会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 7. 发明专利
    • 窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法
    • 氮化物半导体外延晶片及其制造方法
    • JP2016204201A
    • 2016-12-08
    • JP2015087796
    • 2015-04-22
    • シャープ株式会社
    • 藤重 陽介遠崎 学岡崎 舞木下 多賀雄小河 淳本田 大輔
    • C30B29/38
    • 【課題】反りを低減し、得られる窒化物半導体デバイスの特性改善を可能にする。 【解決手段】窒化物半導体エピタキシャルウェハは、エピタキシャル成長用基板(1)と、上記エピタキシャル成長用基板(1)上に、エピタキシャル結晶成長された窒化物半導体層(3〜12)とを備え、上記エピタキシャル成長用基板(1)は半径Rの略円を成しており、エピタキシャル成長用基板(1)の中心から半径(1/5)Rの円までの円形エリアにおけるGaN(10-12)のX線ロッキングカーブ半値全幅と、半径(4/5)Rの円から半径(R−5mm)の円までのトーラスエリアにおけるGaN(10-12)のX線ロッキングカーブ半値全幅との差分値が、100arcsec以上且つ200arcsec未満である。 【選択図】図1
    • 甲减少翘曲,使得到的氮化物半导体器件的特性的提高。 一种氮化物半导体外延晶片,外延生长基片(1),所述外延生长衬底(1)上,设置有外延结晶生长的氮化物半导体层(3至12),用于外延生长 衬底(1)具有大致半径R,在GaN的(10-12)X射线摇摆曲线的在一个圆形区域从外延生长衬底(1)到具有半径的圆(1/5)R的中心圆 和半峰全宽,所述X射线之间的差分值在半径的半值在环面面积从R的圆的圆的半径(R-5 mm)为,更100个弧秒200Arcsec起伏曲线全宽度(4/5)的GaN(10-12) 这是不到。 点域1
    • 8. 发明专利
    • 化合物半導体薄膜成長装置
    • 化合物半导体薄膜生长装置
    • JP2015095599A
    • 2015-05-18
    • JP2013235257
    • 2013-11-13
    • シャープ株式会社
    • 遠崎 学岡崎 舞伊藤 伸之
    • C23C16/458H01L21/683H01L21/205
    • 【課題】基板表面を流れる原料ガスの流量を均一にし、化合物半導体薄膜の結晶成長の均一性の低下を防止する。 【解決手段】反応容器と、上記反応容器の反応室内に回転可能に設置されて、複数の化合物半導体基板(14)を支持する支持体と、上記支持体上に、上記支持体の回転中心を中心とする円周上に配置されると共に、上記化合物半導体基板(14)を保持する複数の基板保持体(12)とを備え、上記基板保持体(12)は、上記化合物半導体基板(14)を着脱自在に保持する凹部(13)と、上記凹部(13)の底面(13a)に上記基板保持体12と同一素材で形成されると共に、側部に下方に向かって広がる傾斜部を有して、上記化合物半導体基板(14)を支持するリム(20)とを含んでいる。 【選択図】図4
    • 要解决的问题:通过使衬底的表面上流动的材料气体的流量均匀地防止化合物半导体膜的晶体生长的均匀性的劣化。解决方案:化合物半导体薄膜生长装置,包括: 反应容器 支撑介质,其以可旋转的方式安装在反应容器的反应室中以支撑多个化合物半导体衬底(14); 以及多个基板保持介质(12),布置在所述支撑介质上并且以围绕所述支撑介质的旋转中心为中心的圆圈,用于保持所述化合物半导体基板(14)。 每个基板保持介质(12)包括用于以可拆卸的方式保持化合物半导体基板(14)的凹槽(13)和用于支撑化合物半导体基板(14)的边缘(20),每个半导体基板形成在底面 通过与基板保持介质(12)相同的材料,凹部(13)的13a)13a具有在侧部向下扩展的倾斜部分。