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1. 发明专利

JP2017199701A 窒化物半導体積層構造及びそれを用いた電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2017199701A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2014184423
申请日：2014-09-10
申请人：シャープ株式会社
发明人：伊藤伸之 , 小河淳 , 田尻雅之 , 遠崎学
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/30 , C23C16/34 , H01L21/338
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
摘要：【課題】破壊耐圧の低減とリーク電流特性の増大とを防止できる窒化物半導体積層構造を提供すること。【解決手段】窒化物半導体エピタキシャルウェハ構造は、Si基板1上に、初期成長層2と、Al 0.7 Ga 0.3 N層3と、Al 0.4 Ga 0.6 N層4と、Al 0.1 Ga 0.9 N層5とを順次積層し、その後、第1の層としてのAlN層6a/第2の層としてのAl 0.4 Ga 0.6 N層6b/第3の層としてのAl 0.1 Ga 0.9 N層6cをこの順序で複数回繰り返し成長してなる多層膜バッファ層6と、GaNチャネル層7と、Al 0.2 Ga 0.8 N障壁層8とを順次積層してなる。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6174253B2 窒化物系化合物半導体有权
公开(公告)号：JP6174253B2
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：JP2016523378
申请日：2015-04-17
申请人：シャープ株式会社
发明人：伊藤伸之 , 遠崎学 , 小河淳
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/20 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L23/3677 , H01L23/3738 , H01L29/0657 , H01L29/1054 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/812

3. 发明专利

JP6588220B2 窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6588220B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2015087796
申请日：2015-04-22
申请人：シャープ株式会社
发明人：藤重陽介 , 遠崎学 , 岡崎舞 , 木下多賀雄 , 小河淳 , 本田大輔
IPC分类号： C30B29/38

4. 发明专利

JP6126906B2 窒化物半導体エピタキシャルウェハ有权
公开(公告)号：JP6126906B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2013102280
申请日：2013-05-14
申请人：シャープ株式会社
发明人：井上雄史 , 小河淳 , 寺口信明
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/205

5. 发明专利

JP5955226B2 窒化物半導体構造、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体トランジスタ素子、窒化物半導体構造の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法有权
标题翻译：氮化物半导体结构，所述氮化物半导体发光元件，所述氮化物半导体晶体管元件，制造方法的制造方法及氮化物半导体结构的氮化物半导体器件
公开(公告)号：JP5955226B2
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：JP2012550884
申请日：2011-12-21
申请人：シャープ株式会社
发明人：荒木正浩 , 吉田慎也 , 瀧口治久 , 小河淳 , 木下多賀雄 , 村田徹 , 舩木毅 , 布袋田暢行
IPC分类号： H01L33/34 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , H01L33/22
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L29/812

6. 发明专利

JP2018206786A 窒化物半導体、窒化物半導体の製造方法、および電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018206786A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2015217625
申请日：2015-11-05
申请人：シャープ株式会社
发明人：藤重陽介 , 小河淳 , 遠崎学 , 岡崎舞 , 木下多賀雄 , 本田大輔
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/205 , H01L21/338
摘要：【課題】ヘテロ接合を含む窒化物半導体であって、2次元電子ガス(2DEG)の濃度および移動度を高めものを提供する。【解決手段】基板101上に、少なくともバッファ層105、106と、GaNからなるチャネル層108と、チャネル層108とヘテロ接合をなす障壁層109とがこの順に積層された積層構造を備える。障壁層109は、Al (α) In (β) Ga (1−α−β) As (γ) P (δ) N (1−γ−δ) (ただし、0≦α≦1、0≦β≦1、α+β≦1、0≦γ 【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017216257A 窒化物半導体およびそれを用いた電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2017216257A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2014210053
申请日：2014-10-14
申请人：シャープ株式会社
发明人：小河淳 , 遠崎学 , 藤重陽介 , 岡崎舞 , 田尻雅之 , 伊藤伸之
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要：【課題】反りと欠陥とを抑制可能な窒化物半導体を提供する。【解決手段】窒化物半導体は、Si基板(1)と、上記Si基板(1)上に形成されると共に、窒化物半導体で成るバッファ層(6,7),チャネル層(8)および電子供給層(9)がこの順序で積層された窒化物半導体積層構造とを備え、上記Si基板(1) には、少なくともボロンまたはゲルマニウムが含有されており、上記Si基板(1)の比抵抗値は、10.1mΩ・cm以上且つ21.0mΩ・cm以下である。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6089122B2 窒化物半導体積層体およびその製造方法並びに窒化物半導体装置有权
标题翻译：氮化物半导体叠层及其制造方法相同的方法，和一个氮化物半导体器件
公开(公告)号：JP6089122B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2015559839
申请日：2015-01-06
申请人：シャープ株式会社
发明人：小河淳 , 遠崎学 , 藤重陽介 , 伊藤伸之 , 岡崎舞 , 井上雄史 , 田尻雅之 , 寺口信明
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/7786 , C30B29/38 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462

9. 发明专利

JP6064051B2 窒化物半導体有权
标题翻译：氮化物半导体
公开(公告)号：JP6064051B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2015546317
申请日：2014-09-01
申请人：シャープ株式会社
发明人：井上雄史 , 小河淳 , 伊藤伸之 , 寺口信明
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/1029 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462

10. 发明专利

JP2016204201A 窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体外延晶片及其制造方法
公开(公告)号：JP2016204201A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015087796
申请日：2015-04-22
申请人：シャープ株式会社
发明人：藤重陽介 , 遠崎学 , 岡崎舞 , 木下多賀雄 , 小河淳 , 本田大輔
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】反りを低減し、得られる窒化物半導体デバイスの特性改善を可能にする。【解決手段】窒化物半導体エピタキシャルウェハは、エピタキシャル成長用基板(1)と、上記エピタキシャル成長用基板(1)上に、エピタキシャル結晶成長された窒化物半導体層(3〜12)とを備え、上記エピタキシャル成長用基板(1)は半径Rの略円を成しており、エピタキシャル成長用基板(1)の中心から半径(1/5)Rの円までの円形エリアにおけるGaN(10-12)のX線ロッキングカーブ半値全幅と、半径(4/5)Rの円から半径(R−5mm)の円までのトーラスエリアにおけるGaN(10-12)のX線ロッキングカーブ半値全幅との差分値が、100arcsec以上且つ200arcsec未満である。【選択図】図1
摘要翻译：甲减少翘曲，使得到的氮化物半导体器件的特性的提高。一种氮化物半导体外延晶片，外延生长基片（1），所述外延生长衬底（1）上，设置有外延结晶生长的氮化物半导体层（3至12），用于外延生长衬底（1）具有大致半径R，在GaN的（10-12）X射线摇摆曲线的在一个圆形区域从外延生长衬底（1）到具有半径的圆（1/5）R的中心圆和半峰全宽，所述X射线之间的差分值在半径的半值在环面面积从R的圆的圆的半径（R-5 mm）为，更100个弧秒200Arcsec起伏曲线全宽度（4/5）的GaN（10-12）这是不到。点域1

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