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热词
    • 32. 发明专利
    • 半導体装置
    • 半导体设备
    • JP5974421B1
    • 2016-08-23
    • JP2016507938
    • 2015-11-13
    • 株式会社野田スクリーン
    • 小山田 成聖
    • H01L27/04H01L23/12H01L23/32H01L21/822
    • H01L23/642H01G4/33H01L21/822H01L23/50H01L23/647H01L24/06H01L24/09H01L24/13H01L24/16H01L24/17H01L24/33H01L27/04H01L2224/0401H01L2224/16H01L2224/16265H01L2924/14H01L2924/19041H01L2924/19043H01L2924/19103
    • 半導体装置(100)は、バンプ搭載面(2S)を有する半導体集積回路(2)と、バンプ搭載面にバンプ(22)によって接続される薄膜キャパシタ部(1)とを備える。半導体集積回路(2)は、一方の極性の電源電圧(Vdd)が印加される第1電源パッド(21V)と、他方の極性の電源電圧(Gnd)が印加される第2電源パッド(21G)とを含む。薄膜キャパシタ部(1)は、第1電源パッドに接続される第1電極層(11)と、第2電源パッドに接続される第2電極層(12)と、第1電極層と第2電極層との間に形成された誘電体層(13)と、を含む。半導体装置は、半導体集積回路に電力を供給する電力供給経路(30)と、電力供給経路中に設けられ、第1電極層および第2電極層の体積抵抗率より高い体積抵抗率を有する金属系高抵抗材料からなる薄板状の金属抵抗部(17)とを備える。
    • 的半导体器件(100)包括具有凸块安装表面(2S)的半导体集成电路(2),薄膜电容器部通过凸块(22)连接到该凸块安装表面和(1)。 半导体集成电路(2),所述第二电源焊盘和电源电压(VDD)的一种极性的所述第一电源焊盘被施加(21V)时,供电电压(GND)的另一极性被施加(21G) 包括门。 薄膜电容器部(1)包括连接到所述第一电源焊盘(11),连接到所述第二电源焊盘(12),所述第一电极层和第二电极的第二电极层的第一电极层 包括层(13)之间形成的介电层,所述。 该半导体器件包括在所述供电路径设置用于为半导体集成电路(30)供给电力的电力供给路径,金属,带高体积电阻率比所述第一电极层的体积电阻率和所述第二电极层 和薄的板状的金属电阻器部分制成的高电阻材料(17)的。
    • 39. 发明专利
    • 金属ベース実装基板および金属ベース実装基板の製造方法
    • 基于金属的安装板和制造金属安装板的方法
    • JP2016012721A
    • 2016-01-21
    • JP2015111282
    • 2015-06-01
    • 住友ベークライト株式会社
    • 新居 良英小宮谷 壽郎杠 幸治
    • H05K1/18H05K1/05H01L23/14H01L23/36H01L23/12
    • H05K1/184H01L2224/16H01L2224/16225H05K1/021H05K1/056H05K3/3447
    • 【課題】信頼性の高い金属ベース実装基板及び当該基板を効率よく製造することができる金属ベース実装基板の製造方法を提供する。 【解決手段】金属ベース実装基板100は、厚さ方向に貫通する貫通孔11が設けられた金属基板1、金属基板1上に設けられた絶縁膜2及び絶縁膜2上に設けられた金属膜3を備える。貫通孔11が、絶縁膜2及び金属膜3を介して、金属膜3の金属基板1と反対側の面で開口している金属ベース回路基板10と、金属膜2に接続された、電子部品本体51と電気的に接続され、貫通孔11に挿入された導電性を有する足部52とを有する電子部品5と、少なくとも貫通孔11内に位置する足部52と金属基板1との間に設けられ、これらの接触を阻止する機能を有する絶縁部6とを備える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种具有高可靠性的金属基安装板,并提供能够有效地制造金属基安装板的方法。解决方案:金属基安装板100包括:金属基电路板 包括设置有贯穿其厚度方向的通孔11的金属基板1,设置在金属基板1上的绝缘膜2和设置在绝缘膜2上的金属膜3,通孔11 具有:通过绝缘膜2和金属膜3在金属膜1的相对侧的金属膜3的表面上开口的金属基电路板10; 连接到金属膜2的电子部件5,并且包括电连接到电子部件主体并插入到通孔11中的电子部件主体51和导电脚部52; 以及设置在至少位于通孔11内的腿部52和金属基板1之间的绝缘部6,具有防止它们彼此接触的功能。