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1. 发明专利

JP2015159329A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015159329A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2015095736
申请日：2015-05-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：楠茂 , 望月浩一 , 川上稔
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L21/822 , H01L27/04
摘要：【課題】抵抗値を制御することができる抵抗素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板101と、絶縁膜14bと、半導体素子と、ダイオード型内蔵抵抗子4dとを有する。絶縁膜14bは半導体基板101の少なくとも一部を被覆している。半導体素子は、半導体基板101の一部からなるチャネル領域と、電極とを有する。ダイオード型内蔵抵抗素子4dは、p型高濃度多結晶シリコン層24bと、n型低濃度多結晶シリコン層23aと、n型高濃度多結晶シリコン層24aとを有している。ダイオード型内蔵ゲート抵抗4dは、スイッチング動作の中期に比して、初期および終期において高い抵抗値を有する。【選択図】図46
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有能够控制电阻值的电阻元件的半导体器件。解决方案：半导体器件包括半导体衬底101，绝缘膜14b，半导体元件和二极管型内置电阻元件4d 。绝缘膜14b覆盖半导体衬底101的至少一部分。半导体元件具有由半导体衬底101的一部分组成并具有电极的沟道区。二极管型内置电阻元件4d具有p型高浓度多晶硅层24b，n型低浓度多晶硅层23a和n型高浓度多晶硅层24a。与开关操作的中间阶段相比，二极管类型的内置栅极电阻4d在开关操作的初始阶段和终端阶段具有较高的电阻值。

2. 发明专利

JP5991363B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5991363B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2014211746
申请日：2014-10-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：楠茂
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06

3. 发明专利

JPWO2018109794A1 半導体装置の駆動方法および駆動回路审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018109794A1
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2016086858
申请日：2016-12-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田中翔 , 楠茂
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78
摘要：半導体装置(100)は、コレクタ電極(103)およびエミッタ電極(111)の間に電気的に並列接続された、複数の第1のトランジスタセル(120a)および第2のトランジスタセル(120b)を備える。各第1のトランジスタセル(120a)のゲート電圧は、第1のゲート配線(114a)によって制御される。各第2のトランジスタセル(120b)のゲート電圧は、第2のゲート配線(114b)によって制御される。駆動回路(130)は、半導体装置(100)のターンオン時において、第1および第2のゲート配線(114a、114b)の両方に半導体装置(100)のオン電圧を印加するとともに、オン電圧の印加が開始されてから予め定められた時間の経過後において、第2のゲート配線(114b)には半導体装置(100)のオフ電圧を印加する一方で、第1のゲート配線(114a)にはオン電圧を印加する。

4. 发明专利

JP6257554B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6257554B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2015095736
申请日：2015-05-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：楠茂 , 望月浩一 , 川上稔
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78

5. 发明专利

JP6102140B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6102140B2
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2012207393
申请日：2012-09-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：楠茂
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/41 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/4232 , H01L29/4916 , H01L29/7397

6. 发明专利

JP6026767B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6026767B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2012102877
申请日：2012-04-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村勝光 , 楠茂 , 中村秀城
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78

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