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1. 发明专利

JP2020092222A 薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020092222A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2018229754
申请日：2018-12-07
申请人： NISSIN ELECTRIC CO LTD
发明人： MATSUO DAISUKE , ANDO YASUNORI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要：【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを生産性良く製造する。【解決手段】基板2上に、ゲート電極3と、ゲート絶縁層4と、酸化物半導体層5と、ソース電極6及びドレイン電極7とがこの順に配置された薄膜トランジスタ1であって、酸化物半導体層は、互いに同一の構成元素を含む酸化物半導体膜から成る第1半導体層5aと第2半導体層5bとを基板側から順に備えている。第2半導体層を構成する酸化物半導体膜の結晶性は、第1半導体層を構成する前記酸化物半導体膜の結晶性よりも高い。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2020010495A 盤筐体及び換気装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020010495A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2018129316
申请日：2018-07-06
申请人： NISSIN ELECTRIC CO LTD
发明人： KONDO MAKOTO
IPC分类号： H02B1/56 , F24F7/06 , H05K7/20
摘要：【課題】内部の温度上昇を抑制可能とすること。【解決手段】盤筐体の正面扉体11には換気装置21が取り付けられている。換気装置21は、枠状の換気ボックス60を介して正面扉体11に取着される外側ルーバー部材30、粉塵除去フィルタ40、内側ルーバー部材50を備えている。また、換気装置21は、正面扉体11の内側面に取着される耐塩フィルタ70を備えている。【選択図】図4

3. 发明专利

JP2015041575A プラズマ処理装置有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：JP2015041575A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：JP2013173160
申请日：2013-08-23
申请人：日新電機株式会社 , Nissin Electric Co Ltd
发明人： ANDO YASUNORI , IRISAWA KAZUHIKO
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/31
摘要：【課題】アンテナと基板間の距離を敢えて大きくしなくても、アンテナを構成する高周波電極の開口部の配置に対応したプラズマの濃淡を基板付近において緩和して、アンテナの長手方向における基板処理の均一性を高めることができるようにする。【解決手段】アンテナ28は、高周波電極30を誘電体ケース40内に収納した構造をしている。高周波電極30は、2枚の電極導体31、32を両者で全体として矩形板状を成すように互いに隙間をあけて近接させて平行に配置し、かつ両電極導体31、32の長手方向の一方端同士を導体で接続した往復導体構造をしていて、両電極導体31、32に高周波電流が互いに逆向きに流される。かつ両電極導体31、32の隙間側の辺に開口部37を形成し、それを複数、高周波電極30の長手方向に分散させて配置している。このアンテナ28を真空容器4内に、高周波電極30の主面と基板2の表面とが互いに実質的に垂直になる向きで配置している。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了减轻与构成天线的高频电极的开口排列相对应的等离子体在基板附近的浓度差，而不增加天线与基板之间的距离，并且增强基板处理在天线的纵向上的均匀性。解决方案：天线28具有高频电极30容纳在电介质壳体40中的结构。高频电极30具有这样的往复导体结构，即两个电极导体31和32以一定间隔彼此紧密地平行布置，使得两个电极导体整体构成矩形板状，并且在两个电极导体31和32的纵向方向上的一个端部通过导体。对于两个电极导体31,32，高频电流沿彼此相反的方向施加。多个开口37形成在两个电极导体31和32的间隙侧的一侧，并且被布置成在高频电极30的纵向方向上分散。该天线28布置在真空中容器4的方向使得高频电极30的主表面和基板2的表面基本上彼此垂直。

4. 发明专利

JP2015033311A 分散電源装置有权
标题翻译：分布式电源
公开(公告)号：JP2015033311A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013163962
申请日：2013-08-07
申请人：日新電機株式会社 , Nissin Electric Co Ltd
发明人： NISHIMURA SHOJI
IPC分类号： H02J3/16 , H02J3/38
CPC分类号： Y02E40/34
摘要：【課題】電力系統の電圧低下が発生した場合に、その原因である電力線短絡位置を検出することができ、また、検出した電力線短絡位置に応じてLVRT機能又はDVS機能を動作させるか否かを選択することができる分散電源装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る分散電源装置100は、電力系統に連系する分散電源装置であって、分散電源部10と、電力系統の電圧低下を回復支援する系統電圧回復支援部20と、電力系統のインピーダンスを監視する系統監視部30とを備え、系統監視部30は、電力系統のインピーダンスが第1インピーダンス閾値よりも大きい場合には、系統電圧回復支援部20を動作させ、電力系統のインピーダンスが第1インピーダンス閾値以下である場合には、系統電圧回復支援部20を動作させないことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种分布式电源，其中可以在发生电力系统的电力线短路位置时检测电力系统的电压降，并且可以选择是否操作LVRT功能或 DVS功能根据检测到的电源线短路位置进行操作。解决方案：与电力系统连接的分布式电源100包括分布式电源部分10，用于支持电压恢复的系统电压恢复支持部分20 电力系统的阻抗，以及用于监视电力系统的阻抗的系统监视部30。如果电力系统的阻抗大于第一阻抗阈值，则系统监视部分30操作系统电压恢复支持部分20，否则不操作系统电压恢复支持部分20。

5. 发明专利

JP2015024937A グラファイト膜の製造方法およびグラファイト構造体审中-公开
标题翻译：生产石墨膜和石墨结构的方法
公开(公告)号：JP2015024937A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013155759
申请日：2013-07-26
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd , 日新電機株式会社 , Nissin Electric Co Ltd , 国立大学法人筑波大学 , Univ Of Tsukuba , 国立大学法人筑波大学
发明人： HIKATA TAKESHI , OKUBO SOICHIRO , UTSUNOMIYA RISA , AZUMA YUGO , FUJITA JUNICHI , MURAKAMI KATSUHISA
IPC分类号： C01B31/04
摘要：【課題】小規模な製造設備でグラファイト膜を簡易かつ効率良く製造することができるグラファイト膜の製造方法およびグラファイト構造体を提供する。【解決手段】この発明に従ったグラファイト膜の製造方法は、ベース体10の表面にガリウム体20を配置する工程と、ベース体10に炭素を含有する原料ガスを供給するとともに、ベース体10を加熱することにより、ガリウム体20が加熱されて得られた液体ガリウムとベース体10との界面にグラファイト膜を成長させる工程とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种石墨膜的制造方法，其可以使小型生产设备和石墨结构简单有效地生产石墨膜。解决方案：一种制造石墨膜的方法包括：在基体10的表面上形成镓体20，同时向基体10供给含有碳的原料气体的同时对基体10进行加热，得到通过加热镓体20形成的液态镓，在液体镓和基体10之间的边界处的石墨膜。

6. 发明专利

JP2015015172A 真空バルブの真空度監視方法及び真空バルブの真空度監視装置有权
标题翻译：用于监测真空阀真空度的方法和装置
公开(公告)号：JP2015015172A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013141661
申请日：2013-07-05
申请人：日新電機株式会社 , Nissin Electric Co Ltd
发明人： OKADA NAOKI , OKI HIDETO
IPC分类号： H01H33/668
摘要：【課題】真空度の劣化状態の段階的判断が可能な真空バルブの真空度監視方法(監視装置)を提供する。【解決手段】真空バルブの内部放電に伴って生じる電磁波の周波数分析を行い、その周波数分布様相を加味(領域X1,X2に大別)することで、パッシェン曲線に基づく判定線上で真空バルブに対する印加電圧にて2つの真空度の推定値を取り得る場合の一方側が選択可能となる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于监测能够逐步确定真空度劣化状态的真空阀（监视装置）的真空度的方法。解决方案：公开了一种用于监测真空阀的真空度的方法其中，通过对由于阀的内部放电而产生的电磁波进行频率分析，并将其频率分布方面（大体上分为区域X1，X2）进行频率分析，当通过电压获得真空度的两个估计值时的一侧施加到Paschen曲线上的确定线上的真空阀成为可能。

7. 发明专利

JP2014183728A Charging part monitoring device 审中-公开
标题翻译：充电部件监控装置
公开(公告)号：JP2014183728A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：JP2013058818
申请日：2013-03-21
申请人： Nissin Electric Co Ltd , 日新電機株式会社
发明人： OKUDA HIROSHI , OKI HIDETO
IPC分类号： H02J17/00 , H01M10/48 , H02J7/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charging part monitoring device which achieves a rational structure of a sensor slave unit including a power supply part that generates an operation power supply for itself, thereby contributing to a reduction in the number of components of the device.SOLUTION: A sensor slave unit 11 includes a power supply part (electrode part 31) of electrostatic capacity partial pressure type that obtains a power supply by the action of an electric field generated in a charging part of a high pressure bus line. An attachment notch 12a for attaching the sensor slave unit 11 to the charging part is integrally configured with respect to a base plate 12 that uses the base plate 12 as a first electrode and a conductor layer 15a of a printed circuit board 15 as a second electrode. The attachment notch 12a is also used as an attachment part.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种充电部监视装置，其实现包括产生其自身的操作电源的电源部的传感器从单元的合理结构，从而有助于减少装置的部件数量。解决方案：传感器从单元11包括静电电容分压型的电源部分（电极部分31），其通过在高压母线的充电部分中产生的电场的作用获得电源。用于将传感器从单元11附接到充电部的附接凹口12a相对于使用基板12作为第一电极的基板12和印刷电路板15的导体层15a作为第二电极而一体地构成。附件凹口12a也用作附件。

8. 发明专利

JP2014176780A Adsorbent, production method of the same, and recovery method of noble metal 审中-公开
标题翻译：吸附剂，其生产方法，以及贵金属的回收方法
公开(公告)号：JP2014176780A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2013050633
申请日：2013-03-13
申请人： Nissin Electric Co Ltd , 日新電機株式会社 , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学
发明人： OKUMURA YASUYUKI , BABA YOSHINARI
IPC分类号： B01J20/26 , B01D15/00 , B01J20/30 , B01J20/34 , C02F1/28 , C08F2/44 , C08F251/02 , C08F291/00 , C08J7/18 , C22B3/24 , C22B7/00 , C22B11/00
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adsorbent which exhibits noble metal-adsorption capacity, a production method of the same, and a recovery method of a noble metal.SOLUTION: An adsorbent has a graft chain introduced into a base material and a functional group to adsorb a noble metal, and is used for recovering the noble metal. The functional group is included in a side chain of the graft chain and is represented by general formula (1). In formula (1), R is a hydrogen atom or NH. A production method of the adsorbent includes a functional group introducing step to introduce the functional group represented by general formula (1) into a graft polymer obtained by a graft polymerization step to introduce the graft chain into the base material. A recovery method of the noble metal includes: an adsorption step to make the noble metal in a noble metal solution be adsorbed to an adsorbent; and a desorption step to desorb the noble metal from the adsorbent by bringing the adsorbent with the noble metal adsorbed thereto into contact with an eluant with pH higher than that of the noble metal solution.
摘要翻译：要解决的问题：提供显示贵金属吸附能力的吸附剂及其制备方法和贵金属的回收方法。溶液：吸附剂具有引入基材和官能团的接枝链以吸附贵金属，并用于回收贵金属。官能团包括在接枝链的侧链中，并由通式（1）表示。在式（1）中，R是氢原子或NH。吸附剂的制造方法包括将由通式（1）表示的官能团引入到通过接枝聚合步骤获得的接枝聚合物中以将接枝链引入基材的官能团引入步骤。贵金属的回收方法包括：使贵金属溶液中的贵金属吸附在吸附剂上的吸附工序; 以及通过使吸附有贵金属的吸附剂与比贵金属溶液的pH高的洗脱剂接触而将贵金属从吸附剂中解吸的解吸步骤。

9. 发明专利

JP2014175418A Thin film transistor and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2014175418A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013045952
申请日：2013-03-07
申请人： Chube Univ , 学校法人中部大学 , Hokkaido Univ , 国立大学法人北海道大学 , Osaka Univ , 国立大学法人大阪大学 , Nissin Electric Co Ltd , 日新電機株式会社
发明人： KAWAHARA TOSHIO , OKAMOTO KAZUMASA , MATSUMOTO KAZUHIKO , UTSUNOMIYA RISA , MATSUBA TERUAKI , MATSUMOTO HITOSHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/0665 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L51/0045 , H01L51/0558
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor which can reduce a driving voltage.SOLUTION: A thin film transistor 10 comprises a silicon substrate 1, a channel layer 2, a source electrode 3, a drain electrode 4, an insulation film 5 and a gate electrode 6. The channel layer 2, the source electrode 3 and the drain electrode 4 are linearly arranged on the raised portions of an uneven shape of the silicon substrate 1 along a lengthwise direction of the raised portions. The channel layer 2 is composed of a carbon nanowall thin film. The source electrode 3 and the drain electrode 4 are composed of metal carbon nanowall thin films. The insulation film 5 is composed of SiOand arranged in contact with a rear face of the silicon substrate 1. The gate electrode 6 is composed of a lamination structure of Ti/Au and arranged in contact with the insulation film 5.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以降低驱动电压的薄膜晶体管。解决方案：薄膜晶体管10包括硅衬底1，沟道层2，源电极3，漏电极4，绝缘膜5 沟道层2，源电极3和漏极电极4沿着凸起部分的长度方向线性地布置在硅衬底1的不平坦形状的凸起部分上。沟道层2由碳纳米壁薄膜构成。源电极3和漏电极4由金属碳纳米壁薄膜构成。绝缘膜5由SiO构成，与硅衬底1的背面接触。栅电极6由Ti / Au层压结构构成，与绝缘膜5相接触。

10. 发明专利

JP2014133912A Plasma device, and method for manufacturing carbon thin film using the same 审中-公开
标题翻译：等离子体装置以及使用其制造碳薄膜的方法
公开(公告)号：JP2014133912A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：JP2013001872
申请日：2013-01-09
申请人： Nissin Electric Co Ltd , 日新電機株式会社
发明人： KATO KENJI , SON WANG-QI , MIKAMI TAKASHI
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , H05H1/48
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma device using arc discharge capable of continuing spark-less discharge.SOLUTION: A plasma device 10 comprises a vacuum container 1, a cathode flange 5, a magnet 7, a negative electrode member 8, a trigger electrode 11, and a power source 14. The cathode flange 5 is fixed to a side wall of the vacuum container 1 opposite to a substrate 20. The negative electrode member 8 is made of laminate carbon or glassy carbon, and is mounted to the cathode flange 5. The power source 14 applies negative voltage to the cathode flange 5. The magnet 7 applies an axial magnetic field having a magnetic field component in a normal direction of the negative electrode member 8 larger than a magnetic field component in an in-plane direction of the negative electrode member 8 to the negative electrode member 8. While an axial magnetic field is applied to the negative electrode member 8 by the magnet 7, the trigger electrode 11 is brought into contact with the negative electrode member 8 and arc discharge is started, so as to form a carbon thin film on the substrate 20.
摘要翻译：要解决的问题：提供使用能够持续无火花放电的电弧放电的等离子体装置。解决方案：等离子体装置10包括真空容器1，阴极凸缘5，磁体7，负极部件8，触发器电极11和电源14.阴极凸缘5固定在真空容器1的与基板20相对的侧壁上。负电极部件8由碳或碳质碳组成，并被安装到阴极电源14向阴极凸缘5施加负电压。磁体7施加在负极部件8的法线方向上的磁场分量大于面内的磁场成分的轴向磁场负极部件8的方向连接到负极部件8.在通过磁体7对负极部件8施加轴向磁场的情况下，使触发电极11与负极部件8接触。电极部件8开始电弧放电，从而在基板20上形成碳薄膜。

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