化钠晶体，晶体基板和氮化物晶体
公开(公告)号：JP2015127298A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2015079278
申请日：2015-04-08
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02
摘要：【課題】簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるn型III族窒化物単結晶を製造する。【解決手段】反応容器内に、少なくともIII族元素を含む物質と、アルカリ金属と、酸化ホウ素と、を投入する材料投入工程と、前記反応容器を前記酸化ホウ素の融点まで加熱することにより、前記酸化ホウ素を融解させる融解工程と、前記反応容器をIII族窒化物の結晶成長温度まで加熱することにより、前記反応容器内に、前記III族元素と、前記アルカリ金属と、前記酸化ホウ素と、を含む混合融液を形成する混合融液形成工程と、前記混合融液に窒素を含む気体を接触させて、前記混合融液中に窒素を溶解させる窒素溶解工程と、前記混合融液中に溶解した前記III族元素と、前記窒素と、前記酸化ホウ素中の酸素とから、前記酸素がドナーとしてドープされたn型のIII族窒化物単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过简单的工艺制造具有高质量和低电阻的n型III族氮化物单晶。制造方法包括：进料至少包含III族元素的物质的材料进料方法，碱金属和氧化硼进入反应容器; 通过将反应容器加热到氧化硼的熔点来熔化氧化硼的熔融方法; 通过将反应容器加热至III族氮化物的晶体生长温度，在反应容器中形成包含III族元素，碱金属和氧化硼的混合熔体的混合熔融成形方法; 通过使包含氮气的气体与所述混合熔体接触来将氮溶解在所述混合熔体中的氮溶解工序; 以及在溶解在混合熔体中的III族元素，氮和氧中生长在氧化硼中生长掺杂有氧的n型III族氮化物单晶的晶体生长过程。

9. 发明专利

JP5729182B2 n型III族窒化物単結晶の製造方法、n型III族窒化物単結晶および結晶基板有权
标题翻译：用于制造n型III族氮化物单晶的方法，所述n型III族氮化物单晶和晶体基板
公开(公告)号：JP5729182B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2011151093
申请日：2011-07-07
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/406 , C01B21/0632 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/38 , C30B9/00 , H01B1/06 , H01L33/0075 , Y10T117/1068

10. 发明专利

JP6398213B2 13族窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6398213B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2014025897
申请日：2014-02-13
申请人：株式会社リコー
发明人：岩田浩和
IPC分类号： C30B19/12 , C30B29/38

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