专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6981945B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6981945B2
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：JP2018171333
申请日：2018-09-13
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：荻原勤 , 矢野俊治 , 前田和規 , 三井亮 , 永田岳志
IPC分类号： G03F7/42 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40

2. 发明专利

JP5708082B2 パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物有权
标题翻译：的图案形成方法，负型光阻组合物
公开(公告)号：JP5708082B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011058724
申请日：2011-03-17
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 永田岳志 , 長谷川幸士
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C69/54 , C09D133/14 , C09D133/16 , G03F7/325 , C07C2103/74 , C08F2220/282 , C08F2220/283

3. 发明专利

JP2022000689A レジスト材料及びパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2022000689A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：JP2021093713
申请日：2021-06-03
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 永田岳志 , 林伝文
IPC分类号： G03F7/039 , C09K3/00 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】ポジ型レジスト材料においてもネガ型レジスト材料においても、高感度かつLWRやCDUが小さいレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】ベースポリマー及びクエンチャーを含むレジスト材料であって、前記クエンチャーが、ヨウ素原子で置換された芳香環がエステル結合及びエーテル結合から選ばれる少なくとも1種を含んでいてもよい炭素数1〜20の炭化水素基を介して窒素原子に結合している窒素原子含有化合物と、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール基を有する化合物とから得られる塩化合物を含むものであるレジスト材料。【選択図】なし

4. 发明专利

JP2020042224A パターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020042224A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018171333
申请日：2018-09-13
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：荻原勤 , 矢野俊治 , 前田和規 , 三井亮 , 永田岳志
IPC分类号： G03F7/42 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40
摘要：【課題】製品の性能劣化や歩留まり低下の問題を解決できるパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 (1)基板上に有機下層膜、その上にケイ素含有中間膜、更にその上に上層レジスト膜を形成する工程、(2)前記上層レジスト膜を露光、現像して上層レジストパターンを形成する工程、(3)ドライエッチングで前記ケイ素含有中間膜に前記上層レジストパターンを転写し、更に前記有機下層膜に前記上層レジストパターンを転写して有機下層膜パターンを形成する工程、(4)無機ケイ素膜をCVD法又はALD法によって形成する工程、 (5)前記無機ケイ素膜の一部をドライエッチングで除去して前記有機下層膜パターンの上部を露出させる工程、及び(6)前記有機下層膜パターンを剥離液で除去して、無機ケイ素膜パターンを形成する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6196190B2 多層膜形成方法及びパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6196190B2
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2014140110
申请日：2014-07-08
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 永田岳志
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/3213 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/091 , H01L21/027 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , B81C1/00031 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H05K2203/05

6. 发明专利

JP5776580B2 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法有权
标题翻译：使用相同的正型抗蚀剂组合物和图案化工艺
公开(公告)号：JP5776580B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2012033501
申请日：2012-02-20
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 永田岳志 , 森澤拓
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/10 , C08G8/04 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/085 , H01L21/265

7. 发明专利

JP2018186231A 半導体基板の洗浄乾燥方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018186231A
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017088548
申请日：2017-04-27
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：荻原勤 , 渡邊修 , 永田岳志 , 小林直貴 , 郡大佑
IPC分类号： F26B5/00 , F26B9/00 , C11D7/50 , C11D7/26 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02071 , B08B3/08 , B81C1/0092 , C11D7/28 , C11D7/5018 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02057
摘要：【課題】半導体基板洗浄後の洗浄液乾燥時に発生するパターンの倒れや崩壊等を抑制し、効率よく洗浄液を除去できる洗浄乾燥方法を提供する。【解決手段】パターンが形成された半導体基板1を洗浄液3で洗浄し、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含有する樹脂及び溶剤を含む組成物溶液を用いて半導体基板1上に残留した洗浄液3を置換した後、溶剤を樹脂の分解温度未満の温度で加熱除去し、半導体基板1を0℃以上前記分解温度未満に保ちながら、前記分解温度以上のガスを吹き付け、樹脂をガスに接触する表面8側から分解除去する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6117711B2 半導体基板の洗浄乾燥方法有权
公开(公告)号：JP6117711B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2014021191
申请日：2014-02-06
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：荻原勤 , 永田岳志 , 畠山潤 , 郡大佑
IPC分类号： F26B5/16 , C11D7/26 , C11D7/28 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02068 , B08B3/08 , B81C1/00912 , C08G4/00 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/02057 , G03F7/426 , Y02P20/544

9. 发明专利

JP2016018051A 多層膜形成方法及びパターン形成方法有权
标题翻译：形成多层膜的方法和形成图案的方法
公开(公告)号：JP2016018051A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014140110
申请日：2014-07-08
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 永田岳志
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/091 , H01L21/027 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , B81C1/00031 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H05K2203/05
摘要：【課題】反射率を低減でき、ドライエッチングの寸法精度が高いパターン形成方法に有用な多層膜の形成方法を提供する。【解決手段】(1)基板上に、ビスナフトール基を有する特定の化合物をノボラック化した樹脂を含有する下層膜材料をコーティングし、300℃以上700℃以下の温度で10秒〜600秒間の範囲で熱処理して硬化させることで下層膜を形成する工程と、(2)下層膜上にシリコン膜を形成する工程と、(3)シリコン膜上に炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、(4)炭化水素膜上に珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程、を含む多層膜形成方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成可以降低反射率的图案的形成方法的多层膜的形成方法，并且干蚀刻的尺寸精度高。解决方案：提供一种形成多层膜的方法包括：步骤（1），其中将基材的表面涂覆有下层薄膜材料，所述下层薄膜材料包括将具有双萘酚基团的特定化合物制成酚醛清漆的树脂，并在300至700℃下进行热处理 C进行10〜600秒的固化，形成下层膜; 在下层膜上形成硅膜的工序（2）; 步骤（3），其中硅膜的表面涂覆有烃膜材料以形成烃膜; 以及其中所述烃膜的表面涂覆有氧化硅膜以形成氧化硅膜的步骤（4）。选择的图：图1

10. 发明专利

JP2015149384A 半導体基板の洗浄乾燥方法有权
标题翻译：清洗和干燥半导体衬底的方法
公开(公告)号：JP2015149384A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014021191
申请日：2014-02-06
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：荻原勤 , 永田岳志 , 畠山潤 , 郡大佑
IPC分类号： F26B5/16 , C11D7/26 , C11D7/28 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02068 , B08B3/08 , B81C1/00912 , C08G4/00 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/02057 , G03F7/426 , Y02P20/544
摘要：【課題】超臨界状態の洗浄液を取り扱うような特別な装置を使わずに、基板を洗浄した後の洗浄液を乾燥する際に発生するパターンの倒れや崩壊を抑制し、効率よく洗浄液を除去できる半導体基板の洗浄乾燥方法を提供する。【解決手段】パターンが形成された半導体基板を洗浄し、乾燥させる方法であって、 (1)前記パターンが形成された半導体基板を洗浄液で洗浄する工程、 (2)酸及び熱のいずれか、又は両方によって分解する樹脂(A)を含む組成物溶液を用いて、洗浄液を置換する工程、 (3)酸及び熱のいずれか、又は両方によって、前記樹脂(A)を分解除去する工程、を含む半導体基板の洗浄乾燥方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种清洗和干燥半导体衬底的方法，该半导体衬底能够在不使用特殊器件的情况下清洁衬底之后，通过抑制清洁液体干燥后的图案的下降或塌陷的发生而有效地除去清洗液，例如在超临界状态下处理清洗液。解决方案：公开了一种清洁和干燥其上形成有图案的半导体衬底的方法。半导体衬底的清洁和干燥方法包括以下步骤：（1）清洗其上形成图案的半导体衬底; （2）使用含有树脂（A）的组合物溶液用酸和热或二者分解来代替清洗液; 并且通过酸和热或它们两者分解和除去树脂（A）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式