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51. 发明专利

JP2015159329A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015159329A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2015095736
申请日：2015-05-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：楠茂 , 望月浩一 , 川上稔
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L21/822 , H01L27/04
摘要：【課題】抵抗値を制御することができる抵抗素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板101と、絶縁膜14bと、半導体素子と、ダイオード型内蔵抵抗子4dとを有する。絶縁膜14bは半導体基板101の少なくとも一部を被覆している。半導体素子は、半導体基板101の一部からなるチャネル領域と、電極とを有する。ダイオード型内蔵抵抗素子4dは、p型高濃度多結晶シリコン層24bと、n型低濃度多結晶シリコン層23aと、n型高濃度多結晶シリコン層24aとを有している。ダイオード型内蔵ゲート抵抗4dは、スイッチング動作の中期に比して、初期および終期において高い抵抗値を有する。【選択図】図46
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有能够控制电阻值的电阻元件的半导体器件。解决方案：半导体器件包括半导体衬底101，绝缘膜14b，半导体元件和二极管型内置电阻元件4d 。绝缘膜14b覆盖半导体衬底101的至少一部分。半导体元件具有由半导体衬底101的一部分组成并具有电极的沟道区。二极管型内置电阻元件4d具有p型高浓度多晶硅层24b，n型低浓度多晶硅层23a和n型高浓度多晶硅层24a。与开关操作的中间阶段相比，二极管类型的内置栅极电阻4d在开关操作的初始阶段和终端阶段具有较高的电阻值。

52. 发明专利

JP2015118989A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015118989A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013260272
申请日：2013-12-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：妹尾賢
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L27/08 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/7391 , H01L29/7397
摘要：【課題】ダイオードの逆回復動作時とIGBTがオフする際の両方において、高い電流が流れることを抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 IGBTとダイオードを有する半導体装置。半導体基板内であって、表面電極へのコンタクト領域の外周端を含む範囲内に、コンタクト外周端p型領域が形成されている。半導体基板の外周領域内に、裏面電極に接続された外周裏面p型領域、外周裏面n型領域及び外周低濃度n型領域が形成されている。外周裏面p型領域が、コンタクト領域の外周端の裏面側に形成されている。外周裏面n型領域が、外周裏面p型領域に対して半導体基板の端面側に形成されている。外周低濃度n型領域が、外周裏面p型領域と外周裏面n型領域をコンタクト外周端p型領域から分離している。外周裏面p型領域内のp型不純物濃度が、端面側に向かうにしたがって減少し、外周裏面n型領域内のn型不純物濃度が、端面側に向かうにしたがって増加する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件，其能够在二极管的反向恢复操作和IGBT关断时抑制高电流流动。解决方案：提供了一种包括IGBT和二极管的半导体器件。在半导体衬底的范围内形成接触外周端p型区域，其包括与表面电极的接触区域的外周端。在半导体基板的外周区域中，与背面电极连接的外周侧背面p型区域，外周侧背面n型区域和外周低浓度n型区域为形成。外周面p型区域形成在接触区域的外周端的背面侧。在半导体基板的端面侧形成有外周背面n型区域的外周面p型区域。外周低浓度n型区域从接触外周端p型区域分离外周侧背面p型区域和外周侧背面n型区域。外周面p型区域的p型杂质浓度朝向端面侧减小，并且外周侧背面n型区域的n型杂质浓度向端面侧增大。

53. 发明专利

JP2015082699A モータ制御装置有权
标题翻译：电机控制器
公开(公告)号：JP2015082699A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013218639
申请日：2013-10-21
申请人：アスモ株式会社
发明人：小島秀夫
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L27/06 , G06F15/78 , H03K19/003
摘要：【課題】簡素な構成でESD及びスイッチオン時の突入電流の高電圧による素子の損傷を防止する。【解決手段】MCU60の入力段80において、UP用入力スイッチ14Aとコンパレータ88Aとの間に一端が接続された双方向ツェナーダイオード90、及びDOWN用入力スイッチ14Bとコンパレータ88Bとの間に一端が接続された双方向ツェナーダイオード92を各々備え、双方向ツェナーダイオード90,92の他端を各々接地する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过简单的配置，防止元件受到高电压浪涌电流的损害和接通。解决方案：在MCU 60的输入装置80中，双向齐纳二极管90具有一端连接在用于UP的输入开关14A和比较器88A之间，并且提供一端连接在用于DOWN的输入开关14B和比较器88B之间的双向齐纳二极管92。双向齐纳二极管90和92的另一端各自接地。

54. 发明专利

JP5703829B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5703829B2
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：JP2011038012
申请日：2011-02-24
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：近藤啓
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/404 , H01L29/7816 , H01L29/7817 , H01L29/7821 , H01L29/42368

56. 发明专利

JP2014220361A 静電気保護素子および発光モジュール审中-公开
标题翻译：静电保护元件和发光模块
公开(公告)号：JP2014220361A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013098349
申请日：2013-05-08
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp , 株式会社村田製作所 , Murata Mfg Co Ltd
发明人： WATANABE KIMINORI , SATO SEIICHI , WATANABE TOSHIYA , OKAWA TADAYUKI , ARAKI SEITO , YAMAMOTO TEIJI
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868 , H01L33/48
CPC分类号： H01L25/167 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L27/0694 , H01L29/866 , H01L33/62
摘要：【課題】高抵抗半導体の基体を用いた構造において、リーク電流をより確実に抑制できる静電気保護素子を提供する。【解決手段】静電気保護素子10は、高抵抗の半導体材料からなる基体20を備える。基体20の第1主面には、第1方向に沿って間隔を空けて、外部接続用ランド22,23が形成されている。基体20の第1主面には、半導体プロセスにより、ダイオード部30が形成されている。ダイオード部30は、第1方向に沿った、外部接続用ランド22,23の形成領域の間に形成されている。高濃度領域40は、基体20と同じ極性で、基体20よりも不純物を多く含む領域である。高濃度領域40は、基体20を平面視して環状であり、ダイオード部30を囲む形状で形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在使用高电阻半导体的基底的结构中确保防止漏电流的静电保护元件。解决方案：静电保护元件10包括由高电阻半导体材料。在基座20的第一主表面上，用于外部连接的平台22和23形成有沿着第一方向的空间。在基座20的第一主表面上，通过半导体工艺形成二极管部分30。二极管部分30形成在焊盘22和23的形成区域之间，用于沿着第一方向进行外部连接。高浓度区域40具有与基底20相同的极性，并且是比基底20含有更多杂质的区域。高浓度区域40在基底20的平面图中是环形的，并且形成为围绕二极管部分30。

57. 发明专利

JP2014175324A Low capacity semiconductor device 审中-公开
标题翻译：低容量半导体器件
公开(公告)号：JP2014175324A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013043607
申请日：2013-03-06
申请人： Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： ONISHI KAZUHIRO , KAWANISHI MASANORI
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To lower the capacity of a semiconductor device, while maintaining the tolerance for the transient voltage.SOLUTION: Since an isolation trench 204 and an isolation trench 204A are formed separately, and the isolation trench 204 has a structure not penetrating a high concentration second conductivity type buried layer 202, the area of a Zener diode 220 is determined only by the area of the high concentration second conductivity type buried layer 202, and does not rely upon the arrangement of the isolation trench 204. Consequently, the junction capacitance of a low capacity PN diode 221 can be reduced without decreasing the area of the Zener diode 220, and the capacity of a semiconductor element can be reduced while maintaining the tolerance for the transient voltage.
摘要翻译：要解决的问题：为了降低半导体器件的容量，同时保持对瞬态电压的容限。解决方案：由于隔离沟槽204和隔离沟槽204A分别形成，并且隔离沟槽204具有不穿透高浓度第二导电型埋层202，齐纳二极管220的面积仅由高浓度第二导电型掩埋层202的面积确定，并且不依赖于隔离沟槽204的布置。因此，可以在不减小齐纳二极管220的面积的情况下减小低容量PN二极管221的电容，并且可以在保持对瞬态电压的容限的同时降低半导体元件的容量。

58. 发明专利

JP2013214608A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013214608A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：JP2012083931
申请日：2012-04-02
申请人： Fuji Electric Co Ltd , 富士電機株式会社
发明人： NAKAMURA HIROSHI , MIYAZAWA SHIGEMI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/329 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
CPC分类号： H01L27/0647 , H01L29/0692 , H01L29/66106 , H01L29/7395 , H01L29/866
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a protective function at a low cost, which is unlikely to cause latch-up even in a configuration where a vertical Zener diode is connected between an emitter and a gate.SOLUTION: A semiconductor device used for an ignition device comprises: an output stage IGBT25 and a Zener diode (ZD) 12 which are provided on the same semiconductor substrate; an n emitter (E) region 4 in a surface layer of a first p well layer 2a; a gate (G) electrode 6 which covers the n emitter region 4 via a gate (G) insulation film 5; and an E electrode 8 on the E region 4. The ZD 12 includes on a surface layer of a second well layer 2b different from the first p well layer 2a: an anode (A) electrode 13 which forms ohmic contact with a surface of a player 1 having a concentration higher than that of the second p well layer 2b; and a cathode (K) electrode 14 which forms Schottky contact with a surface of an nlayer 3 having a concentration lower than that of the second p well layer 2b. The E electrode 8 and the A electrode 13 of the IGBT are connected.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有低成本保护功能的半导体器件，其即使在垂直齐纳二极管连接在发射极和栅极之间的结构中也不可能引起闩锁。解决方案：半导体器件用于点火装置包括：设置在同一半导体衬底上的输出级IGBT25和齐纳二极管（ZD）12; 在第一p阱层2a的表面层中的n个发射极（E）区域4; 通过栅极（G）绝缘膜5覆盖n个发射极区域4的栅极（G）电极6; 以及E区域4上的E电极8.ZD12包括在与第一p阱层2a不同的第二阱层2b的表面层上：阳极（A）电极13，其形成与播放器1的浓度高于第二p阱层2b的浓度; 以及阴极（K）电极14，其与具有低于第二p阱层2b的浓度的n层3的表面形成肖特基接触。 IGBT的E电极8和A电极13连接。

59. 发明专利

JP5292984B2 A method of manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5292984B2
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：JP2008205385
申请日：2008-08-08
申请人：株式会社デンソー
发明人：卓也奥野 , 靖士田中 , 康宏北村 , 喜明中山
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/76 , H01L29/866
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress defects generated in the semiconductor device and can prevent the variation of characteristics of the semiconductor device generated when manufacturing the semiconductor device having a semiconductor element that is produced by ion implantation and heat treatment in an element formation region surrounded by a trench 5. SOLUTION: In the step of forming a first conductive type diffusion layer 8, the impurity ion implantation step and the heat treatment step include a step of ion-implanting impurities while setting the amount of dose and the position of impurity ion to be implanted into a semiconductor substrate 4 and 11, and a step of heat treatment while setting a heat diffusion factor and a heat treatment time based on the heat treatment temperature, thereby forming the first conductive type diffusion layer 8 apart from the trench 5. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

60. 发明专利

JP2012109590A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：JP2012109590A
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：JP2011288038
申请日：2011-12-28
申请人： ROHM CO LTD
发明人： HIGASHIDA YOSHIFUMI , TAKAISHI AKIRA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device that has a protective diode having reduced series resistance and capable of sufficiently performing a protective function while utilizing an unused outer peripheral portion on a chip, without increasing the chip area.SOLUTION: A plurality of transistor cells T are arranged and formed in a semiconductor layer 4. A protective diode 1 is formed by alternately providing ring-shaped p-type layers and n-type layers of a polysilicon film on an insulating film 6 at a more outer peripheral side (a chip end side) than the plurality of transistor cells T. A metal film such as Al is connected to the outermost layer of the protective diode 1 in a ring shape. The metal film provided in a ring shape contacts source wiring 3 and a metal film 14. A metal film connected to the innermost layer of the protective diode 1 in a ring shape is connected to gate wiring 2 and is connected to gates of some of the cells on the outer peripheral side of the transistor cells T.

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