专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

JP2021102531A SiC単結晶製造装置およびSiC単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021102531A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019233898
申请日：2019-12-25
申请人：昭和電工株式会社
发明人：藤川陽平
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】径方向で均一な速度でSiC単結晶を成長させることが可能なSiC単結晶製造装置を提供する。【解決手段】SiC単結晶製造装置100は、下部に原料Gを配置し、蓋部3aに種結晶SDを設置できる坩堝3と、前記原料Gが充填される領域に配置され、前記蓋部3aへ近づくに従い先細り形状となるテーパー部を有するテーパー部材1と、前記坩堝3の外側に位置する加熱手段2と、を有する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2021084822A 単結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021084822A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019213012
申请日：2019-11-26
申请人：昭和電工株式会社
发明人：野口駿介 , 金田一麟平
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要：【課題】単結晶の結晶成長面の温度を制御しつつ、異種多形の発生を抑制することができる単結晶成長装置を提供する。【解決手段】この単結晶製造装置100は、坩堝2と、坩堝2を囲む加熱手段Hを備え、前記坩堝2は、内部に隔離部材3を有し、前記隔離部材3は、前記坩堝2の内部を第1成長空間R1と第2成長空間R2とに区分し、前記第2成長空間R2は、前記第1成長空間R1を囲み、前記第1成長空間R1と前記第2成長空間R2は、それぞれ別々に底部に原料M1、M2を設置でき、前記第1成長空間R1は、原料M1から昇華したガスが原料M1に対して第1方向の位置に配置された種結晶SDの表面で再結晶化する空間であり、前記第2成長空間R2は、前記第2成長空間R2の原料M2を基準に第1方向の位置、かつ、前記種結晶SDの周囲の位置でガスが再結晶化する空間である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2021075427A SiCシード及びSiC単結晶インゴットの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021075427A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019204040
申请日：2019-11-11
申请人：昭和電工株式会社
发明人：周防裕政
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】接着剤でシードを固定した状態において、台座とSiCシードの間に形成された空孔から生成したマクロ欠陥が伸長しにくいSiC単結晶成長用のSiCシード、及びそれを用いたSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】SiCシードは、一対の平行面を有するSiC結晶本体と、前記SiC結晶本体の前記一対の平行面の間に備えられた少なくとも1層の埋め込み保護層と、を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2021070600A 結晶成長装置及び結晶成長方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021070600A
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：JP2019197404
申请日：2019-10-30
申请人：昭和電工株式会社
发明人：藤川陽平
IPC分类号： C30B23/06 , C30B35/00
摘要：【課題】坩堝内の温度分布を制御できる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかる結晶成長装置は、坩堝と、前記坩堝の外側に設置され、前記坩堝を囲むヒータと、前記ヒータの外側に設置され、前記ヒータを囲むコイルと、を備え、前記ヒータの前記坩堝側の内面は、第1領域と、前記第1領域より前記坩堝の外側面から離れた第2領域と、を備える。【選択図】図1

7. 发明专利

KR102239736B1 KR102239736B1 - Manufacturing method for silicon carbide ingot and silicon carbide ingot manufactured thereby 有权
公开(公告)号：KR102239736B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020200110065A
申请日：2020-08-31
申请人： 에스케이씨 주식회사
发明人： 박종휘 , 구갑렬 , 김정규 , 최정우 , 고상기 , 장병규 , 양은수
IPC分类号： C30B23/00 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B35/00
CPC分类号： C30B23/002 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B35/002
摘要： 탄화규소 잉곳의 제조과정 중, 본격적으로 잉곳을 성장시키는 단계에서, 반응용기 내부에서 외부 방향으로 경사진 각도를 갖는 가이드를 구비하고, 가열수단을 소정 속도로 이동시켜 반응용기 내부의 온도 분포를 잉곳의 성장에 따라 변화시키는 탄화규소 잉곳의 제조방법, 탄화규소 잉곳 제조용 시스템 및 이에 따라 제조된 탄화규소 잉곳에 관한 것이다.

8. 发明专利

KR102235858B1 KR102235858B1 - Manufacturing method for silicon carbide ingot and system for manufacturing silicon carbide ingot 有权
公开(公告)号：KR102235858B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020200043399A
申请日：2020-04-09
申请人： 에스케이씨 주식회사
发明人： 박종휘 , 장병규 , 양은수 , 고상기 , 구갑렬 , 김정규 , 최정우
IPC分类号： C30B23/00 , C30B23/06 , C30B29/36
CPC分类号： C30B23/002 , C30B23/06 , C30B29/36
摘要： 구현예는 탄화규소 잉곳의 제조과정 중, 반응용기 내부공간을 감압하며 승온시키는 단계에서, 특정 내부공간의 상, 하부 온도차를 형성시키는 탄화규소 잉곳의 제조방법에 관한 것이다.
구현예에 따른 탄화규소 잉곳의 제조방법을 통해, 탄화규소 잉곳의 후면인 종자정면의 손실을 최소화할 수 있고, 결함 발생이 적고 양호한 결정 품질을 갖는 탄화규소 잉곳을 제조할 수 있다.

9. 发明专利

KR102228134B1 KR102228134B1 - Vessel for growing a single crystal and growing method of single crystal using the vessel 有权
公开(公告)号：KR102228134B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020180170056A
申请日：2018-12-27
申请人： (주) 세라컴
发明人： 인경필 , 남승하 , 이강홍
IPC分类号： C30B23/00 , C30B23/06
CPC分类号： C30B23/005 , C30B23/06
摘要： 본 발명은, 성장챔버 내에 장착되는 단결정 성장 용기 하측에 단결정 성장의 원료를 넣고 상기 단결정 성장 용기 내에 종자결정을 부착하여 단결정을 성장시키는 PVT 장치에 사용되는 단결정 성장 용기에 있어서, 단결정 성장의 원료를 수용하는 공간을 제공하는 하부 용기와, 상기 하부 용의 상부를 밀폐하고 종자결정을 수용하는 공간을 제공하는 상부 용기와, 상기 상부 용기에 결합되어 있고 상기 종자결정을 부착시키기 위한 종자결정 고정 구조물을 포함하고, 상기 상부 용기 내에 위치된 상기 종자결정 고정 구조물에 상기 종자결정을 부착시켜 단결정을 성장시키며, 상기 단결정 성장 용기에는 단결정 성장 동안에 발생한 가스가 외부로 배출될 수 있는 내부가스 배출용 통로가 구비되어 있고, 상기 하부 용기에 구비된 내부가스 배출용 경로와 상기 상부 용기에 구비된 내부가스 배출용 경로가 서로 대응되게 합쳐져서 상기 내부가스 배출용 통로를 구성하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 용기 및 이를 이용한 단결정 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 단결정 성장 동안에 발생하는 내부 가스가 외부로 일정하게 배출될 수 있게 하여 단결정 성장 과정에서의 온도 및 압력 등을 일정하게 제어할 수 있다.

10. 发明专利

JP2021031311A SiC単結晶インゴットの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021031311A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019149704
申请日：2019-08-19
申请人：昭和電工株式会社
发明人：野口駿介
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】SiC単結晶インゴットの自重によるSiC単結晶インゴットの剥がれが防止可能なSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のSiC単結晶インゴットの製造方法は、SiC原料の下部を支持する原料支持部2と、SiC原料GとSiC種結晶Tとの間に配置する遮断部材を支持する遮断部材支持部とを内部に備える坩堝を用いて、SiC単結晶を製造するSiC単結晶インゴットの製造方法であって、坩堝内の原料支持部に、少なくとも下部が焼結されたSiC原料を配置し、前記SiC原料の下方にSiC種結晶を配置し、前記SiC原料と前記SiC種結晶との間に、一部または全体が金属または金属炭化物からなる遮断部材を配置し、前記SiC原料を昇華させて、前記SiC種結晶上にSiC単結晶を成長させる。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式