基本信息:
- 专利标题: 半導体装置とその製造方法
- 专利标题(英):Semiconductor device and a method of manufacturing the same
- 申请号:JP2011236985 申请日:2011-10-28
- 公开(公告)号:JP5891707B2 公开(公告)日:2016-03-23
- 发明人: 塩賀 健司 , 水野 義博
- 申请人: 富士通株式会社
- 申请人地址: 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号
- 专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人地址: 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号
- 代理人: 岡本 啓三
- 主分类号: H01L25/065
- IPC分类号: H01L25/065 ; H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L23/473
公开/授权文献:
- JP2013098212A Semiconductor device and manufacturing method of the same 公开/授权日:2013-05-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
--------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件 |
----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
------------H01L25/065 | ...包含在H01L27/00组类型的器件 |