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52. 发明专利

JP2013502669A Magnetic recording medium having a write capability and erase reliable 有权
公开(公告)号：JP2013502669A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：JP2012525688
申请日：2010-08-19
申请人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー
发明人：ノーラン，トーマス・ピィ , バルク，ボグダン・エフ , タン，リ
IPC分类号： G11B5/667 , G11B5/738 , H01F10/30 , H01F10/32
CPC分类号： G11B5/82 , G11B5/667
摘要：垂直磁気記録媒体の書き込み能力を向上させ、意図しない消去を減らすための方法および媒体構造が提供される。可変の透磁率は、磁気モーメント（Ｂｓ）や磁気異方性（Ｈｋ）などのバルクＳＵＬ材料特性とは無関係に、薄い軟下地層（ＳＵＬ）構造内で制御される。記録トラックへの書き込みの容易性とオフトラック（トラック間および隣接するトラック）の消去の困難性との改良された組み合わせを有する媒体は、不均衡で反強磁的に結合された（ＡＦＣ）ＳＵＬ構造により部分的に実現される。透磁率勾配は、異なる透磁率と磁気厚み（Ｂｓ＊ｔ）の値を有する層を含む軟下地層内で実現される。一局面では、第一ＳＵＬ層は、高透磁率領域とその上に積層される低透磁率領域とを有する。第二層は、低透磁率を有する第三ＳＵＬ層に第一層を反強磁的に結合させる。本発明は、慎重に磁性の均衡をとる必要のある高密度垂直記録媒体に利用することができる。

53. 发明专利

JP2013008984A Magnetic recording element and magnetic memory 有权
标题翻译：磁记录元件和磁记忆
公开(公告)号：JP2013008984A
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：JP2012176076
申请日：2012-08-08
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： NAKAMURA SHIHO , MORISE HIROSHI
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/10
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an MR ratio of a magnetic recording element.SOLUTION: A magnetic recording element according to an embodiment comprises: a magnetic recording layer 11 in which magnetization is variable and a magnetization easy axis direction is vertical to a film surface; a magnetic adhesion layer 12 fixed such that magnetization is vertical to the film surface; a non-magnetic barrier layer 13 provided between the magnetic recording layer 11 and the magnetic adhesion layer 12; and an insertion layer 14 provided between the magnetic recording layer 11 and the non-magnetic barrier layer 13. The insertion layer 14 includes one of a soft magnetic material, a Heusler alloy, a half-metal oxide, and a half-metal nitride.
摘要翻译：要解决的问题：提高磁记录元件的MR比。解决方案：根据实施例的磁记录元件包括：磁记录层11，磁化可变，磁化容易轴方向垂直于膜表面; 固定磁化粘附层12，使得磁化垂直于膜表面; 设置在磁记录层11和磁性粘合层12之间的非磁性阻挡层13; 以及设置在磁记录层11和非磁性阻挡层13之间的插入层14.插入层14包括软磁性材料，Heusler合金，半金属氧化物和半金属氮化物中的一种。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

54. 发明专利

JP5104753B2 Magnetic random access memory and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5104753B2
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：JP2008510966
申请日：2007-04-11
申请人：日本電気株式会社
发明人：能之福本
IPC分类号： H01L21/8246 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01F10/3227 , H01F10/3254 , H01F10/3281 , H01L43/08

55. 发明专利

JP5085487B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5085487B2
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：JP2008249189
申请日：2008-09-26
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：貴昭金子 , 尚也井上 , 喜宏林
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/20 , H01F10/32 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Disclosed is a semiconductor apparatus that prevents diffusion of materials of a magnetic film during the process for manufacturing the semiconductor apparatus. The semiconductor apparatus includes: a substrate; a semiconductor device formed on a principal surface of the substrate and including an interconnect layer; a magnetic shielding film of a magnetic material covering the semiconductor device; and a buffer film disposed between the semiconductor device and the magnetic shielding film. The buffer film prevents diffusion of the magnetic material of the magnetic shielding film.

56. 发明专利

JPWO2010137679A1 磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ有权
公开(公告)号：JPWO2010137679A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：JP2011516066
申请日：2010-05-28
申请人：株式会社日立製作所 , 国立大学法人東北大学
发明人：正二池田 , 正二池田 , 島津　武仁 , 武仁島津 , 大野　英男 , 英男大野 , 山本　浩之 , 浩之山本 , 将貴山田 , 将貴山田
IPC分类号： H01L27/105 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3277 , H01F10/3286 , H01L27/228
摘要：垂直磁化材料を適用し、TMR比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。バリア層10の上下に配置する記録層と固定層として、垂直磁化磁性層21,22と高分極率磁性層41,42からなる積層フェリ構成51,52を適用する。垂直磁化磁性層と高分極率磁性層の間に挿入する非磁性層31,32によって、垂直磁化磁性層の結晶性を良好にし、さらにMgOバリア層10を(001)に結晶配向させるとともに高分極率磁性層41,42をbcc(001)で結晶配向させる。

58. 发明专利

JP2012175097A Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head slider, head gimbal assembly and hard disk drive device 有权
标题翻译：磁阻效应元件，磁头，磁头滑块，磁头组件和硬盘驱动器件
公开(公告)号：JP2012175097A
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：JP2011279597
申请日：2011-12-21
申请人： Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： KOIKE YUTO , CHO TSUTOMU , TSUCHIYA YOSHIHIRO , MATSUZAWA HIRONOBU
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01F10/32 , H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3912 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11B5/3929 , G11B2005/3996
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a large MR change rate while suppressing the variation of area resistance.SOLUTION: A magnetoresistance effect element 4 has first and second magnetic layers L1 and L2 of which the relative angle formed by a magnetization direction with respect to an external magnetic field changes, and a spacer layer 16 which is located between the first magnetic layer L1 and the second magnetic layer L2. The spacer layer 16 contains gallium oxide as a main component, and has a main spacer layer 16b containing at least one metal element selected from a group consisting of magnesium, zinc, indium and aluminum.
摘要翻译：要解决的问题：为了在抑制面积电阻的变化的同时获得大的MR变化率。解决方案：磁阻效应元件4具有相对于外部磁场由磁化方向形成的相对角度改变的第一和第二磁性层L1和L2，以及间隔层16，其位于第一磁性层层L1和第二磁性层L2。间隔层16含有氧化镓作为主要成分，并且具有含有选自镁，锌，铟和铝中的至少一种金属元素的主间隔层16b。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

59. 发明专利

JP2012156485A Co2Fe-BASED HEUSLER ALLOY AND SPINTRONICS ELEMENT USING IT 有权
标题翻译：基于Co2Fe的HEUSLER合金和SPINTRONICS元件使用它
公开(公告)号：JP2012156485A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：JP2011227488
申请日：2011-10-14
申请人： National Institute For Materials Science , 独立行政法人物質・材料研究機構
发明人： TAKAHASHI YUKIKO , ANANTHAKRISHNAN SRINIVASAN , BOLLAPRAGADA VARAPRASAD , AMMANABROLU RAJANIKANTH , SINHA JAIVARDHAN , HAYASHI MASAMITSU , FURUBAYASHI TAKAO , KASAI SHINYA , HIRAYAMA SHIGEYUKI , MITANI SEIJI , HONO KAZUHIRO
IPC分类号： H01L43/10 , C22C30/00 , G11B5/39 , H01F1/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
CPC分类号： H01F10/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , C22C19/07 , G01R33/093 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11B5/313 , G11B5/3906 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/1936 , H01F10/325 , H01F10/329 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/12611
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CoFe-based Heusler alloy having a spin polarization rate of 0.65 or higher, and to provide a high characteristic spintronics element using it.SOLUTION: The CoFe(GaGe) Heusler alloy has a high spin polarization rate of 0.65 or higher measured in a region of 0.25
摘要翻译：要解决的问题：为了提供自旋极化率为0.65以上的Co 2 Fe基Heusler合金，并提供使用它的高特性自旋电子元件。＆lt; P＆gt;＆lt; SB＆lt; SB POS =“POST”＆gt; 2＆lt; SB＆gt; SB>）通过PCAR法，在0.25 2 Fe（Ga X Ge X-1 ）Heusler合金具有1288K的高居里点，是一种实用的材料。事实上，使用Co 2 Fe（Ga X Ge X的CPP-GMR元件 -1 ）电极中的Heusler合金显示出世界上最高的MR比，STO元件中的高输出和NLSV元件中的高自旋信号。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

60. 发明专利

JP2012142480A Magnetic tunnel junction element, method of manufacturing the same and mram 有权
标题翻译： MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT，METHOD OF MANTIFACTURING THE SAME AND MRAM
公开(公告)号：JP2012142480A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：JP2011000419
申请日：2011-01-05
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： RI EIMIN
IPC分类号： H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic tunnel junction element that is hardly affected by deposit generated at the side of a laminate structure.SOLUTION: A buffer layer formed of conductive material having a different etching characteristic from a lower electrode is disposed on a partial area of the lower electrode formed on a substrate. A first magnetization free layer formed of amorphous ferromagnetic material is disposed on the buffer layer. A second magnetization free layer formed of crystallized ferromagnetic material is disposed on the first magnetization free layer, and a tunnel barrier layer is disposed on the second magnetization free layer. A magnetization fixing layer whose magnetization direction is fixed is disposed on the tunnel barrier layer, and an upper electrode layer is disposed on the magnetization fixing layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供几乎不受层压结构侧面沉积物影响的磁性隧道结元件。解决方案：在形成在基板上的下电极的局部区域上设置由具有与下电极不同的蚀刻特性的导电材料形成的缓冲层。由非晶铁磁材料形成的第一磁化自由层设置在缓冲层上。由结晶的铁磁材料形成的第二磁化自由层设置在第一磁化自由层上，隧道势垒层设置在第二磁化自由层上。其磁化方向固定的磁化固定层设置在隧道势垒层上，上电极层设置在磁化固定层上。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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