专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

JP2013535822A Method of manufacturing a separate capacitor and its structure 有权
公开(公告)号：JP2013535822A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：JP2013520722
申请日：2011-06-29
申请人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation
发明人：クォン、オジュン , リー、ジュンドン , パリース、ポール、シー , シェピス、ドミニク、ジェイ
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/2007 , G06F17/5068 , H01L21/76224 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L21/76283 , H01L21/84 , H01L27/0207 , H01L27/10829 , H01L27/10861 , H01L27/1087 , H01L27/1203 , H01L28/40 , H01L28/90 , H01L29/66181
摘要：【課題】分離したキャパシタを製造するための構造体及び方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ＳＯＩ及びドープされたポリ層を通って、下にある絶縁体層まで、複数のディープ・トレンチと、複数のディープ・トレンチの群又はアレイを囲む１つ又は複数の分離トレンチとを同時に形成することを含む。この方法は、複数のディープ・トレンチ及び１つ又は複数の分離トレンチを絶縁体材料でライニングすることをさらに含む。この方法は、複数のディープ・トレンチ及び１つ又は複数の分離トレンチを絶縁体材料上の導電性材料で充填することをさらに含む。ディープ・トレンチは、ディープ・トレンチ・キャパシタを形成し、１つ又は複数の分離トレンチは、ディープ・トレンチ・キャパシタの少なくとも１つの群又はアレイをディープ・トレンチ・キャパシタの別の群又はアレイから分離する、１つ又は複数の分離プレートを形成する。
【選択図】図１０

42. 发明专利

JP5261960B2 Method of manufacturing a semiconductor substrate 有权
公开(公告)号：JP5261960B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2007097197
申请日：2007-04-03
申请人：株式会社Sumco
发明人：昭彦遠藤 , 信之森本
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/76251
摘要： The present invention provides a method of manufacturing a bonded wafer. The method includes forming an oxygen ion implantation layer in an active layer wafer having a substrate resistivity of 1 to 100 m&OHgr;cm by implanting oxygen ions in the active layer wafer, bonding a base wafer and the active layer wafer directly or through an insulating layer to form a bonded wafer, heat treating the bonded wafer to strengthen the bond and convert the oxygen ion implantation layer into a stop layer, grinding, polishing, and/or etching, from the active layer wafer surface side, the bonded wafer in which the bond has been strengthened to expose the stop layer on a surface of the bonded wafer, removing the stop layer, and subjecting the bonded wafer from which the stop layer has been removed to a heat treatment under a reducing atmosphere to diffuse an electrically conductive component comprised in the active layer wafer.

43. 发明专利

JP2013521648A Semiconductor devices, including semiconductor-metal-on-insulator structure, a method of forming of such a structure, and such a structure 有权
公开(公告)号：JP2013521648A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：JP2012556081
申请日：2011-02-10
申请人：マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：ディー．タン，サン , ジャーン，ミーン , エム．ベイレス，アンドリュー , ケー．ザフラク，ジョン
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/30604 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1021 , H01L27/10802 , H01L27/12 , H01L27/24 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/7841 , H01L29/78603 , H01L29/78642 , H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要：セミコンダクタ・メタル・オン・インシュレータ（ＳＭＯＩ）構造を製造する方法は、第１の半導体基板上に絶縁体材料を含むアクセプターウェーハを形成することと、第２の半導体基板上に導電材料及びアモルファスシリコン材料を含むドナーウェーハを形成することと、アクセプターウェーハの絶縁体材料にドナーウェーハのアモルファスシリコン材料を結合させることとを含む。斯かる方法から形成されるＳＭＯＩ構造はまた、斯かるＳＭＯＩ構造を含む半導体装置としても開示される。
【選択図】図６

44. 发明专利

JP2013110161A Substrate for element formation and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：元件形成和制造方法的基板
公开(公告)号：JP2013110161A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2011251885
申请日：2011-11-17
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： IKEDA KEIJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/16 , H01L21/76251 , H01L21/76256
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for element formation capable of reducing an interface level density in a bonding interface and contributing to further lower power consumption and faster speed of an LSI and the like, and a manufacturing method therefor.SOLUTION: A manufacturing method for a substrate for element formation in which a Ge layer and an SiGe layer are formed on an insulating layer comprises the steps of: forming an Si film 12 on a surface of a Ge substrate 11; forming a high-dielectric insulating film 13 on the Si film 12; bonding the Ge substrate 11 in which the Si film 12 and the high-dielectric insulating film 13 are formed to a support substrate 21 in which an oxide film 22 is formed on a surface thereof by bringing the high-dielectric insulating film 13 into contact with the oxide film 22; and thinning the Ge substrate 11 bonded to the support substrate 21 by polishing it from the rear surface side of the Ge substrate 11.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低接合界面中的界面水平密度并有助于进一步降低LSI等的功耗和更快速度的元件形成用基板及其制造方法。解决方案：在绝缘层上形成Ge层和SiGe层的用于元件形成的衬底的制造方法包括以下步骤：在Ge衬底11的表面上形成Si膜12; 在Si膜12上形成高介电常数绝缘膜13; 将形成有Si膜12和高介电绝缘膜13的Ge基板11与表面上形成有氧化膜22的支撑基板21接合，使高介电绝缘膜13与氧化膜22; 并通过从Ge衬底11的背面抛光来使结合到支撑衬底21的Ge衬底11变薄。（C）2013，JPO＆INPIT

45. 发明专利

JP2013080917A Method for manufacturing silicon-on-insulator structure 有权
标题翻译：制造硅绝缘体结构的方法
公开(公告)号：JP2013080917A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：JP2012205652
申请日：2012-09-19
申请人： Soytec , ソイテック
发明人： CAROLE DAVID , SEBASTIEN KERDILES
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/3105 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L29/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon-on-insulator structure with a thickness of 25 nm or less and having a buried oxide layer with few bubble defect.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon-on-insulator structure comprises the steps for: (a) providing a supporting substrate and a donor substrate containing a silicon layer, only one of both substrates is covered by an oxide layer; (b) forming a weak zone to be a boundary between the silicon layer and the donor substrate; (c) plasma-activating the oxide layer; (d) bonding the donor substrate to the supporting substrate, and the oxide layer is arranged on the bonding boundary and the bonding is performed in a partial vacuum; (e) performing a bonding-reinforcing anneal at 350°C or less, and the anneal cleaves the donor substrate along the weak zone; and (f) heat-treating the silicon-on-insulator structure at a temperature higher than 900°C to repair defects, and a temperature transition from the step (e) to the step (f) is a gradient ratio of more than 10°C/s.
摘要翻译：要解决的问题：提供厚度为25nm或更小的具有少量气泡缺陷的掩埋氧化物层的绝缘体上硅结构。解决方案：一种用于制造绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：（a）提供支撑衬底和包含硅层的施主衬底，两个衬底中只有一个被氧化物层覆盖; （b）形成弱区以成为硅层和施主衬底之间的边界; （c）等离子体活化氧化物层; （d）将供体衬底粘合到支撑衬底上，并且氧化层布置在接合边界上，并且在部分真空中进行接合; （e）在350℃以下进行接合强化退火，并且退火沿着弱区切割施主衬底; 和（f）在高于900℃的温度下对绝缘体上的硅结构进行热处理以修复缺陷，并且从步骤（e）到步骤（f）的温度转变是大于10的梯度比 °C / s。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

46. 发明专利

JP2013513963A How to reuse the board 有权
公开(公告)号：JP2013513963A
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：JP2012543918
申请日：2009-12-15
申请人：ソイテック
发明人：ロールベルアン
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76251
摘要：少なくとも電磁放射の波長に対して実質的に透明な材料の支持基板（２５）を再利用する方法であって、前記方法は、ａ）初期基板（１０）を用意するステップと、ｂ）初期の粗さを有する支持基板（２５）の接合面上に中間層（１５）を形成するステップ（Ｓ１）であって、前記中間層（１５）は少なくとも電磁放射の波長に対して実質的に透明な材料のものである、ステップと、ｃ）初期基板（１０）の接合面（１０ｂ）および／または中間層（１５）のいずれかの上に電磁放射吸収層（２４）を形成するステップ（Ｓ２）と、ｄ）初期基板（１０）を支持基板（２５）に電磁放射吸収層（２４）を介して接合するステップ（Ｓ３）と、ｅ）支持基板（２５）および中間層を通して電磁放射吸収層（２４）の照射を実行して、初期基板からの支持基板（２５）の分離を引き起こすステップ（Ｓ４）とを含む。

48. 发明专利

JP2013016792A Semiconductor device, semiconductor substrate, semiconductor substrate manufacturing method and semiconductor device manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件，半导体衬底，半导体衬底制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2013016792A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：JP2012131891
申请日：2012-06-11
申请人： Sumitomo Chemical Co Ltd , 住友化学株式会社 , Univ Of Tokyo , 国立大学法人東京大学 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： TAKADA TOMOYUKI , YAMADA HISASHI , HATA MASAHIKO , TAKAGI SHINICHI , MAEDA TATSURO , URABE YUJI , YASUDA TETSUJI
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/76251 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce source/drain region resistance or contact resistance of an nMISFET of a group III-V semiconductor and a pMISFET of a group IV semiconductor, which respectively include sources/drains formed simultaneously in the same process on a single substrate.SOLUTION: A semiconductor device comprises a first-channel first MISFET formed on a first semiconductor crystal layer and a second-channel second MISFET formed on a second semiconductor crystal layer. A first source and a first drain of the first MISFET, and a second source and a second drain of the second MISFET are composed of the same conductive material and a work function Φof the conductive material satisfies at least one of relationships represented as Formula 1 and Formula 2: (Formula 1) φ
摘要翻译：要解决的问题：为了减少III-V族半导体的nMISFET和IV族半导体的pMISFET的源极/漏极区域电阻或接触电阻，其分别包括在相同工艺中同时形成的源极/漏极单个基板。解决方案：半导体器件包括形成在第一半导体晶体层上的第一沟道第一MISFET和形成在第二半导体晶体层上的第二沟道第二MISFET。第一MISFET的第一源极和第一漏极以及第二MISFET的第二源极和第二漏极由相同的导电材料和功函数Φ M 导电材料满足由式1和式2表示的关系中的至少一种：（式1）φ 1 2 + E g2 ; （公式2）¾Φ M -φ 1 ¾≤0.1eV和¾（φ 2 + E g2 ） - Φ M ¾≤0.1eV，其中φ 1 表示N型半导体晶体层的电子亲和力，φ 2 和E g2 表示电子亲和力和P型半导体晶体层的禁带宽度。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

49. 发明专利

JP5079706B2 Process and apparatus for bonding by molecular bonding 有权
公开(公告)号：JP5079706B2
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：JP2008541715
申请日：2006-11-20
申请人：ソイテックSoitec
发明人：セバスチャンケルディレ， , カリーヌデュレ， , アレサンドレヴァウフレダス，
IPC分类号： H01L27/12 , B82B3/00 , H01L21/02
CPC分类号： C03C27/00 , C03C27/02 , C03C27/046 , C03C2204/08 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L2224/75251 , H01L2224/83002 , H01L2924/1461 , Y10T156/10 , Y10T156/17 , H01L2924/00

50. 发明专利

JP5068674B2 Temporary wafer bonding method for semiconductor processing 有权
公开(公告)号：JP5068674B2
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：JP2007558025
申请日：2006-02-07
申请人：ダウ・コーニング・コーポレイション
发明人：ゲオフレイ・ブルース・ガードナー , ブライアン・ロバート・ハークネス
IPC分类号： H01L21/02 , C08L83/05 , C08L83/07
CPC分类号： H01L21/6835 , C08L83/00 , C09J5/06 , C09J183/04 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2483/00 , H01L21/6836 , H01L21/76251 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要： A method for temporary wafer bonding employs an addition reaction curable adhesive composition. The adhesive composition may include (A) a polyorganosiloxane containing an average of at least two silicon-bonded unsaturated organic groups per molecule, (B) an organosilicon compound containing an average of at least two silicon-bonded hydrogen atoms per molecule in an amount sufficient to cure the composition, (C) a catalytic amount of a hydrosilylation catalyst, and (D) a solvent. The film prepared by curing the composition is removable with an etching solution.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式