专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

51. 发明专利

JPWO2012086419A1 荷電粒子放出銃及び荷電粒子線装置有权
公开(公告)号：JPWO2012086419A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：JP2012549717
申请日：2011-12-08
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：荒井　紀明 , 紀明荒井
IPC分类号： H01J37/06 , H01J27/26 , H01J37/073 , H01J37/08
CPC分类号： H01J27/022 , H01J29/00 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J49/26 , H01J2237/002 , H01J2237/022 , H01J2237/06341 , H01J2237/0802
摘要：荷電粒子放出銃の作動を長時間停止することなく、チップを加熱させることなく、チップのクリーニングが可能な荷電粒子放出銃を提供する。荷電粒子放出銃は、チップに照射する紫外光又は赤外光を生成するクリーニング用照射光装置と紫外光又は赤外光をチップに導くための光ファイバを有する。クリーニング用照射光装置は、チップの吸着分子を光刺激脱離によって脱離させるために、又は、チップの吸着分子を光刺激脱離によって脱離させ、該脱離した分子をイオン化するために、所定の波長と強度の紫外光又は赤外光を生成する。

52. 发明专利

JP2014505965A A method and apparatus for testing the manufacturing interspersed the hot spot area on the substrate was 有权
公开(公告)号：JP2014505965A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：JP2013543234
申请日：2011-12-05
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ショーンエックスウー , キニヴィヴェーカーナンド
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/28 , H01L21/66 , H01L21/68
CPC分类号： H01J37/222 , H01J37/06 , H01J37/265 , H01J37/285 , H01J37/292 , H01J2237/10 , H01J2237/202 , H01J2237/2813 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要：一実施形態は、電子ビーム装置を使用した、製造された基板上に点在するホットスポット領域の自動検査方法に関する。電子ビーム装置の視界を移動させて、その移動する視界が基板上のターゲット領域を覆うように、基板を保持する段がスワス経路に沿って移動する。移動する視界内のホットスポット領域の軸外イメージングが行われる。移動する視界内のホットスポット領域の数を決定することが可能であり、移動する視界内のホットスポット領域の数に基づいて、段の移動の速さを調整することが可能である。別の実施形態は、製造された基板上の点在する領域を検査する電子ビーム装置に関する。他の実施形態、態様、および特徴もまた、開示されている。

54. 发明专利

JP2013535089A Particle source and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2013535089A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2013520965
申请日：2012-06-13
申请人：サーティエイスリサーチインスティチュート、チャイナエレクトロニクステクノロジーグループコーポレイション
发明人：リウ、フアロン
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304 , H01J27/26 , H01J37/073 , H01J37/08
CPC分类号： C23F4/02 , B82Y99/00 , H01J1/00 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J27/26 , H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J2201/30415 , H01J2237/0807
摘要：本発明は、粒子源を製造するための方法を提供する。本発明の粒子源を製造するための方法は、真空の環境内に針金を設置して活性ガス及び触媒ガスを導入し、針金の温度に対して調節を行うと共に、針金に対して正の高電圧Ｖを印加することによって、針金表面の活性ガスを解離させて針金のヘッドの側面においてエッチング領域を形成し、このエッチング領域内で電界誘起エッチングを発生させるステップと、電界誘起エッチングにより、針金のヘッドの頂端における表面の電界を、針金の材料の電界蒸発の電界より大きくなるまで増強させ、前記針金のヘッドの頂端における金属原子を蒸発させるステップと、電界誘起エッチングによって電界蒸発を触発した後、針金のヘッド形状が台座と台座上にある針先とから構成されることになるまで、台座を形成するのに側面で発生する電界誘起エッチングと、針先を形成するのに頂端で発生する電界蒸発との二種のメカニズムを互いに調節するステップと、予め定められた形状を有する針金のヘッドが得られた時、電界誘起エッチング及び電界蒸発を停止させるステップとを含む。

55. 发明专利

JP2013506959A Variable-energy charged particle system 审中-公开
公开(公告)号：JP2013506959A
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：JP2012532101
申请日：2010-09-15
申请人：カールツァイスエヌティーエスエルエルシー
发明人：ヒルレイモンド , エイノッテザフォースジョン
IPC分类号： H01J27/26
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/241 , H01J37/243 , H01J2237/08 , H01J2237/24564
摘要：荷電粒子システムを開示し、この荷電粒子システムは、第１電圧源、第１電圧源から電気絶縁された第２電圧源、第１電圧源に電気接続された荷電粒子源、及び第２電圧源に電気接続された抽出装置を含む。この荷電粒子システムに関連する方法も開示する。

56. 发明专利

JP2012227009A Reflection high-energy electron diffraction method 有权
$Reflection high-energy electron diffraction method$
标题翻译：反射高能电子衍射方法
公开(公告)号：JP2012227009A
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：JP2011094239
申请日：2011-04-20
申请人： Avc Co Ltd , 株式会社エイブイシー
发明人： SASAKI TOMOAKI , CHIBA AKIO , KAWAMURA MASAMI
IPC分类号： H01J37/244 , G01N23/20 , H01J37/252
CPC分类号： G01N23/20058 , G01N2223/102 , G01N2223/406 , H01J37/06 , H01J37/244 , H01J2237/24475
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection high-energy electron diffraction method with which a reflection electron image diffraction pattern can be generated using an electron beam having an extremely small emission current value at a nanoampere level.SOLUTION: In the reflection high-energy electron diffraction method, microchannel plates 17a and 17b are disposed immediately in front of a fluorescent screen 18, and amplify the current of reflected electrons. An electron beam 28 having an emission current value at a nanoampere level is emitted from an electron gun 15 towards the surface of a thin film. Reflected electrons, whose current is already amplified by the microchannel plates 17a and 17b, are incident on the fluorescent screen 18, and a reflection electron diffraction pattern generated from the reflected electrons is displayed on the fluorescent screen 18.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种反射高能电子衍射方法，利用该反射高能电子衍射方法，可以使用具有纳秒级发射电流值极小的电子束来产生反射电子图像衍射图案。解决方案：在反射高能电子衍射法中，微通道板17a和17b立即设在荧光屏18的前面，并放大反射电子的电流。从电子枪15朝向薄膜的表面发射具有纳秒级发射电流值的电子束28。其电流已经被微通道板17a和17b放大的反射电子入射到荧光屏18上，并且从荧光屏幕18上显示由反射电子产生的反射电子衍射图案。版权所有（C））2013，JPO＆INPIT

57. 发明专利

JP4888793B2 Pierce-type electron gun control method and a control device for an electronic beam focusing of 有权
公开(公告)号：JP4888793B2
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：JP2008540958
申请日：2007-10-18
申请人：株式会社アルバック
发明人：徹佐竹 , 沈　　国華 , 栄一飯島
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/18
CPC分类号： H01J37/07 , H01J3/026 , H01J37/06 , H01J37/304 , H01J2237/004 , H01J2237/182

58. 发明专利

JP4782736B2 Electron source 有权
公开(公告)号：JP4782736B2
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：JP2007183452
申请日：2007-07-12
申请人：電気化学工業株式会社
发明人：良典照井 , 良三野々垣
IPC分类号： H01J1/304 , H01J1/18 , H01J37/065
CPC分类号： H01J37/28 , H01J1/15 , H01J37/06 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2237/061 , H01J2237/06316

59. 发明专利

JP2010086967A Electron beam source and method to produce electron beam source 有权
标题翻译：电子束源和生产电子束源的方法
公开(公告)号：JP2010086967A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：JP2009228377
申请日：2009-09-30
申请人： Carl Zeiss Nts Gmbh , Nanotools Gmbh , カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハーCarl Zeiss NTS GmbH , ナノツールズゲーエムベーハー
发明人： DREXEL VOLKER , MANTZ ULRICH , IRMER BERND , PENZKOFER CHRISTIAN
IPC分类号： H01J37/073 , H01J1/304 , H01J9/02
CPC分类号： H01J37/065 , H01J1/3044 , H01J37/06 , H01J2201/30415 , H01J2201/30446 , H01J2201/30476 , H01J2237/06316 , H01J2237/06375 , H01J2237/065 , Y10T29/49888
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron beam source with easy mounting and with long useful life. SOLUTION: A beam electron source includes a base, chips which are fixed to the base, separately extended from the base, equipped with a core which is applied with a surface made of a first material and a coating layer made of a second material, and providing a surface of the chip with the second material, a first electric terminal electrically connected with the coating layer, an extraction electrode having a gap facing to the chip, and a second electric terminal electrically connected with the extraction electrode. The beam electron source satisfies at least one of the following conditions: the electric conductivity of the first material is lower than one of 10 5 s/m, 10 3 s/m, 10s/m, 10 -1 s/m, 10 -3 s/m, 10 -5 s/m, or 10 -7 s/m, the electric conductivity of the second material is higher than one of 10 -7 s/m, 10 -5 s/m, 10 -3 s/m, 10 -1 s/m, 10 2 s/m, 10 4 s/m, or 10 6 s/m, or the ratio of the electric conductivity between the second material and the first material is greater than one of 10:1, 100:1, 10 4 , 10 6 , or 10 8 . COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供电子束源，安装方便，使用寿命长。解决方案：束电子源包括基座，芯片固定到与基座分开延伸的基部，配备有芯，其被施加有由第一材料制成的表面和由第二材料制成的涂层并且提供具有第二材料的芯片的表面，与涂层电连接的第一电端子，具有面向芯片的间隙的引出电极和与引出电极电连接的第二电端子。束电子源满足以下条件中的至少一个：第一材料的电导率低于10 5 / s / m，10 3 s / m ，10s / m，10 -1 s / m，10 -3 s / m， SP> -7 s / m，第二材料的电导率高于10 -7 s / m，10 -5 m，10 -3 s / m，10 -1 s / m，10 2 s / SP> s / m或10 6 / s / m，或者第二材料与第一材料之间的电导率之比大于10:1,100:1,10:1， SP> 4 ，10 6 或10 8 。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

60. 发明专利

JPWO2006135094A1 ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機有权
公开(公告)号：JPWO2006135094A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：JP2007521380
申请日：2006-06-19
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：喜之山本 , 喜之山本 , 暁彦植田 , 暁彦植田 , 西林　良樹 , 良樹西林 , 今井　貴浩 , 貴浩今井
IPC分类号： H01J1/304 , H01J1/15 , H01J37/073
CPC分类号： H01J1/15 , H01J1/14 , H01J37/06 , H01J2237/06308 , H01J2237/06316
摘要：電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム露光機に使用される、ダイヤモンドを用いた高輝度でエネルギー幅が狭い電子放射陰極、電子放射源、及びこれらを用いた電子機器を提供することを目的とする。本発明によるダイヤモンド電子放射陰極は、少なくとも一部に単結晶ダイヤモンドを有するダイヤモンド電子放射陰極であって、当該ダイヤモンド電子放射陰極は先鋭部と加熱部からなる柱状であり、前記先鋭部には一ヶ所の電子放射部が設けられており、前記電子放射部及び前記加熱部はダイヤモンド半導体からなり、前記ダイヤモンド半導体はp型不純物を2×1015cm-3以上含むp型半導体であり、前記電子放射部には前記半導体が存在し、当該電子放射陰極の表面には金属層が形成されており、当該金属層は前記加熱部の少なくとも一部に存在し、前記電子放射部から金属層の端部までの最も近傍における距離が500μm以下であり、一対の電流導入端子で前記加熱部に電流を供給して加熱すると共に、導入した電子の一部を該電子放射部から放出することができることを特徴とする。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式