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81. 发明专利

JP2016522576A 封止された内部容積を有する波長可変光子源审中-公开
标题翻译：具有密封的内部容积波长可调光子源
公开(公告)号：JP2016522576A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2016515662
申请日：2014-05-30
申请人：ダンマルクステクニスケウニベルシテット , ダンマルクステクニスケウニベルシテット
发明人：イーヴァン，クレイステン , アンスベック，トゥア
IPC分类号： H01S5/183 , G02B26/00
CPC分类号： H01S5/1096 , G01B9/02002 , H01S5/021 , H01S5/0614 , H01S5/1042 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18366 , H01S5/1838
摘要：波長可変光子源(200)を提供する方法であって、第1のミラー(106)を有する第1の素子(101)、第2のミラー(108)を有する第2の素子(102)、および光子放出体を有する第3の素子(103)を、封止された容積である内部容積(214)を取り囲む構造でともに接合することと、気密である接合界面(212)を形成することで、第1のミラー(106)が、内部容積(214)の内部で移動できるように、第1のミラー(106)が内部容積(214)に配置されるようにすることとを含む方法が提示される。この方法は、内部容積が封止された波長可変光子源を得る比較的単純な方法を提供する。本発明はさらに、対応する光子源、およびそのような光子源の使用に関する。
摘要翻译：一种用于提供可变波长的光子源（200），具有第一反射镜（106）（101），具有第二反射镜（108）（102）的第二元件的第一元件的方法，和具有第三元件的光子发射器（103），通过形成可与周围的内部体积（214）被密封体积，所述接合界面是气密的（212）的结构结合在一起，第一反射镜（106）是内部容积（214）内移动，所述方法包括将所述第一反射镜（106）被设置在内部体积（214）被呈现这一点。这种方法提供了一个相对简单的获得可调谐光子源内部容积密封的方法。本发明还提供了相应的光子源，以及使用这样的光子源。

82. 发明专利

JP2016076539A 面発光型半導体レーザ素子および面発光型半導体レーザ素子の製造方法有权
标题翻译：表面发射半导体激光元件和表面发射半导体激光元件制造方法
公开(公告)号：JP2016076539A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014204613
申请日：2014-10-03
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：城岸直輝 , 櫻井淳 , 村上朱実 , 近藤崇 , 武田一隆 , 早川純一朗
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18319 , H01S5/18322 , H01S5/18327 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/2027 , H01S5/34313 , H01S5/3432
摘要：【課題】定在波の分布のピークと活性層の中心とが一致している場合と比較して、より高い基本横モードの光出力が得られる面発光型半導体レーザ素子および面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】面発光型半導体レーザ素子(10a)において、基板と、基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜(16)、第1のスペーサ層(18a)、活性層(20)、第2のスペーサ層(22a)、および第1の半導体多層膜(16)とともに共振器を構成する第2導電型の第2の半導体多層膜(26)を含む半導体層と、を備え、共振器により形成される定在波の分布のピーク(PS)と活性層(20)の中心(PA)とが異なる位置関係にあるようにした。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表面发射半导体激光元件和表面发射半导体激光元件制造方法，当与驻波的分布峰值与活性层的中心。解决方案：表面发射半导体激光元件（10a）包括：基底; 以及包括形成在所述基板上的第一导电型第一半导体多层膜（16）的半导体层，第一间隔层（18a），有源层（20），第二间隔层（22a）和第二导电型第二半导体与第一半导体多层膜（16）一起形成谐振器的多层膜（26）。由谐振器形成的驻波的分布峰值（PS）和有源层（20）的中心（PA）之间的关系位于不同的位置。图3

83. 发明专利

JP5871458B2 垂直共振器型面発光レーザ、画像形成装置有权
标题翻译：垂直腔表面发射激光器，在图像形成装置
公开(公告)号：JP5871458B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2010246317
申请日：2010-11-02
申请人：キヤノン株式会社
发明人：松鵜利光 , 内田武志
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18358 , B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1221 , H01S5/18311 , H01S5/34326

84. 发明专利

JP2015233127A 面発光レーザ、レーザアレイ、光源装置、情報取得装置及び光干渉断層計审中-公开
标题翻译：表面发射激光，激光阵列，光源装置，信息获取装置和光学相干图
公开(公告)号：JP2015233127A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2015082092
申请日：2015-04-13
申请人：キヤノン株式会社
发明人：内田達朗 , 内田護
IPC分类号： G01N21/17 , G01N21/01 , G01B11/24 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18311 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , H01S5/18313 , H01S5/18366 , H01S2301/166 , H01S5/02284 , H01S5/041 , H01S5/18325 , H01S5/18358 , H01S5/18386
摘要：【課題】発光位置が規定された、外部光源により励起する面発光レーザを提供する。【解決手段】一対の反射鏡(11、15)と、一対の反射鏡(11、15)の間に配置された活性層(13)と、を有し、発振波長が変化する面発光レーザであって、一対の反射鏡の一方の反射鏡(15)と活性層との間に間隙が形成されており、活性層(13)は、外部光源から照射された光によって励起され、一対の反射鏡(11、15)の間と一対の反射鏡(11、15)のうち少なくとも一方の反射鏡のうち、少なくとも一方に、活性層13の発光領域を規定する規定構造(20)が配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种规定发光位置并被外部光源激发的表面发射激光器。解决方案：表面发射激光器包括一对反射器（11和15）和有源层（13）设置在一对反射器（11和15）之间，并且表面发射层的振荡波长改变。在一对反射器的一个反射器（15）和有源层之间形成间隙，并且有源层（13）被从外部光源照射的光激发。至少在一对反射器（11和15）之间或在一对反射器（11和15）中的至少一个反射器（11和15）中，设置用于指定有源层13的发光区域的规格结构（20）。

86. 发明专利

JP2014060384A Surface emitting laser, light source device, driving method of light source device and optical coherence tomography 审中-公开
标题翻译：表面发射激光，光源装置，光源装置的驱动方法和光学相干光谱
公开(公告)号：JP2014060384A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：JP2013149676
申请日：2013-07-18
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： INAO YASUHISA , UCHIDA MAMORU
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/06 , G01N21/49 , H01S5/0207 , H01S5/026 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18366 , H01S5/18369 , H01S5/4087 , H01S5/423
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wavelength tunable VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) which enables broadband sweeping wider than a wavelength range constrained by FSR (Free Spectral Range) determined based on a resonator length.SOLUTION: In a surface emitting laser, a semiconductor layer of a first laser and a second layer is common. The first laser has a resonator length for vibrating in n+1-th (n is an integer not less than 1) longitudinal mode and the second laser has a resonator length for vibrating in n-th longitudinal mode. Oscillation wavelength bands of light vibrated by the first laser and the second laser are different from each other.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种波长可调VCSEL（垂直腔表面发射激光器），其使宽带扫描宽于由基于谐振器长度确定的FSR（自由光谱范围）约束的波长范围。解决方案：在发射激光，第一激光器和第二层的半导体层是常见的。第一激光器具有用于在n + 1（n为1以上的整数）纵向模式振动的谐振器长度，第二激光器具有用于在第n纵向模式下振动的谐振器长度。由第一激光器和第二激光器振动的光的振荡波长带彼此不同。

88. 发明专利

JP2013243329A Surface emitting laser element and atomic oscillator 审中-公开
标题翻译：表面发射激光元件和原子振荡器
公开(公告)号：JP2013243329A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：JP2012144692
申请日：2012-06-27
申请人： Ricoh Co Ltd , 株式会社リコー
发明人： SATO SHUNICHI
IPC分类号： H01S5/183 , G04F5/14
CPC分类号： H01S5/187 , B82Y20/00 , G04F5/14 , G04F5/145 , H01S5/005 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H03L7/26
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting laser element which emits a laser beam having a wide divergence angle.SOLUTION: There is provided the surface emitting laser element including a lower DBR formed on a substrate, an active layer formed on the lower DBR, and an upper DBR formed on the active layer. The upper DBR includes a dielectric multilayer film formed by alternately laminating dielectrics having different refractive indices. A light shielding part is formed on the upper DBR. The light shielding part has an opening for emitting light at a central portion thereof.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种发射具有宽发散角的激光束的表面发射激光元件。解决方案：提供了表面发射激光器元件，其包括形成在衬底上的下DBR，形成在下DBR上的有源层和在有源层上形成的上DBR。上DBR包括通过交替层叠具有不同折射率的电介质形成的电介质多层膜。遮光部形成在上DBR上。遮光部具有在其中央部分发光的开口。

89. 发明专利

JP5316783B2 The surface-emitting laser element, a surface-emitting laser array, an optical scanning device and an image forming apparatus 有权
公开(公告)号：JP5316783B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2009081664
申请日：2009-03-30
申请人：株式会社リコー
发明人：和宏原坂 , 俊一佐藤 , 直人軸谷 , 稔浩石井
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
摘要： In a surface emitting laser element (100), on a substrate (101) whose normal direction of a principal surface is inclined, a resonator structural body including an active layer (105), and a lower semiconductor DBR (103) and an upper semiconductor DBR (107) sandwiching the resonator structural body are stacked. A shape of a current passing through region (108b) in an oxide confinement structure of the upper semiconductor DBR (107) is symmetrical to an axis passing through a center of the current passing through region (108b) parallel to an X axis and symmetrical to an axis passing through the center of the current passing through region (108b) parallel to a Y axis, and a length of the current passing through region (108b) is greater in the Y axis direction than in the X axis direction. A thickness of an oxidized layer (108a) surrounding the current passing through region (108b) is greater in the -Y direction than in the +X and -X directions.

90. 发明专利

JP2013149980A Hybrid laser light sources for photonic integrated circuits 审中-公开
标题翻译：用于光电集成电路的混合激光光源
公开(公告)号：JP2013149980A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2013008107
申请日：2013-01-21
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： MIN BOK-KI , KIN TAKU , PARK YOUNG-SOO
IPC分类号： H01S5/14 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18358 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/02248 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/18325 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/2018 , H01S5/2031
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hybrid laser light source for a photonic integrated circuit.SOLUTION: The present invention relates to a light source for a photonic integrated circuit including: a reflection coupling layer formed on a substrate in which an optical waveguide is provided so that at least one side of the reflection coupling layer is optically connected to the optical waveguide; an optical mode alignment layer provided on the reflection coupling layer; and an upper structure provided on the optical mode alignment layer and including an active layer for generating light and a reflection layer provided on the active layer. The present invention also relates to a method of manufacturing the light source for a photonic integrated circuit including the steps of: forming, on a substrate, an optical waveguide and a reflection coupling layer having at least one side optically connected to the optical waveguide; forming an optical mode alignment layer on the reflection coupling layer; and coupling an upper structure, including an active layer for generating light and a reflection layer provided on the active layer, to the optical mode alignment layer by wafer bonding or chip bonding.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于光子集成电路的混合激光源。解决方案：本发明涉及一种用于光子集成电路的光源，包括：形成在其中提供光波导的基板上的反射耦合层使得反射耦合层的至少一侧光学连接到光波导; 设置在反射耦合层上的光学模式取向层; 以及设置在光学模式对准层上并包括用于产生光的有源层和设置在有源层上的反射层的上部结构。本发明还涉及一种制造用于光子集成电路的光源的方法，包括以下步骤：在衬底上形成光波导和反射耦合层，所述反射耦合层具有与光波导光学连接的至少一个侧面; 在反射耦合层上形成光学取向层; 并且通过晶片接合或芯片接合将包括用于产生光的有源层和设置在有源层上的反射层的上部结构耦合到光学模式取向层。

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