基本信息:
- 专利标题： Magneto-resistive element and a magnetic memory
- 申请号：JP2009221569 申请日：2009-09-25
- 公开(公告)号：JP5072120B2 公开(公告)日：2012-11-14
- 发明人： 尚治 下村 , 昌彦 中山 , 均 久保田 , 英二 北川 , 将寿 吉川 , 忠臣 大坊 , 功兒 安藤 , 俊彦 永瀬 , 新治 湯浅 , 正 甲斐 , 章雄 福島 , 博明 與田 , 啓 薬師寺 , 勝哉 西山 , 真 長嶺 , 太郎 長浜
- 申请人： 株式会社東芝 , 独立行政法人産業技術総合研究所
- 专利权人： 株式会社東芝,独立行政法人産業技術総合研究所
- 当前专利权人： 株式会社東芝,独立行政法人産業技術総合研究所
- 优先权： JP2009221569 2009-09-25
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; G11C11/15 ; H01F10/16 ; H01F10/32 ; H01L21/8246 ; H01L43/08 ; H01L43/10
公开/授权文献:
- JP2011071352A Magnetoresistive element and magnetic memory 公开/授权日：2011-04-07
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |