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81. 发明专利

JP2015216318A 半導体光集積素子审中-公开
标题翻译：半导体光学集成元件
公开(公告)号：JP2015216318A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014099704
申请日：2014-05-13
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：八木英樹
IPC分类号： G02F1/025 , G02B6/12 , G02B6/122 , H01S5/026
CPC分类号： G02F1/2255 , G02F1/2257 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , G02F2001/212 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S5/1215 , H01S5/2275
摘要：【課題】波長可変レーザを光変調器と単一の基板上にモノリシックに集積するに際して、レーザダイオードの性能を提供するための構造、及び光変調器の性能を提供するための構造を共存させる構造を有する半導体光集積素子を提供する。【解決手段】レーザ導波路29、半導体導波路17、並びに第1アーム導波路37b及び第2アーム導波路37cが埋込領域39で埋め込まれるので、導波路の側面を保護できると共に電気印加に係るリーク電流を低減できる。第1アーム導波路及び第2アーム導波路を埋込領域で埋め込むことに加えて、第1アーム導波路及び第2アーム導波路にトレンチ構造(47a、47b、47c、47d)を埋込領域に設けている。これらのトレンチ溝は、塗布により形成される樹脂体の厚さを第1アーム導波路及び第2アーム導波路上において均一にすることに寄与する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有提供激光二极管的性能的结构的结构的半导体光学集成元件和用于提供光学调制器的功能的结构，当集成波长可变激光器和光学调制器时共存单片衬底上的单片。解决方案：由于激光波导29，半导体波导17以及第一臂波导37b和第二臂波导37c被嵌入式域39嵌入，因此可以保护波导的侧面，相关的电力可以减少。除了通过嵌入式域嵌入第一臂波导和第二臂波导之外，沟槽结构（47a，47b，47c，47d）设置在第一臂波导和第二臂波导的嵌入域中。这些沟槽有助于使第一臂波导和第二臂波导上的由涂层形成的树脂体的厚度均匀。

82. 发明专利

JP5783011B2 光半導体装置有权
公开(公告)号：JP5783011B2
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2011258462
申请日：2011-11-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：瀧口透
IPC分类号： H01S5/227 , G02B6/12 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/026 , G02B6/122 , H01S5/2275 , G02B2006/121 , G02B6/4202 , H01S5/1014 , H01S5/1017

83. 发明专利

JP5686347B2 双安定素子有权
标题翻译：双稳器件
公开(公告)号：JP5686347B2
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：JP2011550930
申请日：2011-01-19
申请人：国立大学法人九州大学
发明人：貴一 ▲浜▼本 , 貴一 ▲浜▼本
IPC分类号： G02F3/02 , G02B6/12
CPC分类号： G02F3/024 , G02F1/3523 , G02F2001/217 , H01S5/0601 , H01S5/0653 , H01S5/1007 , H01S5/22 , H01S5/2275

84. 发明专利

JP5673253B2 光半導体素子、半導体レーザ、および光半導体素子の製造方法有权
标题翻译：一种光学半导体器件，一种制造半导体激光器的方法，以及光半导体元件
公开(公告)号：JP5673253B2
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：JP2011058018
申请日：2011-03-16
申请人：富士通株式会社
发明人：早川　明憲 , 明憲早川
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01L21/02463 , B82Y20/00 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/0092 , H01S5/12 , H01S5/209 , H01S5/2275 , H01S5/3412

85. 发明专利

JP5499920B2 A method of manufacturing a semiconductor optical device 有权
公开(公告)号：JP5499920B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2010132258
申请日：2010-06-09
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：幸洋辻
IPC分类号： H01S5/12 , H01L21/3065
CPC分类号： H01S5/1231 , B82Y20/00 , H01S5/2205 , H01S5/2275 , H01S5/34306

86. 发明专利

JP5326806B2 A method for producing a semiconductor optical device 有权
公开(公告)号：JP5326806B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2009123337
申请日：2009-05-21
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：邦亮石原
IPC分类号： H01S5/12 , H01L21/027 , H01S5/02
CPC分类号： G02B5/1852 , B82Y20/00 , G02B2006/12107 , G02B2207/101 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/2222 , H01S5/2275 , H01S2304/04
摘要： A method for producing a semiconductor optical device, includes the steps of: forming a semiconductor region including a semiconductor layer on a substrate; preparing a mold including a pattern surface, the pattern surface including an arrangement of patterns each including first to n-th pattern portions; forming a first mask on the semiconductor region with the mold by a nano-imprint technique; forming first to n-th periodic structures in each of the device sections in the semiconductor region by using the first mask, the first to n-th periodic structures respectively corresponding to the first to n-th pattern portions; forming a second mask after the first mask is removed, the second mask including a first pattern on an i-th periodic structure (1≦̸i≦̸n) among the first to n-th periodic structures in a first section of the device sections and including a second pattern on a j-th periodic structure (1≦̸j≦̸n) among the first to n-th periodic structures in a second section of the device sections; and forming first and second stripe mesas in the first and second sections respectively by using the second mask.

87. 发明专利

JP5273516B2 Tunnel junction light-emitting element 有权
公开(公告)号：JP5273516B2
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：JP2007509215
申请日：2006-03-15
申请人：日本電気株式会社
发明人：尚文鈴木
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/0202 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18369 , H01S5/2063 , H01S5/2275 , H01S5/3095 , H01S5/423

88. 发明专利

JP5205866B2 Method of forming a mold, a method of forming a diffraction grating, and a distribution method for producing a feedback semiconductor laser 有权
$Method of forming a mold, a method of forming a diffraction grating, and a distribution method for producing a feedback semiconductor laser$
公开(公告)号：JP5205866B2
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：JP2007217512
申请日：2007-08-23
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：昌輝柳沢
IPC分类号： G02B5/18 , H01S5/12 , H01S5/227
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2059 , H01S5/1225 , H01S5/2275

89. 发明专利

JP2013519241A Light - electronic devices 有权
公开(公告)号：JP2013519241A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2012552467
申请日：2011-02-09
申请人：ザセンターフォーインテグレーテッドフォトニクスリミテッド
发明人：スクジバン・ドサンジ , イアン・リールマン , ゴードン・バーンズ , マイケル・ロバートソン
IPC分类号： H01S5/323 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/0607 , B82Y20/00 , H01L33/145 , H01S5/2206 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/2227 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434
摘要： The present invention provides a current blocking structure for electronic devices, preferably optoelectronic devices. The current blocking structure comprises a semiconductor material arrangement comprising an n-type ruthenium doped indium phosphide (Ru-InP) layer and a first p-type semiconductor material layer wherein the n-type Ru-InP layer is less than 0.6 mum thick. The semiconductor material arrangement and p-type semiconductor material layer form a current blocking p-n junction. The current blocking structure may further comprise other n-type layers and/or multiple n-type Ru-InP layers and/or intrinsic/undoped layers wherein the n-type Ru-InP layers may be thicker than 0.6 mum.

90. 发明专利

JP5186852B2 Semiconductor light-emitting element 有权
公开(公告)号：JP5186852B2
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：JP2007239800
申请日：2007-09-14
申请人：ソニー株式会社
发明人：祥男狩野 , 英治高瀬 , 誠大金 , 剛長竹 , 満鎌田 , 啓修成井 , 展賢岡野
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/227 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01S5/1064 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2223 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3432

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