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81. 发明专利

JPWO2015033808A1 酸化物層の成膜方法、並びにエピタキシャル成長用積層基材及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于外延生长形成氧化物层，和层叠基板和其制造方法法
公开(公告)号：JPWO2015033808A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015535428
申请日：2014-08-25
申请人：東洋鋼鈑株式会社
发明人：裕介橋本 , 哲平黒川 , 貴史神代 , 浩直岡山 , 竜起永石 , 康太郎大木 , 元気本田
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/541 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/3455 , C30B23/02 , C30B29/16 , C30B29/22 , H01L39/2461
摘要：金属基板の最表層に比べて結晶配向がより改善した酸化物層を形成し得る、金属基板上への酸化物層の成膜方法を提供することを目的とする。RFマグネトロンスパッタ法により金属基板20上へ酸化物層を成膜する方法であって、最表層のc軸配向率が99%以上である結晶配向した金属基板20上に、前記金属基板20上の成膜位置20aにおける垂線と、前記成膜位置20aから最短距離にあるターゲット10上の垂直方向の磁束密度0地点10aへ至る線とが成す角度αを15°以内にしてRFマグネトロンスパッタリングを行う工程を含むことを特徴とする。
摘要翻译：晶体取向比金属基体的最外层可以形成更加改善的氧化物层，其目的是提供一种用于在金属基材上沉积氧化物膜层的方法。形成氧化物层，以在RF磁控溅射法在金属基板20，c轴取向比的金属基板20的最上层上的方法是晶体取向为99％以上，在金属基板20上执行在沉积位置20a的垂直线的步骤，RF磁控与由在磁通密度0点10a的垂直方向上的目标10中的最短距离从成膜位置20a延伸的线所形成的15°的角度α溅射其特征在于它包括：a。

82. 发明专利

JPWO2015015973A1 半導体装置の製造方法および半導体装置有权
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JPWO2015015973A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015529465
申请日：2014-06-27
申请人：富士電機株式会社
发明人：信也高島 , 亮田中 , 勝典上野 , 雅晴江戸
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/0254 , C23C16/303 , C23C16/56 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/18 , H01L21/22 , H01L21/3245 , H01L29/2003 , H01L29/66522 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7827
摘要： n−GaN基板11上にn−GaN層12を形成した後、n−GaN層12に不純物をドープする。MOCVD法により、後の活性化アニールにおける熱処理温度よりも低い温度でn−GaN層12の表面にAlNからなるエピタキシャル膜のキャップ層2aを形成する。n−GaN層12中の不純物を活性化させる活性化アニールを熱処理する熱処理工程を、AlNを成長させる雰囲気またはAlNの成長と分解とが略平衡している雰囲気とする。
摘要翻译：在n-GaN基板11上形成n-GaN层12之后掺杂在n-GaN层12的杂质。通过MOCVD，在活化退火之后高于热处理温度的温度下在n-GaN层12表面上，形成由AlN构成的外延膜的帽层2a。的热处理活化退火以激活n-GaN层12的杂质的热处理工序中，气氛中的分解和生长气氛或AlN的生长的AlN是基本平衡的。

83. 发明专利

JP5744052B2 窒化アルミニウム単結晶の製造装置及び製造方法有权
标题翻译：装置和用于制造氮化铝单晶的方法
公开(公告)号：JP5744052B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2012542949
申请日：2011-11-09
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：鎌田弘之 , 加藤智久 , 長井一郎 , 三浦知則
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/403

84. 发明专利

JP2015040142A シリコン単結晶材料の製造方法及びシリコン単結晶材料有权
标题翻译：硅单晶材料和硅单晶材料的制造方法
公开(公告)号：JP2015040142A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：JP2013170917
申请日：2013-08-21
申请人：信越半導体株式会社 , Shin Etsu Handotai Co Ltd
发明人： TAKAZAWA MASANORI , FUSEGAWA IZUMI
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C23C14/3414 , C30B15/20 , C30B23/02 , C30B29/06
摘要：【課題】スリップの導入がなく、かつ、目標抵抗率からのずれの少ないスパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料の製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により抵抗率が10〜50&OHgr;cmのシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を厚さ5〜50mmに切り出して、ドナーキラー熱処理を行わずに、抵抗率を目標抵抗率の?10%の範囲内に制御するシリコン単結晶材料の製造方法であって、前記の目標抵抗率からのずれを確実に?10%とするためには、引き上げるシリコン単結晶の格子間酸素濃度を6.6〜10?1017atoms/cm3(ASTM’79)といった低酸素濃度とすることが望ましく、また、前記シリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に20%の領域を切り出すことが望ましい。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种硅单晶材料的制造方法，该硅单晶材料用作不会产生滑动的溅射靶材料，并且偏离目标电阻率或用于等离子体蚀刻的电极。解决方案：硅单晶的制造方法晶体材料通过切克劳斯基法（Czochralski）将电阻率为10〜50Ω·cm的单晶硅向上拉，将硅单晶切割成厚度为5〜50mm的片，将电阻率控制在±10％的目标电阻率，没有供体杀手热处理。优选地，将上拉硅单晶中的间隙氧的浓度设定为6.6〜10×1017原子/ cm3（ASTM'79）的低氧浓度，以使得与目标电阻率的偏差被确定地控制在±10％的范围内。优选地，从硅单体树干的底部边缘向上位于树干的长度比的20％的位置被切割。

85. 发明专利

JP2015013761A 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法有权
标题翻译：硅碳化物单晶基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2015013761A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013139771
申请日：2013-07-03
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： HORI TSUTOMU , KAWASE TOMOHIRO , SASAKI MAKOTO
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B23/025 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36
摘要：【課題】結晶品質を向上可能な炭化珪素単結晶基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶基板10の製造方法は以下の工程を備えている。主面2aを有しかつ炭化珪素からなる種結晶2と、炭化珪素原料3とが準備される。炭化珪素原料3内の任意の2点間における温度勾配を30℃/cm以下に維持しつつ炭化珪素原料3を昇華させることにより、主面2a上に炭化珪素単結晶1を成長させる。種結晶2の主面2aは、{0001}面または{0001}面から10?以下オフした面であり、かつ主面2aにおける螺旋転位密度が20/cm2以上である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供可以提高晶体质量的碳化硅单晶衬底及其制造方法。解决方案：制造碳化硅单晶衬底10的方法包括以下处理。制备具有主面2a并由碳化硅制成的晶种2和碳化硅原料3。通过在碳化硅原料3的两个任意点之间保持30℃/ cm以下的温度梯度同时升华碳化硅原料3，在主面2a上生长碳化硅单晶1。主面2a 晶种2为{0001}面或离{0001}面为10°的平面，主面2a上的螺旋位错密度为20 / cm以上。

86. 发明专利

JP5621199B2 Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材およびエピタキシャルウエハ有权
标题翻译：的Si（1-V-W-X）的制造CwAlxNv衬底，制造外延晶片的方法的方法中，硅（1-V-W-X）CwAlxNv衬底和外延晶片
公开(公告)号：JP5621199B2
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：JP2009056914
申请日：2009-03-10
IPC分类号： C30B29/38 , C23C14/06 , C30B23/08 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/36 , C23C4/185 , C23C16/34 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631

87. 发明专利

JP5576507B2 Epitaxial film forming method, a sputtering apparatus, a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, the semiconductor light-emitting device, and a lighting device 有权
公开(公告)号：JP5576507B2
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2012550702
申请日：2011-12-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：佳明醍醐 , 啓次石橋
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/02631 , C23C14/0617 , C23C14/345 , C30B23/005 , C30B23/02 , C30B25/06 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
摘要： The present invention provides an epitaxial film forming method for epitaxially growing a high-quality group III nitride semiconductor thin film on an alpha-Al2O3 substrate by a sputtering method. In the epitaxial film forming method according to an embodiment of the present invention, when an epitaxial film of a group III nitride semiconductor thin film is to be formed on the alpha-Al2O3 substrate arranged on a substrate holder provided with a heater electrode and a bias electrode of a sputtering apparatus, in a state where the alpha-Al2O3 substrate is maintained at a predetermined temperature by the heater electrode, high-frequency power is applied to a target electrode and high-frequency bias power is applied to a bias electrode and at that time, the powers are applied so that frequency interference between the high-frequency power and the high-frequency bias power does not occur.

88. 发明专利

JP5565070B2 Method of manufacturing a silicon carbide crystal and silicon carbide crystal 有权
公开(公告)号：JP5565070B2
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：JP2010100891
申请日：2010-04-26
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：信佐々木
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , H01L21/203
CPC分类号： C30B23/025 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B35/007 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , Y10T428/21 , Y10T428/24355 , Y10T428/2982

89. 发明专利

JP5562579B2 A method for manufacturing the epitaxial substrate for semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP5562579B2
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：JP2009115582
申请日：2009-05-12
申请人：日本碍子株式会社
发明人：幹也市村 , 実人三好 , 光浩田中
IPC分类号： H01L29/812 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778
CPC分类号： C30B25/02 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/7786

90. 发明专利

JP5538104B2 A method of making a single crystal layer on a substrate 有权
公开(公告)号：JP5538104B2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：JP2010154953
申请日：2010-07-07
申请人：アイメックImec
发明人：ルーベン・リーテン , ステファン・デフローテ
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/24
CPC分类号： C30B29/08 , C30B23/02 , C30B29/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02631

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