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61. 发明专利

JP3491402B2 Single crystal manufacturing method and apparatus for producing a single crystal 失效
公开(公告)号：JP3491402B2
公开(公告)日：2004-01-26
申请号：JP20061095
申请日：1995-08-07
申请人：株式会社デンソー
发明人：泰男木藤 , 尚宏杉山 , 鈴木　　昌彦
IPC分类号： C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36
CPC分类号： C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B29/48
摘要： A process for growing a single crystal comprises providing a single crystal substrate acting as a seed crystal above a source material in a container, heating the source material in an inert gas atmosphere in the container to form a sublimed source material, and discharging the sublimed source material from the container through a port above the single crystal substrate, to cause the sublimed source material to flow along and in parallel with a surface of the single crystal substrate, and grow a single crystal on the surface of the single crystal substrate.

62. 发明专利

JP2003536189A The method of generating the ultra-thin protective coating over 审中-公开
公开(公告)号：JP2003536189A
公开(公告)日：2003-12-02
申请号：JP2002502195
申请日：2001-05-31
申请人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー
发明人：アンジェロ、ジェイムズ、イー , ダイクス、ジョン、ダブリュ , ホーン、ジョエル、ダブリュ , モスリー、ウィリアム、ディー
IPC分类号： C01B31/02 , C23C14/06 , C23C14/30 , C23C14/34 , C23C14/46 , C23C14/58 , C30B23/02 , C30B33/00 , G11B5/255 , G11B5/31 , G11B5/40 , G11B5/72 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B7/12 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B11/105
CPC分类号： G11B5/8408 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152 , C23C14/0605 , C23C14/30 , C23C14/3414 , C23C14/46 , C30B23/02 , C30B29/02 , C30B33/00 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/3163 , G11B5/40 , G11B5/722 , G11B5/82 , G11B7/122 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B11/10582 , G11B11/10586 , Y10S977/734 , Y10S977/847 , Y10S977/89
摘要： (57)【要約】フラーレンの標的が、真空室において基体と共に置かれる。荷電したビーム２０６、即ち電子ビーム又はイオンビームは、標的からフラーレン分子を放出させるために適当な出力であって、標的フラーレンより高級の分子構造を有するフラーレンの重大な量を形成するには十分に高くない出力を用いて、標的２０８に向けられる。フラーレン２１６は基体２１２上に付着される。フラーレンを付着させるために用いられる方法とは無関係に、基体２１２は、付着中に、フラーレン−対−フラーレン脱着温度以上の温度に加熱されてフラーレンのおよそ単一の層からなるコーティングを形成することができる。

63. 发明专利

JP2003282602A SUBSTRATE FOR CRYSTAL GROWTH AND ZnO COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：用于晶体生长和ZnO化合物半导体器件的衬底
公开(公告)号：JP2003282602A
公开(公告)日：2003-10-03
申请号：JP2002086247
申请日：2002-03-26
申请人： Stanley Electric Co Ltd , スタンレー電気株式会社
发明人： KATO HIROYUKI , SANO MICHIHIRO
IPC分类号： C30B23/08 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/205 , H01L21/36 , H01L21/365 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02554 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/02609 , Y10T428/265
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that crystalline defect is readily generated in the single crystal of a ZnO compound semiconductor. SOLUTION: The ZnO compound semiconductor single crystal of a hexagonal crystalline structure is grown on the layer of single crystal of compound of a hexagonal crystal crystalline structure having a plurality of (0001) surfaces continued stepwise in the a-axis direction so as to be slanted with respect to the a-axis direction of the same. COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：为了解决在ZnO化合物半导体的单晶中容易产生晶体缺陷的问题。解决方案：六方晶结构的ZnO化合物半导体单晶生长在具有在a轴方向上分段连续的多个（0001）表面的六方晶晶体结构的化合物的单晶层上，以便相对于其a轴方向倾斜。版权所有（C）2004，JPO

65. 发明专利

JP2003063893A ZnO/SAPPHIRE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译： ZnO / SAPPHIRE基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2003063893A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：JP2002128757
申请日：2002-04-30
申请人： Murata Mfg Co Ltd , 株式会社村田製作所
发明人： KOIKE JUN , IEGI EIJI
IPC分类号： C30B29/16 , C23C14/08 , C30B23/02 , H03H9/02 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02574 , C30B23/02 , C30B29/16 , Y10S117/902
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide ZnO/sapphire substrate, having an excellent crystallinity and is free from cracks (1, 1, bar-2, 0), and having a ZnO epitaxial film which is epitaxially grown on the R surface (0, 1, bar-1, 2) of sapphire.
SOLUTION: The ZnO/sapphire substrate forms the film of zinc oxide epitaxially on the R surface of sapphire, having a crystalline surface (0, 1, bar-1, 2) parallel with the surface of the substrate, in a way that the crystalline surface (1, 1, bar-2, 0) of (ZnO) is arranged in parallel with the crystalline surface (0, 1, bar-1, 2). The spacing d of the surface (1, 1, bar-2, 0) of ZnO is in the range of 1.623 Å≤d≤1.627 Å.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有优异结晶度并且没有裂纹（1，bar-2,0）的ZnO /蓝宝石衬底，并且具有在R表面（0，...）上外延生长的ZnO外延膜， 1，bar-1,2）蓝宝石。解决方案：ZnO /蓝宝石衬底在蓝宝石的R表面上外延形成氧化锌膜，其具有与衬底表面平行的结晶表面（0,1,1，bar-1,2），其结晶（ZnO）的表面（1,1，bar-2,0）与晶体表面（0,1，bar-1,2）平行排列。 ZnO的表面（1,1，bar-2,0）的间距d在1.623Å的范围内，<= d <= 1.627。

66. 发明专利

JP2003505887A Joining high-temperature super-conductive coating tape 有权
公开(公告)号：JP2003505887A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：JP2001512645
申请日：2000-07-14
申请人：アメリカンスーパーコンダクターコーポレイション
发明人：オットー、アレグザンダー , ビー．ガンブル、ブルース , レオハンスシーム、コーネリス , イー．シュウォール、ロバート , ディ．スカッディール、ジョン , エル．スニッチラー、グレゴリー , ディ．トンプソン、エリオット , ジー．フリッツマイヤー、レスリー , フレシュラー、スティーブン , ユ、ディンガン , エヌ．ジュニアライリー、ギルバート
IPC分类号： B22F7/00 , B22F7/02 , B23K35/36 , C30B5/00 , C30B23/02 , H01B12/06 , H01B13/00 , H01L39/14 , H01L39/24
CPC分类号： H01L39/248 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L39/143 , H01L39/2425 , H01L39/2451 , H01L39/2461 , Y10T428/12028
摘要： (57)【要約】本発明は、双軸加工された高温超伝導被覆に基づく実用的な超伝導導体に関する。特に、可撓性及び曲げ歪み耐性のある製品の製造方法とそれに基づいて製造する製品について述べる。これによって、電流共有の改善、交流条件下でのヒステリシス損失の低減、電気的及び熱的な安定性の強化、被覆高温超伝導（ＨＴＳ）ワイヤにおける他の方法で絶縁された膜間の機械的特性の改善を行う。曲げ歪みに対し感度の高い機能材料を含む多層材料を構成することができ、ここで、この機能材料が配置される領域の曲げ歪みは最小化される。本発明はまた、被覆テープセグメントを接合する手段と、被覆テープの積層や導体要素を終端処理する手段も提供する。１つの実施形態において、第１及び第２高温超伝導体被覆テープ要素（１１ａ、１１ｂ）を含む多層高温超伝導体を提供する。各要素は、ｓ基板（１２ａ、１２ｂ）、基板に成膜される少なくとも１つの緩衝部（１４ａ、１４ｂ）、高温超伝導体層（１６ａ、１６ｂ）、キャップ層（１８ａ、１８ｂ）を含む。第１及び第２高温超伝導体被覆要素は、第１及び第２キャップ層において半田付けや拡散接合される。

67. 发明专利

JP2002544665A Apparatus having a growth method and two reactors of the silicon oxide thin film on a silicon substrate surface 审中-公开
公开(公告)号：JP2002544665A
公开(公告)日：2002-12-24
申请号：JP2000617484
申请日：2000-05-03
申请人：エキシオン
发明人：コル−ヴィン−ポロスキ，ミシェル , ボルソニ，ジル , ラザーリ，ジャン−ピエール
IPC分类号： H01L29/78 , C23C14/02 , C30B23/02 , H01L21/203 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/316 , H01L29/51
CPC分类号： H01L21/28194 , C23C14/024 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02046 , H01L21/31654 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： (57)【要約】【課題】「ピンホール」型の欠陥を含まずに、シリコン表面上に１０Å未満の厚さで二酸化珪素の薄膜を形成すること。【解決手段】シリコン表面を清浄化し、真空下で弱電荷酸化イオンを作り、それらの速度を表面に接近するにつれて実質上ゼロとなるように運動エネルギーを制御しながらイオンを表面へ指向させ、よって、Ｓｉ−Ｓｉ結合を表面上で開裂させ、その結合を酸素イオンで満たし、シリコン基板を５００℃未満に維持し、イオン密度が１０
12 〜１０
14 イオン／ｃｍ
2 ・ｓの範囲となるように基板と相互作用する領域でのイオン密度を制御することからなる、１００面配向のシリコン基板表面の表面上に、１０Å未満の厚さの酸化珪素の薄膜集積電子部品用の高融点酸化物の拡散に対してバリアを形成するのに適する）を成長させる方法。

68. 发明专利

JPS6183699A Molecular beam epitaxial device 失效
标题翻译：分子束外延装置
公开(公告)号：JPS6183699A
公开(公告)日：1986-04-28
申请号：JP20162084
申请日：1984-09-28
申请人： Hitachi Ltd
发明人： MOROI TATSUO , TAMURA NAOYUKI
IPC分类号： C30B23/08 , C30B23/02 , H01L21/203
CPC分类号： C30B23/02
摘要： PURPOSE:To eliminate bad influence of a gas released from a substrate on vacuum condition of a ultra-high vacuum chamber, by releasing the gas from the substrate in a substrate feed chamber, and sending the substrate to a growing chamber. CONSTITUTION:The gate valve 20 is closed, and the substrate feed chamber 30 is opened to atmospheric pressure in a state where the growing chamber 10 is kept in an ultra-high vacuum state. In this state, the cassette having the substrate 50 is sent to the substrate feed chamber 30, and the cassette 40 is placed on the cassette receiving stand 61 of the cassette lift 60. Then, the sub strate feed chamber 30 is hermetically sealed, and evacuated by operation of a high vacuum exhaust device. Then, electricity is applied to the heater 81 by the electric source 83, heat is generated by the heater 81, the heat equalizing plate 82 is heated, the substrate 50 put in the cassette 40 is uniformly heated by its radiation, and a gas in the substrate is released. The substrate 50 from which the gas is released is taken out from the cassette 40 by the manipulator 70, sent from the substrate feed chamber 30 through the gate valve 20 to the growing chamber 10 to grow crystal on the substrate and to make a film.
摘要翻译：目的：为了消除从基板释放的气体对超高真空室的真空状况的不良影响，通过在基板供给室中从基板释放气体，并将基板送至生长室。构成：在生长室10保持在超高真空状态的状态下，关闭闸阀20，将基板供给室30打开至大气压。在该状态下，将具有基板50的盒子送到基板供给室30，将盒40放置在盒式升降机60的盒式收纳台61上。然后，将底板进料室30气密地密封，通过高真空排气装置的操作抽真空。然后，通过电源83对加热器81施加电力，加热器81产生热量，加热均热板82，放入盒40中的基板50被其辐射均匀地加热，衬底被释放。通过操作器70从盒40中取出气体被释放的基板50，从基板供给室30通过闸阀20送到生长室10，在基板上生长晶体并制成膜。

69. 发明专利

JPS6118121A Molecule beam epitaxy apparatus 失效
标题翻译：分子束外观设备
公开(公告)号：JPS6118121A
公开(公告)日：1986-01-27
申请号：JP13711584
申请日：1984-07-04
申请人： Hitachi Ltd
发明人： TAMURA NAOYUKI
IPC分类号： H01L21/268 , C30B23/02 , H01L21/203
CPC分类号： C30B23/02
摘要： PURPOSE:To make a space factor best, to reduce and occupied floor area of the apparatus, and to improve the throughput, by constituting a plural of crystal-growing chambers so that planes passing through the respective chambers have respective phase differences to the vertical direction. CONSTITUTION:The present apparatus is comprised of an inserting chamber 1, a preliminary chamber 2, a carrying chamber 3, six crystal-growing chambers 4-9, and a taking-out chamber 10, each chamber being connected with each vacuum exhausting system corresponding to each application. Substrates can be selectively transferred into the plural of crystal-growing chambers from a linking positon in the carrying chamber, and there exists no dead space. Moreover, crystal-growing chambers are mounted at multi-levels, with being out of phase one another, so that the crystal-growing chambers for respective exclusive uses, for example a Ga and As growing chamber, a Fa, As and Al growing chamber, an In and P growing chamber, etc., are employed, preventing the molecule beam sources from being contaminated when they are not used.
摘要翻译：目的：通过构成多个晶体生长室，使通过各个室的面相对于垂直方向具有相位差，为了减小和占用设备的占地面积并提高通过量，使空间因子最佳。构成：本装置包括插入室1，预备室2，搬运室3，六个晶体生长室4-9和取出室10，每个室与每个真空排气系统相对应到每个应用程序。衬底可以从承载室中的连接位置选择性地转移到多个晶体生长室中，并且不存在死空间。此外，晶体生长室以多层安装，彼此异相，使得用于各种专用的晶体生长室，例如Ga和As生长室，Fa，As和Al生长室，In和P生长室等，防止分子束源在不使用时受到污染。

70. 发明专利

JPS60195094A Production of diamond thin film 失效
标题翻译：生产金刚石薄膜
公开(公告)号：JPS60195094A
公开(公告)日：1985-10-03
申请号：JP4825184
申请日：1984-03-15
申请人： Agency Of Ind Science & Technol , Toshiba Tungaloy Co Ltd
发明人： SATOU MAMORU , SADAHIRO TAKESHI
IPC分类号： C01B31/06 , C30B23/02 , C30B29/04
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/04
摘要： PURPOSE:To form a diamond thin film having excellent adhesivity to the substrate and high density and hardness, by evaporating carbon from a carbon- containing evaporation source to a substrate, and irradiating the substrate with accelerated ion seed simultaneously or alternately to the evaporation. CONSTITUTION:A substrate 7 made of ceramics, carbide alloy, thermet, various metals and alloys, etc. is attached to a holder 8 and placed in a reaction chamber 5 connected with a vacuum pump 6. An evaporation source such as amorphous carbon, graphite, diamond, etc. is heated with an evaporation apparatus 10 using an electron beam, etc. to evaporate the carbon to said substrate 7. On the other hand, N2 etc. is supplied through a leak valve 1, ionized to N ion by the ion source 2, passed through the accelerator 3, the analyzing magnet 4, and the ion accumulation lens 9, and radiated to the evaporation layer simultaneously or alternately to the evaporation process. A diamond carbon and/or a diamond thin film is formed on the substrate by this process. A thin film having the highest characteristics can be produced when the ratio of th atomic number of the evaporated atom to the charge number of the ion is 0.1-5 and the acceleration energy of the ion is 6-60keV per atom.
摘要翻译：目的：通过将碳从含碳蒸发源蒸发到基底，并且将加速离子种子同时或交替地照射到基底上，形成具有优异的与基材的粘附性和高密度和硬度的金刚石薄膜。构成：由陶瓷，碳化物合金，热电偶，各种金属和合金等制成的基板7附着在保持架8上，放置在与真空泵6连接的反应室5内。蒸发源如无定形碳，石墨，金刚石等用蒸发装置10加热，使用电子束等将碳蒸发到所述基板7.另一方面，N2等通过泄漏阀1供给，电离成N + 离子源2通过加速器3，分析磁体4和离子聚积透镜9，同时或交替地向蒸发层辐射到蒸发过程。通过该方法在基板上形成金刚石碳和/或金刚石薄膜。当蒸发原子的原子数与离子的电荷数之比为0.1-5，离子的加速能为6-60keV /原子时，可以产生具有最高特性的薄膜。

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