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2. 发明专利

JP2013219365A Silicon carbide dimpled substrate 审中-公开
标题翻译：硅碳化硅基板
公开(公告)号：JP2013219365A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2013098691
申请日：2013-05-08
申请人： Cree Inc , クリーインコーポレイテッドCree Inc.
发明人： HARRIS CHRISTOPHER , CEM BASCERI , GOERKE THOMAS , CENGIZ BALKAS
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/768 , H01L29/161 , H01L29/201 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L21/0475 , H01L23/367 , H01L23/3738 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/10158 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dimpled substrate including a substrate of high thermal conductivity having a first main surface and a second main surface opposite the first main surface, and a method of manufacturing the dimpled substrate.SOLUTION: Active epitaxial layers 16 are formed on the first main surface 12 of the substrate 10. Dimples 22 are formed to extend from the second main surface 14 into the substrate toward the first main surface. An electrical contact 24 of low resistance material is formed on the second main surface and within the dimples. A back contact of low resistance and low loss is thus formed while maintaining the substrate as an effective heat sink.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的具有高导热性的基板的凹坑基板，以及制造该凹凸基板的方法。解决方案：形成有源外延层16 在基板10的第一主表面12上形成凹部22，从第二主表面14延伸到基板朝向第一主表面。低电阻材料的电触点24形成在第二主表面和凹坑内。因此，在保持基板作为有效散热器的同时形成低电阻和低损耗的背接触。

4. 发明专利

JP2009523324A Silicon carbide dimple board 有权
公开(公告)号：JP2009523324A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：JP2008550366
申请日：2007-01-10
申请人：クリー・インコーポレーテッド
发明人：クリストファー・ハリス , ジェム・バスジェリ , センギス・バルカス , トーマス・ゲールケ
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L21/0475 , H01L23/367 , H01L23/3738 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/10158 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要：第１主表面と、第１主表面に対向した第２主表面とを有する、高熱伝導性の基板を含むディンプル基板およびその製造方法。活性エピタキシャル層が、基板の第１主表面の上に形成される。ディンプルが、第２主表面から基板中を第１主表面に向かって延びるように形成される。低抵抗材料からなる電気コンタクトが、第２主表面の上とディンプルの中に形成される。低抵抗で低損失のバックコンタクトがこのように、基板を効果的なヒートシンクとして維持しながら形成される。

5. 发明专利

JPS5975650A Heat sink for semiconductor device 失效
标题翻译：用于半导体器件的散热器
公开(公告)号：JPS5975650A
公开(公告)日：1984-04-28
申请号：JP18560482
申请日：1982-10-22
申请人： Nec Corp
发明人： SUZUKI KATSUMI
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3738 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE:To improve the radiation efficiency of the semiconductor device, and to mount even an ultra-high density integrated circuit easily by forming a square pole-shaped projection to one side surface of an Si or Ge single crystalline substrate and fixing a surface on the reverse side onto the back of a semiconductor substrate. CONSTITUTION:Silicon nitride films 12 are deposited on both surfaces of the silicon single crystalline substrate 11 through a CVD method, a latticed resist-pattern 13 at desired intervals is formed on either one surface of the films 12 by using optical exposure technique, etc., and another surface is coated with a resist 14. The silicon nitride film 12 is etched and removed through plasma-etching using a gas such as, CF4 gas, etc. while using the resists 13, 14 as protective films to form a desired silicon nitride film pattern 12', and the resists 13, 14 are removed. The substrate 11 is etched and removed selectively up to desired depth in an anisotropic etching liquid while using the silicon nitride films 12, and 12' as protective films to form the heat sink 11'. When the heat sink 11' and the semiconductor substrate 18 are unified, heat generated in a circuit formed on the substrate 18 is discharged effectively into a coolant such as air from the projecting sections of the surface of the heat sink 11'.
摘要翻译：目的：为了提高半导体器件的辐射效率，并且通过在Si或Ge单晶衬底的一个侧表面上形成正方形的柱状突起并且将表面固定在反面到半导体衬底的背面。构成：通过CVD法将硅氮化物膜12沉积在硅单晶衬底11的两个表面上，通过使用光学曝光技术等，在膜12的任一个表面上以期望的间隔形成网格化抗蚀剂图案13。，另一面用抗蚀剂14涂覆。使用诸如CF 4气体等的气体，通过等离子体蚀刻来蚀刻和去除氮化硅膜12，同时使用抗蚀剂13,14作为保护膜以形成所需的硅氮化物膜图案12'和抗蚀剂13,14被去除。在使用氮化硅膜12和12'作为保护膜以形成散热器11'的同时，在各向异性蚀刻液中选择性地蚀刻和去除衬底11直至所需的深度。当散热器11'和半导体基板18一体化时，在基板18上形成的电路中产生的热量可从散热器11'的表面的突出部分有效地排出到诸如空气的冷却剂中。

6. 发明专利

JP6132768B2 放熱材料及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6132768B2
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：JP2013535652
申请日：2011-09-26
申请人：富士通株式会社
发明人：山口佳孝 , 岩井大介 , 乘松正明 , 崎田幸恵 , ▲廣▼瀬真一 , 八木下洋平
IPC分类号： H01L23/36 , C01B32/152 , C01B32/158 , C01B32/15 , C01B32/18 , C01B32/182 , H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3672 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L23/373 , H01L23/3732 , H01L23/3738 , H01L23/433 , H05K7/2039 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851

7. 发明专利

JP5975449B2 シリコンを使用するチップレベル熱放散有权
标题翻译：使用硅芯片级的散热
公开(公告)号：JP5975449B2
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2015088186
申请日：2015-04-23
申请人：オプティツインコーポレイテッド
发明人：ヴァーゲオガネシアン
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/4871 , H01L23/3672 , H01L23/3677 , H01L23/3738 , H01L2924/0002

9. 发明专利

JP2011011922A Carbon/silicon carbide system composite material 审中-公开
标题翻译：碳/碳化硅系复合材料
公开(公告)号：JP2011011922A
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：JP2009154761
申请日：2009-06-30
申请人： Hitachi Chem Co Ltd , 日立化成工業株式会社
发明人： HIDAKA KISHIFU , BABA KAZUYA , EBIHARA MAKOTO
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/573
CPC分类号： C04B35/806 , C04B35/573 , C04B35/62863 , C04B35/62873 , C04B41/009 , C04B41/5033 , C04B41/87 , C04B2111/00362 , C04B2111/00844 , C04B2235/3843 , C04B2235/40 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/408 , C04B2235/428 , C04B2235/5248 , C04B2235/526 , C04B2235/762 , C04B2235/78 , C04B2235/80 , F16D65/12 , F16D69/023 , F16D2065/1328 , F16D2200/0039 , F16D2200/0047 , F16D2200/0052 , H01L23/373 , H01L23/3738 , H01L2924/0002 , C04B35/565 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a heat-resistant carbon/silicon carbide system composite material having a high density without deteriorating the mechanical properties such as toughness of carbon fiber.SOLUTION: The carbon/silicon carbide system composite material includes a matrix containing a silicon carbide phase; a carbon fiber dispersed in the matrix; and a eutectic alloy phase containing silicon and an element for lowering a melting point of the silicon, wherein the carbon fiber is covered with a cover layer formed of a composite carbide of the silicon and the element.
摘要翻译：要解决的问题：生产具有高密度的耐热碳/碳化硅系复合材料，而不会降低诸如碳纤维的韧性的机械性能。解决方案：碳/碳化硅系复合材料包括含有硅的基体碳化物相; 分散在基质中的碳纤维; 以及含有硅和用于降低硅的熔点的元素的共晶合金相，其中碳纤维被由硅和元素的复合碳化物形成的覆盖层覆盖。

10. 发明专利

JP2006196885A Method and device for heat dissipation in semiconductor modules 有权
标题翻译：用于半导体模块中散热的方法和装置
公开(公告)号：JP2006196885A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：JP2005364561
申请日：2005-12-19
申请人： Internatl Business Mach Corp , インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation
发明人： POGGE H BERNHARD
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/40
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/3677 , H01L23/3738 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a structure for attaching a heat dissipation chip to a device chip so as to have a path of high thermal conductivity. SOLUTION: A structure and method are provided for dissipating heat from a semiconductor device chip. A first layer of a dielectric material (e.g. polyimide) is formed on a front side of a heat spreader (typically Si). A plurality of openings are formed through this first layer. The openings are filled with metal (typically Cu), thereby forming metal studs extending through the first layer. A second layer of metal is formed on the backside of the device chip. The first layer and the second layer are then bonded in a bonding process, thereby forming a bonding layer, where the metal studs contact the second layer. The bonding layer thus provides a thermal conductive path from the chip to the heat spreader. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于将散热芯片附接到器件芯片的器件和结构，以具有高导热性的路径。解决方案：提供了用于从半导体器件芯片散热的结构和方法。介电材料（例如聚酰亚胺）的第一层形成在散热器（通常为Si）的前侧。通过该第一层形成多个开口。开口用金属（通常为Cu）填充，从而形成延伸穿过第一层的金属螺柱。第二层金属形成在器件芯片的背面。然后在接合工艺中接合第一层和第二层，从而形成接合层，其中金属柱与第二层接触。因此，接合层提供从芯片到散热器的导热路径。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

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