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1. 发明专利

JP6425448B2 光電変換装置、および、撮像システム审中-公开
公开(公告)号：JP6425448B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014156791
申请日：2014-07-31
申请人：キヤノン株式会社
发明人：田代和昭 , 海部紀之 , 高橋秀和
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369 , H01L31/10
CPC分类号： H04N5/37452 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14665 , H01L27/14694 , H01L27/14696 , H04N5/3575 , H04N5/3597 , H04N5/374 , H04N5/3745

2. 发明专利

JP2017073550A 撮像装置、モジュール、および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2017073550A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016198648
申请日：2016-10-07
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：楠本直人
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H04N5/353 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14641 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14616 , H01L27/14643 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H04N5/23293 , H04N5/37452 , H04N5/37457 , H04N5/376 , H04N5/378 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14663 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L29/7869 , H01L31/0272
摘要：【課題】複数の画素でトランジスタを共有する構成を有し、グローバルシャッタ方式で撮像することができる撮像装置を提供する。【解決手段】複数の画素において電荷検出部の電位をリセットするトランジスタ、電荷検出部の電位に対応した信号の出力を行うトランジスタ、および画素を選択するトランジスタを共有する構成を有し、電源線と光電変換素子との間にトランジスタを有し、当該トランジスタを導通させることで露光を行い、当該トランジスタを非導通とさせることで、電荷保持部に撮像データを保持する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2017041878A 撮像装置およびその動作方法、ならびに電子機器审中-公开
标题翻译：的摄像装置和方法的操作，以及电子设备，
公开(公告)号：JP2017041878A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016156104
申请日：2016-08-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：王丸拓郎 , 楠本直人 , 林健太郎
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/374 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14616 , H01L27/14643 , H04N5/23245 , H04N5/347 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H01L27/14609 , H01L27/14696
摘要：【課題】消費電力の低減が可能な撮像装置を提供すること。【解決手段】画素を有する撮像装置であり、画素は第1の光電変換素子および第2の光電変換素子と、第1のトランジスタ乃至第5のトランジスタと、を有する。第1の光電変換素子のカソードは、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、第2の光電変換素子のアノードは、第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。該撮像装置では、第1の光電変換素子により基準フレームの撮像データを取得後、第2の光電変換素子により差分検出用フレームの撮像データを取得する。そして、差分検出用フレームの撮像データの取得後に画素から出力される信号の電位である第1の電位と、基準電位である第2の電位とを比較する。第1の電位と第2の電位により、基準フレームの撮像データと差分検出用フレームの撮像データとの間に差分が有るか否かを判定する。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种能够减少电力消耗的图像拾取装置。具有A像素的成像装置中，像素包括第一光电转换元件和第二光电转换元件，通过第五晶体管的第一晶体管。第一光电转换元件的阴极电连接到源极中的一个与所述第一晶体管的漏极，所述第二光电转换元件的阳极，一个电源和所述第二晶体管的漏极它是连接到。在成像装置中，之后，由第二光电转换元件由第一光电转换元件获得的参考帧的成像数据，并获取该差分检测帧的成像数据。然后，比较所述第一电势是从像素输出的信号的获取差检测框和第二电势的图像数据的后的电位的基准电位。所述第一和第二电位确定差值是否是成像数据的成像数据和参考帧的差异检测框之间。 1点域

4. 发明专利

JP5855700B2 画素回路およびそれを用いた光電変換装置有权
标题翻译：像素电路和使用其的光电转换装置
公开(公告)号：JP5855700B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2014100629
申请日：2014-05-14
申请人：ローム株式会社
发明人：西山寛 , 江角尚史
IPC分类号： H04N5/357 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/378 , G06F17/30029 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L27/14665 , H04N21/2543 , H04N21/25866 , H04N21/25891 , H04N21/2743 , H04N21/278 , H04N21/4223 , H04N21/4532 , H04N21/458 , H04N21/47205 , H04N21/4756 , H04N21/4758 , H04N21/4828 , H04N21/812 , H04N21/854 , H04N5/2253 , H04N5/33 , H04N5/35563 , H04N5/3696 , H04N5/3765 , H04N9/045 , H04N9/646 , H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14696 , H01L31/0322

5. 发明专利

JP2015119067A 固体撮像装置、光検出器、および電子機器审中-公开
标题翻译：固态图像拾取器件，光电转换器和电子器件
公开(公告)号：JP2015119067A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013262101
申请日：2013-12-19
申请人：ソニー株式会社
发明人：戸田淳
IPC分类号： H04N5/33 , H04N5/369 , H01L31/10 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/14696 , H01L31/035209 , H01L31/109 , H01L27/14683
摘要：【課題】赤外光の検出において、量産化および低コスト化を図ることができる。【解決手段】光電変換部は、FeS 2 層とZnS層とのヘテロ界面を多数有するMQW構造となっている。このMQW構造は、電子親和力x S とバンドギャップエネルギEgから、バンド構造が形成され、かつ、格子不整合率が1%以下とほぼ格子整合条件となる。また光電変換部のMQWの厚みを10nm以下とすることで、トンネル効果でキャリアが隣の井戸に移動可能となり、準位が多数存在するサブバンドが形成される。このとき、サブバンド間の遷移により、実効的にバンドギャップが狭くなる効果と同じになり、結果として、波長λ~3.7μmの中赤外IR光でも吸収が可能となり、長波長IR光を検知できることになる。本開示は、例えば、撮像装置に用いられるCMOS固体撮像素子に適用することができる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于红外光检测的固态摄像装置，光电检测器和电子装置，能够批量生产和实现低成本。解决方案：光电转换部件具有具有大量FeS和ZnS层的异质界面的MQW结构。对于MQW结构，带结构由电子亲和力x和带隙能量Eg形成，晶格失配率为1％以下，几乎形成晶格匹配条件。此外，通过使光电转换部的MQW的厚度为10nm以下，由于隧道效应，允许载流子移动到相邻的阱，并且形成涉及多个级别的子带。在这种情况下，结果等同于由于子带之间的转变而有效地缩窄带隙的效果; 因此，可以吸收波长λ约为3.7μm的均匀的中红外IR光，因此可以感测到长波长的IR光。其公开内容适用于例如用于图像拾取装置的CMOS固态图像拾取元件。

6. 发明专利

JP5621919B2 放射線検出器の製造方法および放射線検出器有权
标题翻译：放射线检测器的制造方法和放射线检测器
公开(公告)号：JP5621919B2
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：JP2013508738
申请日：2012-03-19
申请人：株式会社島津製作所
发明人：正知貝野 , 正知貝野 , 敏徳田 , 敏徳田 , 吉牟田　利典 , 利典吉牟田 , 弘之岸原 , 弘之岸原 , 聖菜吉松 , 聖菜吉松 , 佐藤　敏幸 , 敏幸佐藤 , 桑原　章二 , 章二桑原
IPC分类号： G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/08 , H04N5/32 , H04N5/374
CPC分类号： H01L31/18 , A61B6/4233 , H01L27/14676 , H01L27/14696 , H01L31/0272

7. 发明专利

JP4547760B2 Radiation detector and a radiation imaging apparatus 有权
公开(公告)号：JP4547760B2
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：JP2000051862
申请日：2000-02-28
申请人：株式会社島津製作所
发明人：敏幸佐藤 , 敏徳田
IPC分类号： G01T1/24 , G01T1/29 , G01T7/00 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09 , H01L31/115
CPC分类号： H01L27/14696 , H01L27/14676 , H01L31/115
摘要： In a radiation detector, a polycrystalline film is formed by a closed spaced sublimation using a sintered material of at least one of a CdTe and CdZnTe powder. The CdTe or CdZnTe film has a thickness sufficient to catch radiation and a large area corresponding to a size of a supporting base plate, which can be obtained in a short time. Thus, a radiation detector and a radiation image taking device having a large area can be obtained.

8. 发明专利

JP4397012B2 Semiconductor image sensor and a method of manufacturing the same with a hole-type electrode 有权
公开(公告)号：JP4397012B2
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：JP2001339711
申请日：2001-11-05
申请人：三菱重工業株式会社 , 独立行政法人宇宙航空研究開発機構
发明人：康水野 , 忠幸高橋 , 能克黒田
IPC分类号： H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146 , H01L31/0296 , H04N5/32
CPC分类号： H01L27/14676 , G01T1/241 , H01L27/14634 , H01L27/14696 , H01L31/0296 , H04N5/2253 , H04N5/32

9. 发明专利

JPS5749263A Manufacture of close contact type image sensor 失效
标题翻译：闭式接触式图像传感器的制造
公开(公告)号：JPS5749263A
公开(公告)日：1982-03-23
申请号：JP12399280
申请日：1980-09-09
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd , Matsushita Graphic Commun Syst Inc , Nippon Telegr & Teleph Corp
发明人： KOMIYA KAZUMI , YAMASHITA TOSHIO , OONO MASARU
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0264 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14678 , H01L27/14692 , H01L27/14696
摘要： PURPOSE: To obtain a highly sensitive image sensor, which is excellent in adhesion to a substrate, by a method wherein CdS or CdTe is formed on an insulative substrate and treated in a Cd halide vapor at a temperature above the eutectic temperature between CdS or CdTe and the Cd halide in order to form a solid solution.
CONSTITUTION: On a glass substrate 1, CdS 2 of approximately 1μm is chemically deposited, and as a sensitizing agent CdSe or CdTe 3 is deposited thereon by evaporation. The composition ratio of the CdSe or CdTe to the CdS is controlled so that desired characteristics such as spectral sensitivity are obtained. Then, this is placed in a semi-closed container together with a small amount of CdCl
2 powder and treated at a temperature above the eutectic temperature, 450°C, between CdS and CdCl
2 in order to form a solid solution film 4. The film 4 is selectively removed to form an arrangement of small photoelectric transducer films 5. Then, NiCr-Au electrodes 6 are selectively formed on both sides of each transducer to reach completion. By said constitution, the solid solution can be obtained at a relatively low temperature as well as crystal growth and uniform impurity doping can be performed. Accordingly it is possible to obtain an image sensor which optically responds at a higher speed and with a higher sensitivity.
COPYRIGHT: (C)1982,JPO&Japio
摘要翻译：目的：通过CdS或CdTe形成于绝缘基片上并在CdS或CdTe之间的共晶温度以上的镉卤化物蒸气中进行处理的方法，获得对基片粘合性好的高灵敏度图像传感器和镉卤化物以形成固溶体。构成：在玻璃基板1上，化学沉积约1μm的CdS 2，作为敏化剂，通过蒸发沉积CdSe或CdTe 3。控制CdSe或CdTe与CdS的组成比，从而获得所需的特性如光谱灵敏度。然后将其与少量CdCl 2粉末一起放入半封闭容器中，并在高于共晶温度450℃的CdS和CdCl 2之间的温度下处理以形成固溶体膜4.膜选择性地去除4以形成小型光电传感器膜5的布置。然后，NiCr-Au电极6选择性地形成在每个换能器的两侧以达到完成。通过所述构成，可以在相对低的温度下获得固溶体以及晶体生长，并且可以进行均匀的杂质掺杂。因此，可以获得以更高的速度和更高的灵敏度进行光学响应的图像传感器。

10. 发明专利

JP2017017324A 光電変換素子、撮像装置审中-公开
标题翻译：光电转换元件，成像设备
公开(公告)号：JP2017017324A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016129999
申请日：2016-06-30
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 野中裕介 , 堅石李甫 , 大木博史 , 佐藤優一 , 松林大介
IPC分类号： H01L27/14 , H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/369 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14647 , H01L27/14665 , H01L27/14694 , H01L27/14696 , H01L31/0224 , H01L31/022475 , H01L31/0272 , H01L31/0296 , H01L31/109 , H01L27/14621 , H01L27/14627
摘要：【課題】撮像性能の優れた撮像装置を提供する。または、低照度下での撮像が容易な撮像装置を提供する。または、低消費電力の撮像装置を提供する。または、画素間の特性ばらつきの小さい撮像装置を提供する。または、集積度の高い撮像装置を提供する。【解決手段】第1の電極と、第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有し、第1の層は、第1の電極と第3の層との間に設けられ、第2の層は、第1の層と第3の層との間に設けられ、第1の層は、セレンを有し、第2の層は、金属酸化物を有し、第3の層は、金属酸化物を有し、第3の層は、さらに、希ガス原子、リン、または、ホウ素の少なくとも一つを有する、光電変換素子である。前記セレンは、結晶セレンとしてもよい。第2の層は、c軸配向した結晶を有するIn−Ga−Zn酸化物としてもよい。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种优良的成像设备的成像性能。或者，低照明度下的成像提供容易成像装置。或者，以提供具有低功耗的成像设备。或在像素之间的特性提供一种小型摄像装置的变化。或者提供一种高度集成的成像装置。和第一电极，第一层和第二层，第三层，第一层，所述第一电极和所述第三层之间提供，在第一层和第三层之间的第二层，所述第一层具有硒，具有金属氧化物的第二层，所述第三层具有金属氧化物，所述第三层，进一步，稀有气体原子，磷或硼具有的至少一个，光电转换元件。硒可以是晶体硒。所述第二层可以是的In-Ga-Zn系具有取向的晶体c轴氧化物。点域1

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