专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015051892A 炭化珪素インゴットの製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅生产方法
公开(公告)号：JP2015051892A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013184812
申请日：2013-09-06
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： OI NAOKI , KAWASE TOMOHIRO , SASAKI MAKOTO , HORI TSUTOMU , UETA SHUNSAKU
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】高い結晶品質を有する炭化珪素インゴットを提供する。【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、炭化珪素種結晶および台座を準備する工程S1と、炭化珪素種結晶と台座との間に接着剤を配置する工程S3と、炭化珪素種結晶に対して緩衝部材を介して台座に向かう方向の圧力を加えながら接着剤を熱処理することにより炭化珪素種結晶と台座とを接合する工程S4と、炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程S6と、を備える。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高结晶质量的碳化硅锭。解决方案：碳化硅锭的制造方法包括：制备碳化硅晶种和基座的步骤S1：步骤S3，其中粘合剂布置在碳化硅晶种和基座之间：步骤S4，其中通过对粘合剂进行热处理来接合碳化硅晶种和基座，同时在朝向基座的方向上施加到碳化硅晶种上通过缓冲部分; 以及在碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的步骤S6。

2. 发明专利

JP2015036348A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2015036348A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013167660
申请日：2013-08-12
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： OI NAOKI , KAWASE TOMOHIRO , SASAKI MAKOTO , HORI TSUTOMU , UETA SHUNSAKU
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】結晶品質の高い炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素からなる種結晶20と、グラファイトからなる支持部21とを接合させる工程と、炭化珪素原料40を準備する工程と、炭化珪素原料40を昇華させることにより、支持部21に接合された種結晶20の主面20a上に炭化珪素単結晶50を成長させる工程とを備え、成長させる工程は、支持部21の温度が種結晶20の温度よりも高くなる工程を含み、支持部21の熱膨張係数は種結晶20の熱膨張係数の0.7倍以上0.9倍以下である。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高结晶质量的碳化硅单晶的制造方法。解决方案：碳化硅单晶的制造方法包括以下步骤：将由碳化硅组成的晶种20和支撑体第21部分由石墨组成; 制备碳化硅原料40; 并且通过在接合到支撑部21的晶种20的主表面20a上升华碳化硅原料40来生长碳化硅单晶50。生长步骤包括以下步骤：支撑部分21的温度比籽晶20的热膨胀系数高。种子晶体20的热膨胀系数的0.7倍以上0.9倍以下。

3. 发明专利

JP2014210672A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：JP2014210672A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2013086430
申请日：2013-04-17
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： NISHIGUCHI TARO , SASAKI MAKOTO , HORI TSUTOMU , OI NAOKI , UEDA SHUNSAKU
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】炭化珪素単結晶の欠陥密度を低減可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】第1の主面1aと、第2の主面1bとを有する第1の炭化珪素種結晶1と、原料配置部5aと、種結晶保持部4と、成長遮断部5bとが準備される。第1の主面1aに第1の炭化珪素単結晶が成長する。第1の主面1aは、第1の主面1aの外側端部の一部を内側から囲うように形成された小傾角粒界を含む。第1の炭化珪素単結晶を成長させる工程は、平面視において小傾角粒界が成長遮断部5bと重なり、かつ平面視において第1の主面1aの中心が成長遮断部5bと重ならないように、第1の炭化珪素種結晶1を種結晶保持部4に対して偏心させて第2の主面1bを種結晶保持部4に保持しながら、第1の炭化珪素種結晶1の第1の主面1aに第1の炭化珪素単結晶を成長させる工程を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低碳化硅单晶的缺陷密度的碳化硅单晶的制造方法。解决方案：制造碳化硅单晶的方法包括：制备第一碳化硅晶种1 具有第一主表面1a和第二主表面1b，原料布置部分5a，晶种保持部分4和生长阻挡部分5b; 并且在第一主表面1a上生长第一碳化硅单晶，其包括从内侧包围第一主表面1a的外端的一部分形成的小倾斜晶粒边界。生长第一碳化硅单晶的步骤包括将第一碳化硅晶种1偏心到晶种保持部分4的步骤，使得小的倾斜晶粒边界在平面图中与生长阻挡部分5b重叠，并且第一主表面1a的中心在平面图中不与生长阻挡部分5b重叠，并且在保持第二主表面1b的同时在第一碳化硅晶种1的第一主表面1a上生长第一碳化硅单晶在晶种保持部4上。

4. 发明专利

JP2014201498A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2014201498A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013080324
申请日：2013-04-08
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： SASAKI MAKOTO , HORI TSUTOMU , UEDA SHUNSAKU
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
CPC分类号： C30B23/002 , C30B29/36
摘要：【課題】内部応力がより低減された炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】原料11および種基板12のそれぞれの温度をTmおよびTsと定義する。Ts
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有降低的内应力的碳化硅单晶的方法。解决方案：将原料11和种子基底12的温度分别定义为Tand T。碳化硅单晶19以R≥R的生长速度生长，通过加热原料11和种子基底12，使得满足T

5. 发明专利

JP2013212952A Method for manufacturing silicon carbide single crystal 审中-公开
标题翻译：制造单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：JP2013212952A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：JP2012083613
申请日：2012-04-02
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： INOUE HIROKI , SASAKI MAKOTO , HARADA MAKOTO , TAKASUKA EIRYO , FUJIWARA SHINSUKE
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B23/066 , C30B23/025 , C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal capable of obtaining a thick-film silicon carbide single crystal, when growing a silicon carbide single crystal having a diameter larger than 100 mm.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide single crystal having a diameter larger than 100 mm by sublimation method includes the following steps. A seed substrate 3 made of silicon carbide and a silicon carbide raw material 7 are prepared. A silicon carbide single crystal is grown on the growth face 6 of the seed substrate 3 by sublimating the silicon carbide raw material. In the step of growing the silicon carbide single crystal, the maximum growing rate of the silicon carbide single crystal growing on the growth face 6 of the seed substrate 3 is greater than the maximum growing rate of the silicon carbide crystal growing on the surface 8 of the silicon carbide raw material 7.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造能够获得厚膜碳化硅单晶的碳化硅单晶的方法，当生长直径大于100mm的碳化硅单晶时。制造方法通过升华法直径大于100mm的碳化硅单晶包括以下步骤。制备由碳化硅制成的种籽基材3和碳化硅原料7。通过使碳化硅原料升华，在种子基板3的生长面6上生长碳化硅单晶。在生长碳化硅单晶的步骤中，种子基板3的生长面6上生长的碳化硅单晶的最大生长速度大于生长在表面8上的碳化硅晶体的最大生长速度碳化硅原料7。

6. 发明专利

JP2013189355A Method and device for manufacturing silicon carbide single crystal 审中-公开
标题翻译：用于制造碳化硅单晶的方法和装置
公开(公告)号：JP2013189355A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2012058194
申请日：2012-03-15
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： INOUE HIROKI , SASAKI MAKOTO , HARADA MAKOTO , FUJIWARA SHINSUKE
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B23/025 , C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal capable of stably growing a silicon carbide single crystal by suppressing the change of the growth conditions of the silicon carbide single crystal in a crucible.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide single crystal whose diameter is larger than 100 mm, and whose maximum height is 20 mm or more by a sublimation method includes the following processes. A seed substrate 3 composed of silicon carbide and a silicon carbide raw material 7 are prepared. By subliming the silicon carbide raw material 7, the silicon carbide single crystal is grown on a growth face 8 of the seed substrate 3. In the process of growing the silicon carbide single crystal, a first carbon member 1 disposed at a position facing a side wall 5 of the seed substrate 3 is etched at a speed of 0.1 mm/hour or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造能够通过抑制坩埚中的碳化硅单晶的生长条件的变化来稳定生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的方法。解决方案：制造直径大于100mm，最大高度为20mm以上的碳化硅单晶通过升华法包括以下工序。准备由碳化硅和碳化硅原料7构成的种籽基材3。通过升华碳化硅原料7，在种子基板3的生长面8上生长碳化硅单晶。在生长碳化硅单晶的工序中，设置在面向一侧的位置的第一碳构件1 以0.1mm /小时以下的速度蚀刻种子基板3的壁5。

7. 发明专利

JP2012089613A Method of manufacturing composite substrate having silicon carbide substrate 审中-公开
标题翻译：制造具有碳化硅基板的复合基板的方法
公开(公告)号：JP2012089613A
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：JP2010233721
申请日：2010-10-18
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： HORI TSUTOMU , HARADA MAKOTO , SASAKI MAKOTO , INOE HIROKI , OKITA KYOKO , NAMIKAWA YASUO , ITO SATOMI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02002 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress process variation caused by a gap between silicon carbide substrates in the manufacturing process of a semiconductor device using a composite substrate having silicon carbide substrates.SOLUTION: A bonded substrate having a support 30 and first and second silicon carbide substrates 11, 12 is prepared. The first silicon carbide substrate 11 has a first rear surface bonded to the support 30, a first surface facing the first rear surface, and a first side surface connecting the first rear surface and the first surface. The second silicon carbide substrate 12 has a second rear surface bonded to the support 30, a second surface facing the second rear surface, and a second side surface connecting the second rear surface and the second surface and forming a gap between the first side surface and itself. A filling part 40 which fills the gap is formed. The first and second surfaces are then polished, and then the filling part 40 is removed. Thereafter, a closing part for closing the gap is formed.
摘要翻译：要解决的问题：在使用具有碳化硅衬底的复合衬底的半导体器件的制造工艺中抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。解决方案：制备具有支撑体30和第一和第二碳化硅衬底11,12的键合衬底。第一碳化硅基板11具有接合到支撑件30的第一后表面，面向第一后表面的第一表面和连接第一后表面和第一表面的第一侧表面。第二碳化硅基板12具有接合到支撑件30的第二后表面，面向第二后表面的第二表面和连接第二后表面和第二表面的第二侧表面，并且在第一侧表面和第二表面之间形成间隙本身。形成填充间隙的填充部40。然后抛光第一和第二表面，然后移除填充部分40。此后，形成用于封闭间隙的封闭部分。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2012089612A Composite substrate having silicon carbide substrate 审中-公开
标题翻译：具有碳化硅基体的复合基板
公开(公告)号：JP2012089612A
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：JP2010233715
申请日：2010-10-18
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： HORI TSUTOMU , HARADA MAKOTO , INOE HIROKI , SASAKI MAKOTO , ITO SATOMI , OKITA KYOKO , NAMIKAWA YASUO
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite substrate in which dust can be prevented from being left in the gap between a plurality of silicon carbide substrates that make up the composite substrate.SOLUTION: A first silicon carbide substrate 11 has a first rear surface B1 bonded to a support 30, a first surface T1 facing the first rear surface B1, and a first side surface S1 connecting the first rear surface B1 and the first surface T1. A second silicon carbide substrate 12 has a second rear surface B2 bonded to the support 30, a second surface T2 facing the second rear surface B2, and a second side surface S2 connecting the second rear surface B2 and the second surface T2 and forming a gap GP between the first side surface S1 and itself. A closing part 21 is closing the gap GP.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以防止灰尘留在构成复合基板的多个碳化硅基板之间的间隙中的复合基板。解决方案：第一碳化硅基板11具有接合到支撑件30的第一后表面B1，与第一后表面B1相对的第一表面T1和连接第一后表面B1和第一表面B1的第一侧表面S1 T1。第二碳化硅衬底12具有接合到支撑件30的第二后表面B2，面向第二后表面B2的第二表面T2和连接第二后表面B2和第二表面T2的第二侧表面S2，并形成间隙 GP在第一侧面S1和本身之间。关闭部分21关闭间隙GP。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2011243640A Manufacturing method of silicon carbide substrate, manufacturing method of semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：碳化硅基板的制造方法，半导体器件的制造方法，碳化硅基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2011243640A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010112180
申请日：2010-05-14
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： NISHIGUCHI TARO , SASAKI MAKOTO , HARADA MAKOTO , OKITA KYOKO , INOE HIROKI , NAMIKAWA YASUO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02529 , C30B23/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon carbide substrate, a manufacturing method of a semiconductor device, a silicon carbide substrate, and a semiconductor device capable of realizing reduction of manufacturing cost of the semiconductor device using the silicon carbide substrate.SOLUTION: A manufacturing method of a silicon carbide substrate 1 includes the steps of: preparing an SiC substrate 20 consisting of single crystal silicon carbide; arranging a base substrate 10 so that it faces one principal plane 20B of the SiC substrate 20 in a crucible 80; and forming a base layer 10 consisting of silicon carbide so as to contact the one principal plane 20B of the SiC substrate 20 by heating the base substrate 10 in a temperature range which is higher than a sublimation temperature of the silicon carbide constituting the base substrate 10 in the crucible 80. In the step of forming the base layer 10, gas including silicon is introduced in the crucible 80.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种碳化硅衬底的制造方法，半导体器件的制造方法，碳化硅衬底和能够实现使用硅的半导体器件的制造成本的降低的半导体器件碳化物基体。解决方案：碳化硅衬底1的制造方法包括以下步骤：制备由单晶碳化硅构成的SiC衬底20; 将基底基板10布置成在坩埚80中面向SiC基板20的一个主平面20B; 并且通过在高于构成基底基板10的碳化硅的升华温度的温度范围内加热基底基板10而形成由碳化硅构成的基底层10，以与SiC基板20的一个主平面20B接触在坩埚80的形成步骤中，包括硅的气体被引入坩埚80中。（C）2012年，JPO和INPIT

10. 发明专利

JP2011243619A Manufacturing method of silicon carbide substrate, manufacturing method of semiconductor device, and silicon carbide substrate and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：碳化硅基板的制造方法，半导体器件的制造方法和碳化硅基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2011243619A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010111977
申请日：2010-05-14
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： NISHIGUCHI TARO , HARADA MAKOTO , INOE HIROKI , SASAKI MAKOTO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/046 , H01L29/1608 , H01L29/7802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon carbide substrate, a manufacturing method of a semiconductor device, and a silicon carbide substrate and a semiconductor device capable of reducing manufacturing costs of a semiconductor device using a silicon carbide substrate.SOLUTION: The manufacturing method of a silicon carbide substrate 1 includes; a process where an SiC substrate 20 composed of single crystal silicon carbide is prepared; a process where a base substrate 10 is placed so as to contact to a principal surface 20B of one side of the SiC substrate 20 in a crucible 70; and a process where a base layer 10 composed of silicon carbide is formed so as to contact to the principal surface 20B of the one side of the SiC substrate 20 by heating the base substrate 10 to the temperature range higher than sublimation temperature of the silicon carbide which constitutes the base substrate 10. In the process where the base layer 10 is formed, a silicon source 91 composed of materials including silicon, which is different from the SiC substrate 20 and the base substrate 10, is placed in the crucible 70.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅衬底的制造方法，半导体器件的制造方法和碳化硅衬底以及能够降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本的半导体器件。解决方案：碳化硅衬底1的制造方法包括：制备由单晶碳化硅构成的SiC衬底20的工序; 将基底基板10配置成与坩埚70内的SiC基板20的一侧的主面20B抵接的工序; 并且通过将基底基板10加热到高于碳化硅的升华温度的温度范围，形成由碳化硅构成的基底层10以与SiC基板20的一侧的主面20B接触的工序其构成基底基板10.在形成基底层10的工艺中，将由SiC衬底20和基底衬底10不同的包括硅的材料构成的硅源91置于坩埚70中。 P>版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式