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1. 发明专利

JP6352349B2 太陽電池及び太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP6352349B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2016158700
申请日：2016-08-12
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：イマン , リテヨン , キムチョンキョ , アンチョンヨン
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521

2. 发明专利

JP2017208569A 太陽電池及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017208569A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2017149116
申请日：2017-08-01
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：ハジュンミン , キムスンジン , チョンジュファ , アンチョンヨン , チェヒョンウク , チャンウォンジェ , キムジェスン
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要：【課題】本発明は、太陽電池及びその製造方法に関するものである。【解決手段】本発明の一例に従う太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の第1面の上に位置するトンネル層と、トンネル層の上に位置し、第1導電型の不純物を含有する第1導電型半導体部と、半導体基板の反対面である第2面に位置し、第1導電型と反対である第2導電型の不純物を含有する第2導電型半導体部と、第1導電型半導体部の上に位置する第1パッシベーション膜と、第1パッシベーション膜の上に形成され、前記第1パッシベーション膜に形成された開口部を通じて第1導電型半導体部に接続される第1電極と、第2導電型半導体部の上に位置する第2パッシベーション膜と、第2パッシベーション膜の上に形成され、第2パッシベーション膜に形成された開口部を通じて第2導電型半導体部に接続される第2電極と、を含む。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018129511A 太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JP2018129511A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2018019357
申请日：2018-02-06
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：チョヘチョン , オトンヘ , チョンジュファ , アンチョンヨン
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C4/14 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C2204/00 , C03C2205/00 , H01B1/16 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1864 , Y02E10/50
摘要：【課題】開放電圧を向上させつつ、太陽電池の不良を減らすことができる構造の太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池は、第1導電型の不純物を含有する半導体基板110と、第1導電型と反対の第2導電型の不純物を含有する第1導電型領域120と、誘電体材質を含む制御パッシベーション膜160と、第1導電型の不純物が半導体基板110より高濃度でドープされた多結晶シリコン材質を含む第2導電型領域170と、第1導電型領域120と接続される第1電極140と、第2導電型領域170と接続される第2電極150とを含み、第1、第2電極140、150のそれぞれは、金属粒子とガラスフリットを含み、第2電極150に含有される単位体積当たりのガラスフリットの含有量は、第1電極140に含有される単位体積当たりのガラスフリットの含有量より少ない。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017038060A 太陽電池及び太陽電池の製造方法有权
标题翻译：制造太阳能电池和太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2017038060A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2016158700
申请日：2016-08-12
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：イマン , リテヨン , キムチョンキョ , アンチョンヨン
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1864
摘要：【課題】本発明は、太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る太陽電池の製造方法の一例は、第1導電型の不純物を含有した半導体基板の一面全体に第2導電型の不純物を注入する段階と半導体基板の一面と側面の全面と半導体基板の反対面の端までドーピング防止膜を形成する段階と、半導体基板の反対面に高濃度で第1導電型の不純物を注入する段階と、半導体基板を熱処理して、半導体基板に第2導電型のエミッタ部と第1導電型の背面電界部を同時に形成する熱処理工程と、ドーピング防止膜を除去する洗浄工程とを含む。このように製造された本発明の一例に係る太陽電池においてエミッタ部は、半導体基板の側面に、さらに位置するが、半導体基板の反対面の端の側面まで位置し、背面電界部は半導体基板の反対面の端に位置するエミッタ部から離隔される。【選択図】図1
摘要翻译：本发明涉及的太阳能电池的制造方法。对于根据本发明的制造太阳能电池的方法的实例包括，在阶段的一个表面和侧面以及一个含有第一导电类型杂质的半导体衬底的整个一个表面上注入第二导电类型的杂质的半导体衬底形成在整个表面上和掺杂防止膜的半导体基板的相对表面的边缘，其特征在于注入的高浓度第一导电类型杂质注入到所述半导体衬底的相对表面的步骤，通过热处理所述半导体基板，在半导体基板它包括同时形成的第一导电类型的第二导电类型背表面场部的发射极一热处理步骤，以及去除所述掺杂防止层的清洁步骤。根据这样制造的本发明中，半导体衬底的侧表面的一个例子的太阳能电池发射极部分，尽管另外的位置，位于所述半导体基板的相对表面的端部的一侧，背面场区域是在半导体衬底的它是由位于相对面的端部的发射极分离。点域1

5. 发明专利

JP2016103642A 太陽電池及びその製造方法有权
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：JP2016103642A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015231421
申请日：2015-11-27
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：ハジュンミン , キムスンジン , チョンジュファ , アンチョンヨン , チェヒョンウク , チャンウォンジェ , キムジェスン
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要：【課題】本発明は、太陽電池及びその製造方法に関するものである。【解決手段】本発明の一例に従う太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の第1面の上に位置するトンネル層と、トンネル層の上に位置し、第1導電型の不純物を含有する第1導電型半導体部と、半導体基板の反対面である第2面に位置し、第1導電型と反対である第2導電型の不純物を含有する第2導電型半導体部と、第1導電型半導体部の上に位置する第1パッシベーション膜と、第1パッシベーション膜の上に形成され、前記第1パッシベーション膜に形成された開口部を通じて第1導電型半導体部に接続される第1電極と、第2導電型半導体部の上に位置する第2パッシベーション膜と、第2パッシベーション膜の上に形成され、第2パッシベーション膜に形成された開口部を通じて第2導電型半導体部に接続される第2電極と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供太阳能电池和制造太阳能电池的方法。解决方案：太阳能电池包括：半导体衬底; 位于所述半导体衬底的第一表面上的隧道层; 位于隧道层上的第一导电型半导体部件，其含有第一导电类型的杂质; 位于与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的作为所述半导体衬底的相对表面的第二表面上的第二导电型半导体部件; 位于第一导电型半导体部件上的第一钝化膜; 形成在所述第一钝化膜上并经由形成在所述第一钝化膜中的开口连接到所述第一导电型半导体部件的第一电极; 位于第二导电型半导体部件上的第二钝化膜; 以及形成在第二钝化膜上的第二电极，并且经由第二钝化膜中形成的开口连接到第二导电型半导体部件。图1

6. 发明专利

JP6538009B2 太陽電池及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6538009B2
公开(公告)日：2019-07-03
申请号：JP2016134832
申请日：2016-07-07
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：リテヨン , アンチョンヨン , イマン , キムチョンキョ
IPC分类号： H01L31/068 , H01L21/265 , H01L31/18

8. 发明专利

JP2017022379A 太陽電池及びその製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造的方法
公开(公告)号：JP2017022379A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2016134832
申请日：2016-07-07
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：リテヨン , アンチョンヨン , イマン , キムチョンキョ
IPC分类号： H01L31/068 , H01L21/265 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , H01L31/1864
摘要：【課題】高い効率及び生産性を持つ太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施例による太陽電池の製造方法は、半導体基板にまたは半導体層の少なくとも一面上にバリア膜を形成する段階と、前記バリア膜を通じて第1導電性ドーパントをイオン注入して前記半導体基板または前記半導体層の前記一面に第1導電領域を形成する段階と、前記バリア膜を除去する段階とを含む。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供一种太阳能电池和制造具有高效率和生产率及其方法。制造根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的方法包括：在半导体衬底或半导体层的至少一个表面上形成的阻挡膜的工序，所述第一导电掺杂剂是通过离子阻挡膜植入包括在半导体衬底或半导体层的所述一个表面上形成第一导电区，以及去除所述阻挡膜。点域1

9. 发明专利

JP2017017323A 太陽電池及びその製造方法有权
标题翻译：太阳能电池及其制造的方法
公开(公告)号：JP2017017323A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016129864
申请日：2016-06-30
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：チャンウォンジェ , キムスンジン , チョンジュファ , アンチョンヨン
IPC分类号： H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/03685 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/1864
摘要：【課題】高い効率及び生産性を持つ太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施例による太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の一面上に位置し、前記半導体基板とは違う結晶構造を持ち、ドーパントを含むドーパント層を含み、前記ドーパント層は、界面層を挟んで厚さ方向に積層される複数の半導体層を含み、前記界面層は、前記複数の半導体層のそれぞれより高い酸素濃度を持つ酸化物層である。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供一种太阳能电池和制造具有高效率和生产率及其方法。根据本发明的一个实施例的太阳能电池包括：半导体衬底，设置在所述半导体基板的一个表面上，所述具有不同的晶体结构的半导体基板从包括含有掺杂剂的掺杂剂层，所述掺杂剂层包括多个层叠在通过接口层的厚度方向的半导体层的，界面层是具有更高的氧浓度高于所述多个半导体层的氧化物层。点域1

10. 发明专利

JP6795653B2 太陽電池及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6795653B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2019087643
申请日：2019-05-07
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：ハジュンミン , キムスンジン , チョンジュファ , アンチョンヨン , チェヒョンウク , チャンウォンジェ , キムジェスン
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/18

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