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61. 发明专利

JP6061129B2 放射線検出器の製造方法有权
标题翻译：一种制造辐射探测器的方法
公开(公告)号：JP6061129B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2012202723
申请日：2012-09-14
申请人：株式会社島津製作所
发明人：徳田敏 , 吉牟田利典 , 岸原弘之 , 貝野正知 , 吉松聖菜 , 土岐貴弘 , 佐藤敏幸
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/08 , G01T1/24
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521

62. 发明专利

JP6026508B2 バックコンタクト型太陽電池のエミッタの製造方法有权
标题翻译：背接触太阳能电池的发射极的制造方法
公开(公告)号：JP6026508B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2014508344
申请日：2012-02-15
申请人：サンパワーコーポレイション
发明人：リ、ボ , カズンズ、ピーター、ジェイ. , スミス、デーヴィッド、ディー.
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

63. 发明专利

JP2016189485A n型拡散層形成組成物、n型拡散層を有する半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法有权
标题翻译： N型扩散层形成组合物，具有N型扩散层的半导体衬底的制造方法和太阳能电池元件的制造方法
公开(公告)号：JP2016189485A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2016129296
申请日：2016-06-29
申请人：日立化成株式会社
发明人：佐藤鉄也 , 吉田誠人 , 野尻剛 , 芦沢寅之助 , 倉田靖 , 町井洋一 , 岩室光則 , 織田明博 , 清水麻理
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/225
CPC分类号： H01L21/2255 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , H01L21/2225 , H01L21/324 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , C08L1/28 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】細線状のn型拡散層を線幅の肥大を抑制しつつ形成することが可能なn型拡散層形成組成物、n型拡散層を有する半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。【解決手段】ドナー元素を含む化合物と、分散媒と、有機フィラーと、を含有するn型拡散層形成組成物、n型拡散層を有する半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够形成薄的n型扩散层，同时防止线宽增加的n型扩散层形成组合物，具有n型扩散层的半导体衬底的制造方法和制造方法的太阳能电池元件。制造方法：提供一种n型扩散层形成组合物，其含有含有施主元素，分散介质和有机填料的化合物，包括n型扩散层的半导体衬底的制造方法，以及太阳能电池元件的制造方法

64. 发明专利

JP2016525276A 効率が安定した光起電力素子の製造方法および製造装置有权
标题翻译：一种用于制造稳定的光电元件的效率的方法和装置
公开(公告)号：JP2016525276A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2016522294
申请日：2013-09-26
申请人：ユニバシテートコンスタンツ , ユニバシテートコンスタンツ
发明人：アクセルヘルグート， , アクセルヘルグート， , スヴェンジャウィルキング， , スヴェンジャウィルキング，
IPC分类号： H01L31/068 , C23C28/00
CPC分类号： H01L31/1864 , F27B9/066 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：効率が安定した光起電力素子を製造する方法、および該方法を実行するのに使用してもよい装置であって、例えば特別に対応した連続炉の形式の装置を提供する。これにより、エミッタ層および電気接点を備えるシリコン基板は安定化処理工程が施される。この工程において、例えば水素化窒化シリコン層からの水素は、例えば最大温度の領域(2)内でシリコン基板に導入される。その後シリコン基板は、水素の流出を避けるために、領域(3)内で合目的的に急速に冷却されてもよい。その後シリコン基板は、例えば領域(4)において、例えば少なくとも10秒間、230℃〜450℃の温度範囲内で合目的的に維持されてもよい。これにより、先に導入された水素は、好都合な結合状態を呈することが可能である。同時にあるいはその後、再生は、少なくとも90℃、好ましくは少なくとも230℃の温度で、基板内に過剰少数電荷キャリアを生成することによって行われてもよい。全体として、提案された方法によって、光起電力素子の製造における再生処理を、例えば、適切に修正された連続炉内で行われてもよいように、大幅に加速されてもよい。【選択図】図3
摘要翻译：效率是提供一种用于制造光伏器件的方法稳定，并且可以用于执行该方法的装置，的连续炉形式的装置中，例如，相应的特殊。因此，执行所述发射极层和具有电接触稳定化处理的硅衬底。在该步骤中，例如，从氢化氮化硅层中的氢被导入到硅衬底，例如，该区域的上限温度（2）。此后在硅衬底中，为了避免氢的流出，区域（3）可以被快速方便地内冷却。此后在硅衬底，例如在区域（4），如至少10秒，可以故意保持在温度范围230℃至450℃.. 因此，氢先前介绍，也能够显示出良好的结合条件。同时或随后，再现是至少90℃，优选在至少230℃的温度，它可以通过在基板生成过量少数电荷载流子来进行。总体而言，所提出的方法，在光生伏打器件的制造中的再现过程中，例如，如可在适当修改的连续炉中进行可大大加快。点域

65. 发明专利

JP5945008B2 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法有权
标题翻译：用于制造太阳能电池元件和太阳能电池元件的方法
公开(公告)号：JP5945008B2
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：JP2014554474
申请日：2013-12-25
申请人：京セラ株式会社
发明人：細見和徳 , 大場健二
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/065 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521

66. 发明专利

JP2016103642A 太陽電池及びその製造方法有权
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：JP2016103642A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015231421
申请日：2015-11-27
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：ハジュンミン , キムスンジン , チョンジュファ , アンチョンヨン , チェヒョンウク , チャンウォンジェ , キムジェスン
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要：【課題】本発明は、太陽電池及びその製造方法に関するものである。【解決手段】本発明の一例に従う太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の第1面の上に位置するトンネル層と、トンネル層の上に位置し、第1導電型の不純物を含有する第1導電型半導体部と、半導体基板の反対面である第2面に位置し、第1導電型と反対である第2導電型の不純物を含有する第2導電型半導体部と、第1導電型半導体部の上に位置する第1パッシベーション膜と、第1パッシベーション膜の上に形成され、前記第1パッシベーション膜に形成された開口部を通じて第1導電型半導体部に接続される第1電極と、第2導電型半導体部の上に位置する第2パッシベーション膜と、第2パッシベーション膜の上に形成され、第2パッシベーション膜に形成された開口部を通じて第2導電型半導体部に接続される第2電極と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供太阳能电池和制造太阳能电池的方法。解决方案：太阳能电池包括：半导体衬底; 位于所述半导体衬底的第一表面上的隧道层; 位于隧道层上的第一导电型半导体部件，其含有第一导电类型的杂质; 位于与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的作为所述半导体衬底的相对表面的第二表面上的第二导电型半导体部件; 位于第一导电型半导体部件上的第一钝化膜; 形成在所述第一钝化膜上并经由形成在所述第一钝化膜中的开口连接到所述第一导电型半导体部件的第一电极; 位于第二导电型半导体部件上的第二钝化膜; 以及形成在第二钝化膜上的第二电极，并且经由第二钝化膜中形成的开口连接到第二导电型半导体部件。图1

67. 发明专利

JP5881717B2 太陽電池及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5881717B2
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：JP2013532701
申请日：2011-04-27
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：ベ、ドウォン
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/1864 , Y02E10/541 , Y02P70/521

68. 发明专利

JP2015535389A フォトニクス構造の形成方法有权
标题翻译：形成光子结构的方法
公开(公告)号：JP2015535389A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2015529848
申请日：2013-08-15
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：エス．サンデュ，ガーテ , エス．サンデュ，ガーテ
IPC分类号： H01L27/146 , G02B6/12 , G02B6/134 , G02F1/015 , G02F1/025 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L27/15 , H01L31/0232
CPC分类号： G02B6/42 , G02B6/122 , G02B2006/12169 , H01L21/324 , H01L27/0617 , H01L31/02327 , H01L31/1864
摘要：開示する実施形態は、集積回路構造、および電子デバイスを含むCMOS半導体構造の製造の後工程にフォトニックデバイスが形成される集積回路構造の形成方法に関する。フォトニックデバイスに関連するドープ領域が、ドーパント活性化のためのマイクロ波アニーリングを使用して形成される。【選択図】図1
摘要翻译：所公开的实施例中，集成电路结构，以及CMOS半导体结构的制造包括电子装置之后形成集成电路结构光子器件处理的方法形成。使用微波退火掺杂剂活化，形成与所述光子装置相关联的掺杂区。点域1

69. 发明专利

JP2015201649A 印刷可能半導体素子を製造して組み立てるための方法及びデバイス有权
标题翻译：用于制造和组装可打印半导体元件的方法和装置
公开(公告)号：JP2015201649A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2015095093
申请日：2015-05-07
申请人：ザボードオブトラスティーズオブザユニヴァーシティーオブイリノイ
发明人：ヌッツォ, ラルフ, ジー. , ロジャーズ, ジョン, エー. , メナード, エティエンヌ , リー, ケオンジェー , カン, ダール‐ヤン , サン, ユギャン , メイトル, マシュー , ツウ, ツェンタオ
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L27/08 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L21/28 , H01L31/10 , H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0232 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02521 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L24/03 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1896 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , B81C2201/0185 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80006 , H01L2224/80121 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/83005 , H01L2224/83121 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/707 , Y10S977/724
摘要：【課題】印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。【解決手段】印刷可能半導体素子150は高分子転写デバイス175又は複合高分子転写デバイスの接触面170とコンフォーマル接触され、印刷可能半導体素子が接触面上に接触される。コンフォーマブルな転写デバイスの接触面上に堆積された印刷可能半導体素子は、接触面と基板160の受け面との間でコンフォーマルな接触を成す態様で基板の受け面と接触される。接触面は基板の受け面と接触される印刷半導体素子から分離され受け面上に組み立てられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装到基板表面上的方法和装置。解决方案：可印刷半导体元件150与聚合物转移装置175或触点复合聚合物转移装置的表面170和可印刷的半导体元件在接触表面上接触。积聚在共形接触装置的接触表面上的可印刷半导体元件以与基板160的接触表面和接收表面之间进行保形接触的形式与基板的接收表面接触。接触表面与与基板的接收表面接触的可印刷半导体元件分离并组装在接收表面上。

70. 发明专利

JP2015170732A レーザ加熱処理方法、及び、固体撮像装置の製造方法审中-公开
标题翻译：激光加热处理方法和固态图像拾取装置的制造方法
公开(公告)号：JP2015170732A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014044723
申请日：2014-03-07
申请人：株式会社東芝
发明人：福水裕之 , 笠井良夫 , 南孝明 , 吉野健一 , 北村陽介 , 今野有作 , 河村好一 , 加藤賢 , 桜井直明
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/268
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14685
摘要：【課題】対象物の形状変化を抑制しつつ加熱するレーザ加熱処理方法、及び、固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の表面に凹凸部が設けられた構造体を覆うように、前記構造体よりも融点の高いSiO2、Si3N4及びSiONの少なくとも1つを含む膜を形成し、レーザ波長に対する透過率が前記構造体よりも前記膜が高いレーザを用いて、前記膜及び前記構造体にレーザを照射して前記構造体を加熱する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在抑制物体的形状变化的同时进行加热的激光加热处理方法，并提供固体摄像装置的制造方法。解决方案：激光加热处理方法包括：形成膜含有SiO 2，Si 3 N 4和SiON中的至少一种，其熔点高于在基板的表面上设置有不平坦部分以覆盖该结构的结构的熔点; 并且通过用激光器的激光器的透射率比该结构更高的激光照射该膜和该结构来加热该结构。

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