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1. 发明专利

JP5744052B2 窒化アルミニウム単結晶の製造装置及び製造方法有权
标题翻译：装置和用于制造氮化铝单晶的方法
公开(公告)号：JP5744052B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2012542949
申请日：2011-11-09
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：鎌田弘之 , 加藤智久 , 長井一郎 , 三浦知則
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/403

2. 发明专利

JP6180024B2 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6180024B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2013226860
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：山本和寛 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B29/38 , C30B29/36 , C30B23/06

3. 发明专利

JP5867856B2 種結晶保持部材、窒化アルミニウム単結晶の製造方法およびその製造装置有权
标题翻译：晶种保持构件，其制造方法和装置，用于制造氮化铝单晶
公开(公告)号：JP5867856B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2011286650
申请日：2011-12-27
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：高嶋秀行 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B29/38

4. 发明专利

JP2015229613A III族窒化物単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造III类氮化物单晶的方法
公开(公告)号：JP2015229613A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014116396
申请日：2014-06-05
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：齋藤学 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B23/06 , C30B33/00 , H01L21/304 , B24B37/04 , C30B29/38
摘要：【課題】結晶性及び純度が高いIII族窒化物単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物単結晶の製造方法は、昇華再結晶法により種結晶5に窒化アルミニウム単結晶6を成長させる単結晶成長工程S1と、単結晶成長工程S1で得られた窒化アルミニウム単結晶6をC面に沿ってスライスしてウェハ61を得るスライス工程S2と、ウェハ61の主面611にCMP処理を施すCMP処理工程S4と、主面611の凹凸の高低差が所定値A未満であるか否かを判定する高低差測定工程S5と、ウェハ61を複数の個片612する個片化工程S7と、高低差が所定値A満である複数の個片612を支持基板80上に並べて配置する再配置工程S8と、を備え、高低差測定工程S4において主面611全体の高低差が所定値A未満であると判定されるまで、支持基板80上に配置された複数の個片612を種結晶5として、工程S1〜S8を繰り返す。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有高结晶度和纯度的III族氮化物单晶的方法。解决方案：一种制造III族氮化物单晶的方法包括：生长氮化铝单晶的单晶生长工艺S1 6在晶种5上通过升华重结晶法; 将在单晶生长工序S1中得到的氮化铝单晶6沿着C面切片的切片工序S2，得到晶片61; 对晶片61的主面611进行CMP处理的CMP处理工序S4; 确定主面611的高/低差的差是否小于预定值A的高/低差测量处理S5; 获得多个单件612的形式的晶片61的单件成形工序S7; 以及重新布置处理S8，其在支撑基板80上有序地布置高/低差异小于预定值A的多个单独片612，重复处理S1-S8，而布置在支撑件上的多个单独片612 将基板80用作晶种5，直到在高/低差测量处理S4中确定总体主面611的高/低差小于预定值A.

5. 发明专利

JP6128646B2 単結晶成長装置有权
公开(公告)号：JP6128646B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013226863
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：山本和寛 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B23/06

6. 发明专利

JP5988480B2 研磨方法有权
公开(公告)号：JP5988480B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2012128004
申请日：2012-06-05
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：齋藤学 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/24 , H01L21/304

7. 发明专利

JP2016060657A 単結晶の製造方法、基材、及び、単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：单晶，基材和单晶生产设备的生产方法
公开(公告)号：JP2016060657A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014188519
申请日：2014-09-17
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：齋藤学 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/08
摘要：【課題】昇華再結晶法により、単結晶を効率良く得ることを可能とした窒化アルミニウム単結晶の製造方法、基材、及び、単結晶製造装置の提供。【解決手段】基材4は、一対の主面41,42と、主面41,42に対して実質的に垂直な方向に貫通すると共に、基材4の略中心に基材4の外径よりも相対的に小さい径を有する第1の貫通孔43と、を有し、前記第1の方向よりも、第1の方向に対して実質的に垂直な第2の方向に沿って優先的に前記単結晶が成長する窒化アルミニウム単結晶の製造方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过升华重结晶法有效获得单晶的氮化铝单晶的制造方法，以及提供基板和单晶制造装置。解决方案：基板4具有一对主表面41,42和第一开孔43，其基本上垂直于主表面41,42的方向穿透，并且具有比基板4的外径相对较小的直径，大致在基板4的中心。在氮化铝单晶的制造方法中，沿着与第一方向大致垂直的第二方向，比沿着第一方向更优选生长单晶。选择图：图3

8. 发明专利

JP2015096457A 単結晶製造装置及び単結晶製造方法审中-公开
标题翻译：单晶生产装置和单晶生产方法
公开(公告)号：JP2015096457A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：JP2013237071
申请日：2013-11-15
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：畠田真至 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B23/06
摘要：【課題】最適化された成長条件の下で結晶への不純物の混入を防止して高品質の単結晶を製造することができる単結晶製造装置を提供する。【解決手段】単結晶製造装置1は、内部に原料40を収容する成長坩堝21と、成長坩堝21の外側に配置された外側坩堝22とを備えている。外側坩堝22には、成長坩堝21と外側坩堝22との間に希釈換気用の窒素ガスを流通させるガス流路66が形成されている。単結晶製造装置1は、ガスを外側坩堝22に形成されたガス導入口60からガス流路66に供給して外側坩堝22に形成されたガス排出口67からガス流路60内のガスを外部に排出するガス供給源63と、成長坩堝21に収容された原料40を加熱して昇華させるコイル30とを備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过在优化的生长条件下防止杂质污染而制造高质量单晶的单晶生产装置。解决方案：单晶生产装置1包括：用于容纳材质40内以及布置在生长坩埚21外部的外部坩埚22.在外部坩埚22中形成有用于在生长坩埚21和外部坩埚22之间通过用于稀释和通风的氮气的气体流路66.单晶生成装置1 包括：从形成在外坩埚22的气体导入口60向气体流路66供给气体的气体供给源63，从形成于外坩埚的气体排出口67排出气体流路66内的气体 22到外面以及用于加热和升华容纳在生长坩埚21中的材料40的线圈30。

9. 发明专利

JP6214038B2 窒化アルミニウム単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6214038B2
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：JP2013226856
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：山本和寛 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/38

10. 发明专利

JP2015086114A 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：单晶水晶制造装置及单晶制造方法
公开(公告)号：JP2015086114A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013226861
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社フジクラ , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：山本和寛 , 加藤智久 , 三浦知則
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要：【課題】単結晶へのクラックの発生を抑制することが可能な単結晶製造装置を提供する。【解決手段】単結晶製造装置1は、昇華再結晶法によって単結晶6を製造する単結晶製造装置であり、原料2を収容すると共に原料2に対向するように種結晶5を保持する坩堝10と、坩堝10を覆う断熱材20と、断熱材20の上部に形成された開口221,231を介して坩堝10の上部の温度を計測する温度計72と、を備えており、第2の開口231は、種結晶6の外径D 0 の2/3以上の内径D 1 を有する(D 1 ≧2/3×D 0 )。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制单晶的裂纹发生的单晶体制造装置。解决方案：单晶制造装置1通过升华重结晶法制造单晶6，其包括：坩埚10 其存储原料2，并且保持与原料2相对的晶种5; 覆盖坩埚10的绝热材料20; 以及通过第一开口221和形成在绝热材料20的上部的第二开口231测量坩埚10的上部的温度的温度计72，第二开口231的内径D为2 / 晶种5的外径D的3个以上（D≥2/ 3×D）。

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