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61. 发明专利

JP5956292B2 電子管有权
标题翻译：电子管
公开(公告)号：JP5956292B2
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：JP2012195219
申请日：2012-09-05
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：永田貴章 , 浜名康全 , 中村公嗣
IPC分类号： H01J43/04
CPC分类号： H01J43/18 , H01J43/28

62. 发明专利

JP2016518683A 光電子増倍管（ＰＭＴ）、イメージセンサ、及びＰＭＴ又はイメージセンサを用いた検査システム有权
标题翻译：光电倍增管（PMT），使用图像传感器的检测系统，和PMT或图像传感器
公开(公告)号：JP2016518683A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2016506573
申请日：2014-04-01
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ユン−ホアレックスチュワン , ユン−ホアレックスチュワン , デイビッドエルブラウン , デイビッドエルブラウン , ジョンフィールデン , ジョンフィールデン
IPC分类号： H01J43/12 , H01J1/34 , H01J40/04 , H01J40/06 , H01J43/04
CPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/02161 , H01L31/103
摘要：半導体光電陰極とフォトダイオードを含む光電子増倍管。特に、該フォトダイオードはp−型にドープされた半導体層と、該p−型にドープされた半導体層の第一の表面に形成されてダイオードを形成するn-型にドープされた半導体層と、該p−型にドープされた半導体層の第二の表面に形成された純ホウ素層とを含んでいる。半導体光電陰極とフォトダイオードの間のギャップはおよそ1mm未満であるか、あるいはおよそ500μm未満である。半導体光電陰極は窒化ガリウム、例えば一つ以上のp−型にドープされた窒化ガリウム層、を含んでいる。他の実施形態において、半導体光電陰極はケイ素を含んでいてもよい。この半導体光電陰極は更に少なくとも一つの表面に純ホウ素被覆を含んでいてもよい。
摘要翻译：光电倍增管，其包括半导体光电阴极和光电二极管。具体地，光电二极管是掺杂有p型半导体层，形成在所述掺杂的半导体层的第一表面上的p型掺杂的n型，以形成在半导体层上的二极管和形成掺杂成p型的半导体层的第二表面上，和一个纯硼层。半导体光电阴极和光电二极管之间的间隙或者是大于约1mm以下时，或小于约500微米。半导体光电阴极包括氮化镓，例如，一个或掺杂的氮化镓层更p-型的。在其它实施例中，半导体光电阴极可以包括硅。半导体光电阴极还可以包括至少一个表面上的纯硼涂层。

63. 发明专利

JP2015536012A ホウ素層を有するシリコン基板を含むフォトカソード有权
标题翻译：光电阴极包括具有硼层的硅衬底
公开(公告)号：JP2015536012A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2015525489
申请日：2013-07-29
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ユイン−ホアレックスチュワーン , ユイン−ホアレックスチュワーン , ジョンフィールデン , ジョンフィールデン
IPC分类号： H01J1/34 , G01N21/956 , G03F1/84 , G03F7/20 , H01J43/04 , H01L21/66
CPC分类号： H01J29/385 , G01N21/9501 , G02B21/125 , H01J1/34 , H01J31/26 , H01J31/50 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H01L27/14806 , H01L27/14893
摘要：フォトカソードは、相対する被照射(上)面及び出力(底)面を有する単結晶シリコン基板上に形成される。シリコンの酸化を防ぐために、薄い(例えば、1−5nmの)ホウ素層が酸化及び欠陥を最小限にするプロセスを用いて出力面上に直接配置され、その後、光電子の放出を多くするためにホウ素層の上に低仕事関数材料が形成される。低仕事関数材料は、アルカリ金属(例えば、セシウム)又はアルカリ金属酸化物を含む。任意選択的な第2のホウ素層が被照射(上)面上に形成され、シリコン基板へ入る光子を多くするために任意選択的な反射防止材料層がホウ素層の上に形成される。相対する被照射(上)面と出力(底)面との間に任意選択的な外部電位が発生する。フォトカソードは、新規のセンサ及び検査システムの一部を形成する。
摘要翻译：是在相对的光电阴极形成被照射（上）表面和具有表面的输出（底部）单晶硅衬底。为了防止硅的氧化，一个薄的（例如，1-5纳米）的直接设置使用过程硼层，以尽量减少氧化和缺陷的输出表面上，然后硼以增加光电子的发射形成在层上的低功函数材料。低功函数的材料包括碱金属（例如，铯）或碱土金属氧化物。形成照射（上）表面，可选的抗反射材料层上，以增加在硼层上形成进入硅衬底中的光子任选的第二硼层。相对的照射（上）面和输出（底部）之间可选的外部电位会发生表面。光电阴极形成新的传感器和检测系统的一部分。

64. 发明专利

JP4947837B2 Night vision devices and methods 有权
公开(公告)号：JP4947837B2
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：JP2000599058
申请日：2000-01-24
申请人：リットン・システムズ・インコーポレイテッド
发明人：イオスエ、マイケル
IPC分类号： G21K4/00 , H01J31/50 , G01T1/00 , H01J9/12 , H01J9/26 , H01J9/38 , H01J9/40 , H01J43/04 , H04N5/30
CPC分类号： H01J9/125 , H01J31/507 , H01J43/045 , H01J43/246 , H01J2231/50063 , H01J2231/5016

65. 发明专利

JP4832898B2 Electron tube 有权
公开(公告)号：JP4832898B2
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：JP2006000252
申请日：2006-01-04
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：末則木村 , 本比呂須山
IPC分类号： H01J43/04 , H01J31/26 , H01J43/12 , H01L31/00

66. 发明专利

JP4756604B2 Multi-anode type photomultiplier tube 有权
公开(公告)号：JP4756604B2
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：JP2006511106
申请日：2004-03-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：益保伊藤 , 孝幸大村 , 晃彦山口 , 末則木村
IPC分类号： H01J43/06 , H01J43/04 , H01J43/20 , H01J43/24
CPC分类号： H01J43/04

67. 发明专利

JP4246995B2 Electron beam detector, scanning electron microscope, the mass spectrometer, and an ion detector 有权
公开(公告)号：JP4246995B2
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2002561972
申请日：2002-01-30
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：淳木舩 , 俊光永井 , 稔近藤
IPC分类号： G01T1/20 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01N27/64 , G01T1/202 , H01J29/38 , H01J37/244 , H01J43/04 , H01J43/28 , H01J49/00 , H01J49/06
CPC分类号： H01J49/025 , H01J29/385 , H01J37/244 , H01J43/04 , H01J2237/28

68. 发明专利

JP4173134B2 Photomultiplier tube and methods of use thereof 有权
公开(公告)号：JP4173134B2
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：JP2004506058
申请日：2003-05-15
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：久喜加藤 , 秀人川合 , 剛藤森
IPC分类号： H01J43/22 , H01J43/04 , H01J43/06 , H01J43/12 , H01J43/28
CPC分类号： H01J43/045 , H01J43/12 , H01J43/22 , H01J43/28

69. 发明专利

JP4008354B2 Photomultiplier tube 有权
公开(公告)号：JP4008354B2
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：JP2002566520
申请日：2002-02-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：久喜加藤 , 秀人川合
IPC分类号： H01J43/28 , H01J43/04 , H01J43/06 , H01J43/18 , H01J43/22
CPC分类号： H01J43/28 , H01J43/045 , H01J43/06 , H01J43/18 , H01J43/22

70. 发明专利

JP2007184119A Electron tube 有权
标题翻译：电子管
公开(公告)号：JP2007184119A
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：JP2006000252
申请日：2006-01-04
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： KIMURA SUENORI , SUYAMA MOTOHIRO
IPC分类号： H01J43/04 , H01J31/26 , H01J43/12 , H01L31/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron tube capable of improving light detection sensitivity while securing response speed. SOLUTION: The electron tube 1 is provided with a housing 2 of which inside is maintained in vacuum, a photoelectric surface 10 formed on the vacuum side of an input surface plate 3 of the housing 2, a semiconductor element 11 which is installed so as to be opposed to the photoelectric surface 10 in the housing 2 and converts electrons emitted from the photoelectric surface 10 into an electric signal, and a plurality of electrodes which are provided at prescribed spacings between the photoelectric surface 10 and the semiconductor element 11 along the inner wall of the housing 2 electrically independently of the photoelectric surface 10 and have an opening part to pass the electrons. A positive voltage to the photoelectric surface 10 is impressed to an intermediate electrode 6a arranged at the nearest location to the photoelectric surface 10 out of the plurality of electrodes, and a voltage same as or lower than the voltage impressed on the intermediate electrode 6a is impressed to an intermediate electrode 6b arranged between the intermediate electrode 6a and the semiconductor element 11 out of the plurality of electrodes. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在确保响应速度的同时提高光检测灵敏度的电子管。电子管1设置有内部保持真空的壳体2，形成在壳体2的输入面板3的真空侧的光电面10，安装有半导体元件11的半导体元件11 以便与壳体2中的光电表面10相对，并将从光电表面10发射的电子转换为电信号，并且沿着光电表面10和半导体元件11之间以规定间隔设置的多个电极壳体2的内壁与光电表面10电独立并且具有使电子通过的开口部分。将向光电表面10的正电压施加到布置在多个电极中与光电表面10最近位置的中间电极6a，并且施加与施加在中间电极6a上的电压相同或更低的电压到设置在多个电极中的中间电极6a和半导体元件11之间的中间电极6b。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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