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1. 发明专利

JP2018186231A 半導体基板の洗浄乾燥方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018186231A
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017088548
申请日：2017-04-27
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：荻原勤 , 渡邊修 , 永田岳志 , 小林直貴 , 郡大佑
IPC分类号： F26B5/00 , F26B9/00 , C11D7/50 , C11D7/26 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02071 , B08B3/08 , B81C1/0092 , C11D7/28 , C11D7/5018 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02057
摘要：【課題】半導体基板洗浄後の洗浄液乾燥時に発生するパターンの倒れや崩壊等を抑制し、効率よく洗浄液を除去できる洗浄乾燥方法を提供する。【解決手段】パターンが形成された半導体基板1を洗浄液3で洗浄し、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含有する樹脂及び溶剤を含む組成物溶液を用いて半導体基板1上に残留した洗浄液3を置換した後、溶剤を樹脂の分解温度未満の温度で加熱除去し、半導体基板1を0℃以上前記分解温度未満に保ちながら、前記分解温度以上のガスを吹き付け、樹脂をガスに接触する表面8側から分解除去する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018508619A ガソリンエンジンの燃料送出システム、空気取り入れシステムおよび燃焼室を清浄化させるための組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2018508619A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017539603
申请日：2016-01-15
申请人：ザルブリゾルコーポレイション , THE LUBRIZOL CORPORATION
发明人：バートリー, スチュアートエル. , ウェインバーグ, トーマスアール. , ニコルス, マイケルディー. , パーカー, ギャレット
IPC分类号： C11D7/32 , C10L1/14 , C10L1/185 , C10L1/223 , C10L10/06 , C11D1/44 , C11D1/72 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/24 , C11D7/26 , C11D7/50
CPC分类号： C11D11/0041 , B08B9/00 , C11D1/44 , C11D1/72 , C11D3/3707 , C11D3/3723 , C11D3/43 , C11D7/247 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D7/5027 , F02B77/04
摘要：燃料送出システム、空気取り入れシステム、取り入れ弁および燃焼室を清浄化させるのに適している清浄化組成物は、少なくとも3wt%のポリエーテル成分、少なくとも5wt%の極性溶媒および少なくとも5wt%の非極性溶媒を含む。ポリエーテル成分は、ポリエーテル、ポリエーテルアミンおよびそれらの混合物から選択される。例示的実施形態は、清浄化組成物、および組成物で清浄化する方法に関する。組成物および方法は、特に、内燃エンジンの燃料送出システム、空気取り入れシステムおよび燃焼室における炭素質堆積物を除去するのに効果的である。

3. 发明专利

JP2017520661A Ｎ−ホルミルモルホリン又はＮ−アセチルモルホリン中におけるポリフッ化ビニリデン溶液审中-公开
公开(公告)号：JP2017520661A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016575213
申请日：2015-06-12
申请人：ビーエーエスエフソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフソシエタス・ヨーロピアBasf Se
发明人：カールウルリヒ , カールウルリヒ , エアククリストフ , エアククリストフ , ドアンブッシュミヒャエル , ドアンブッシュミヒャエル , 秀彦水野 , 秀彦水野
IPC分类号： C08L27/12 , C08K5/06 , C08K5/109 , C08K5/357 , D01F6/08
CPC分类号： C08L27/16 , C08J3/095 , C08J3/096 , C08J2327/16 , C08L2201/56 , C09D7/001 , C09D7/20 , C09D9/005 , C09D127/16 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , H01M4/0402 , H01M4/13 , H01M4/623 , H01M10/0525
摘要： N−ホルミルモルホリン(NFM)、N−アセチルモルホリン(NAM)、又はそれらの混合物と、さらにアルキレンカーボネート、モノアルキレングリコールジアルキルエーテル、ジアルキレングリコールジアルキルエーテル、若しくはポリアルキレングリコールジアルキルエーテル、又はそれらの混合物から選択される共溶媒とを含有する溶媒中における、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)又は1,1−ジフルオロエチレンコポリマーの溶液。

5. 发明专利

JPWO2015166826A1 半導体素子の洗浄液及び洗浄方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015166826A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016516318
申请日：2015-04-20
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：俊行尾家 , 俊行尾家 , 憲司島田 , 憲司島田
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/12 , C11D7/32 , C11D7/38 , C11D7/50 , C11D17/08 , H01L21/308
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B3/08 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/105 , C11D7/12 , C11D7/3209 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/3065 , H01L21/3085
摘要：本発明によれば、低誘電率膜と、コバルト、コバルト合金及びタングステンプラグの少なくとも1種とを有する基板上に、ハードマスクパターンを形成し、次いでこのハードマスクパターンをマスクとして、ハードマスク、低誘電率膜及びバリア絶縁膜にドライエッチング処理を施した半導体素子に、アルカリ金属化合物0.001〜20質量%、4級アンモニウム水酸化物0.1〜30質量%、水溶性有機溶媒0.01〜60質量%、過酸化水素0.0001〜0.1質量%および水を含む洗浄液を用いて、ドライエッチング残渣を除去することを特徴とする半導体素子の洗浄方法を提供することができる。

6. 发明专利

JPWO2015060379A1 リサイクル可能な工業用共沸洗浄剤、物品の洗浄方法、工業用共沸洗浄剤の再生方法、当該再生方法により再生された工業用共沸洗浄剤、並びに洗浄再生装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015060379A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015543902
申请日：2014-10-23
申请人：荒川化学工業株式会社
发明人：洋介井内 , 洋介井内 , 田中　俊 , 俊田中
IPC分类号： C11D7/50 , B08B3/08 , C11D7/26 , C11D7/32 , C23G1/36
CPC分类号： H05K3/26 , B08B3/022 , C11D7/263 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0041 , H05K3/0085 , H05K2203/075 , H05K2203/0783
摘要：本発明の課題は、物品に付着した各種の工業汚れ、例えばソルダペーストやフラックス残渣、各種オイル等の除去力に優れ、かつ引火点を持たず、しかも常圧下でリサイクル(蒸留再生)可能な、グリコール系の工業用洗浄剤を提供することである。本発明は、一般式(1):R1−O−[−CH2−CH(X)−O]n−R2(式(1)中、R1及びR2はいずれも炭素数1〜3のアルキル基を、nは2又は3を、Xは水素又はメチル基を示す。)で表される化合物からなる、常圧下の沸点が160〜230℃のグリコール系溶剤(A)と、水(B)と、必要に応じて常圧下における沸点が160〜230℃の3級アミン(C)とを含む共沸混合物であって、(A)成分、(B)成分及び(C)成分の比率が順に5〜35wt%、65〜95wt%及び0〜30wt%であり、かつ、常圧下の共沸点が90〜100℃であるものを含有することを特徴とする、リサイクル可能な工業用共沸洗浄剤に関する。

7. 发明专利

JP2017504190A 表面上の残渣を除去するための洗浄用製剤有权
标题翻译：清洁制剂在表面上除去残余物
公开(公告)号：JP2017504190A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016536210
申请日：2014-12-03
申请人：フジフイルムエレクトロニックマテリアルズユー.エス.エー., インコーポレイテッド , フジフイルムエレクトロニックマテリアルズユー.エス.エー., インコーポレイテッド
发明人：高橋智威 , ビンドゥ、 , ビンドゥ、 , ウィリアムエー．ウォジャック、 , ウィリアムエー．ウォジャック、 , トーマスドリー、 , トーマスドリー、 , エミルエー．ニア、 , エミルエー．ニア、
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/22 , C11D7/32 , C11D7/50
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02071 , H01L21/0273 , H01L21/31133
摘要：【課題】洗浄用組成物、並びに半導体基板を洗浄するための前記組成物の使用法の提供。【解決手段】1)少なくとも1つの酸化還元剤、2)ポリアミノポリカルボン酸である少なくとも1つの第1のキレート剤、3)前記第1のキレート剤と異なり、少なくとも2つの窒素含有基を含む少なくとも1つの第2のキレート剤、4)置換または非置換ベンゾトリアゾールである少なくとも1つの金属腐食抑制剤、5)水溶性アルコール、水溶性ケトン、水溶性エステル、および水溶性エーテルからなる群より選択される少なくとも1つの有機溶媒、6)水、および7)所望により、金属イオンを含まない塩基である少なくとも1つのpH調整剤を含む洗浄用組成物、並びに半導体基板を洗浄するための前記組成物の使用法。【選択図】なし。
摘要翻译：的清洗组合物，并提供了使用该组合物用于清洁半导体衬底。 A 1）至少一种氧化还原剂，2）至少一种第一螯合剂是聚氨基聚羧酸，3）不同于所述第一螯合剂，至少含有至少两个含氮基团一个第二螯合剂，4）至少一种金属腐蚀抑制剂是取代或未取代的苯并三唑，5）水溶性醇，水溶性酮类，选自水溶性酯和水溶性醚组成的组中，至少一种有机溶剂中，6）水，和7）任选地，其包含至少一种pH值调节剂的清洁组合物是不含金属离子的碱，以及用于清洗半导体衬底的组合物用法。装置技术领域。

8. 发明专利

JP6056345B2 洗浄剤組成物及びそれを用いた洗浄方法有权
标题翻译：洗涤剂组合物和清洁方法，使用相同的
公开(公告)号：JP6056345B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2012222849
申请日：2012-10-05
申请人：東ソー株式会社
发明人：氏田浩二 , 石丸研二 , 岩部一宏 , 岸重美
IPC分类号： C11D7/50 , B08B3/08 , C23G5/032 , C11D7/26
CPC分类号： C11D7/5022 , C11D11/0023 , C11D7/263

9. 发明专利

JP6033314B2 銅/アゾールポリマー阻害剤を含むマイクロ電子基板洗浄組成物有权
标题翻译：微电子基底清洁组合物，包括铜/唑聚合抑制剂
公开(公告)号：JP6033314B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2014534771
申请日：2012-10-05
申请人：アバンター・パフォーマンス・マテリアルズ・インコーポレイテッド
发明人：シューチエン−ピンシャーマン
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/26 , C11D7/22 , C11D7/34 , C11D7/32 , C11D3/20 , C11D3/34 , C11D3/32 , H01L21/304
CPC分类号： G03F7/425 , C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5022 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , C11D7/263

10. 发明专利

JP2016090753A リソグラフィー用洗浄液、及び基板の洗浄方法有权
标题翻译：清洗流体用于基板的清扫和清洁方法
公开(公告)号：JP2016090753A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014223711
申请日：2014-10-31
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：熊谷智弥 , 上野直久 , 菅原まい
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/027 , C11D7/32 , C11D3/30 , C11D3/26 , G03F7/42
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C23F11/10 , C23G1/16
摘要：【課題】エッチング処理後に残存する残渣物の除去性能に優れるだけでなく、コバルト及びその合金からなる群より選択される少なくとも1種の金属に対する腐食抑制機能に優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、ヒドロキシルアミンと、ヒドロキシルアミン以外のアミン化合物及び第4級アンモニウム水酸化物からなる群より選択される少なくとも1種の塩基性化合物と、水とを含有し、pHが8以上である。上記洗浄液は、コバルト及びその合金からなる群より選択される少なくとも1種の金属を含む基板の洗浄に用いられることが好ましい。また、上記洗浄液は、ヒドロキシルアミンの含有量が6質量%以上であり、及び/又は、pHが11以上であることが好ましい。あるいは、上記洗浄液は、更に有機酸を含有することが好ましい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于光刻的清洁液，不仅在蚀刻处理后残留的残留物的去除性能优异，而且对从由钴和合金组成的组中选择的至少一种金属具有优异的防腐蚀性能以及通过使用光刻用清洁液的基板的清洗方法。解决方案：用于光刻的清洗液含有羟胺，至少一种碱性化合物，其选自除羟基胺以外的胺化合物和季铵氢氧化物和水，pH为8以上。洗涤液优选用于清洗含有选自钴及其合金中的至少一种金属的基材。洗涤液的含量优选为6质量％以上，pH为11以上。或者清洁液优选含有更多的有机酸。选择图：图1

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