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1. 发明专利

JP2018060933A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018060933A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016198125
申请日：2016-10-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺伸介 , 西澤弘一郎
IPC分类号： H01L27/04 , H03F1/30 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/822
CPC分类号： H01L29/78 , H01L23/3107 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2924/10157 , H01L2924/10158 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15159 , H01L2924/19107
摘要：【課題】本発明は、電界効果トランジスタを備えた半導体装置に関し、基板の面積の増加を抑制できる半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第1基板に設けられたトランジスタと、該トランジスタのゲート電極と接続されたゲートパッドと、該ゲートパッドの上に設けられた導電性バンプと、該第1基板の上方に設けられ、第1面と第2面とを有する第2基板と、該第1面から該第2面に貫通し、該第2面側で該導電性バンプと接続される第1電極と、一端が該第1電極の該第1面側に接続され、他端が入力端子に接続された抵抗と、該第1面に該第1電極と隣接して設けられ、該抵抗を介さずに該入力端子に接続された第2電極と、を備え、該トランジスタのゲートリーク電流は、該第1電極から該第2基板の該母材および該第2電極を通って該入力端子に流れる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017162866A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017162866A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2016043303
申请日：2016-03-07
申请人：株式会社東芝
发明人：松山宏
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L23/15 , H01L23/3672 , H01L23/495 , H01L23/49503 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L24/01 , H01L24/09 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/0603 , H01L2224/32157 , H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/48159 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L23/3731 , H01L2924/00014 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107
摘要：【課題】共振ループの共振周波数とノイズ周波数とのマッチングが生じる可能性を低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、基板と、第1導電層と、第1半導体チップと、第2半導体チップと、第2導電層と、第3導電層と、を有する。第1導電層は、第1導電部と第2導電部とを有する。第1半導体チップは、第1電極と第2電極と第3電極とを有する。第1電極は、第1導電部と接続されている。第2半導体チップは、第4電極と第5電極とを有する。第4電極は、第2導電部と接続されている。第2導電層は、第1接続部と第2接続部とを有する。第1接続部は、第2電極と接続されている。第2接続部は、第5電極と接続されている。第2導電層は、第1接続部と第2接続部との間に間隙を有する。第3導電層は、第3電極と接続されている。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2017092515A 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局审中-公开
公开(公告)号：JP2017092515A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015215500
申请日：2015-11-02
申请人：セイコーエプソン株式会社 , Seiko Epson Corp
发明人： ISOHATA KENSAKU , KIKUCHI TAKAYUKI
IPC分类号： H03B5/32 , H01L21/60
CPC分类号： H03L1/04 , H01L23/34 , H01L23/345 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/351 , H03B5/32 , H03B2200/0008 , H03B2200/001 , H03B2200/0012 , H03B2200/0018 , H03L1/02 , H03L1/028 , H01L2224/45099
摘要：【課題】ワイヤーボンディングの生産性を向上できる集積回路装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、振動子と接合される接合部と、前記基板上に設けられた複数のボンディングパッドと、を備え、前記接合部には、前記基板の表面の一部を覆う絶縁性保護膜が設けられ、隣り合う前記ボンディングパッドの間には、前記絶縁性保護膜が設けられていない、集積回路装置。【選択図】図6

4. 发明专利

JPWO2015136821A1 積層半導体集積回路装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015136821A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016507279
申请日：2014-12-26
申请人：株式会社ThruChip Japan , 株式会社ThruChip Japan
发明人：忠広黒田 , 忠広黒田
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07 , H01L25/18 , H04B5/02
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/645 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/02379 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/08146 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/80006 , H01L2224/80203 , H01L2224/8083 , H01L2224/80986 , H01L2224/81005 , H01L2224/9202 , H01L2224/92125 , H01L2224/9222 , H01L2224/92225 , H01L2224/92227 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/19107 , H01L2224/80 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/80001 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/20752
摘要：積層半導体集積回路装置に関し、安価な構成で積層のための3次元スペースを小さくするとともに、十分な電源品質を与える。第1の半導体集積回路装置に第1の半導体基体を厚さ方向に貫通するとともに、第1の電源電位に接続する第1の貫通半導体領域と、第2の電源電位に接続する第2の貫通半導体領域とを設け、第1の貫通半導体領域と第2の貫通半導体領域に夫々接続する第1の電極及び第2の電極を有する第2の半導体集積回路装置を積層する。

5. 发明专利

JP2017055033A 半導体装置、半導体チップ及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017055033A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015179386
申请日：2015-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：林左千夫
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/822
CPC分类号： H01L24/49 , H01L22/20 , H01L22/22 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L27/0248 , H01L2224/04042 , H01L2224/05014 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/4911 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/1301 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181
摘要：【課題】所望の耐圧を有することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、回路27、第1〜第4パッド24、第1、第2スイッチング素子32を含む半導体チップ22を含む。第1スイッチング素子の第1、第2ノードはそれぞれ第1、第2パッドとかつ回路と接続され、第1閾値以上の大きさの電流が第1ノードから流れ込むと第1閾値以上の大きさの電流を第1スイッチング素子を介して第2ノードから流す。第2スイッチング素子の第3、第4ノードは、それぞれ第3、第4パッドのみと接続され、第2閾値以上の大きさの電流が第3ノードから流れ込むと第2閾値以上の大きさの電流を第2スイッチング素子を介して第4ノードから流す第2スイッチング素子を含む。半導体チップは、第1パッド、第1導電線と接続された第1ワイヤ25と、第2パッド、第2導電線と接続された第2ワイヤ25を含む。【選択図】図4

6. 发明专利

JP2017050450A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017050450A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015173747
申请日：2015-09-03
申请人：株式会社東芝
发明人：門馬好広
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/09 , H01L21/56 , H01L22/34 , H01L23/544 , H01L24/06 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L22/32 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06153 , H01L2224/06155 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/1052 , H01L24/48 , H01L2924/00014
摘要：【課題】積層された半導体チップのパッドと端子間のボンディングワイヤーによる接続の不具合を低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、端子と、積層された半導体チップ11_1−11_4と、ワイヤー22−25を備える。半導体チップ11_1−11_4には、ダミーパッド1D−4D及び信号パッド1S−4Sが配置されている。ワイヤー22−24は、端子とパッド1D−3Dとを接続する。ワイヤー25は、パッド3Dとパッド4Sとを接続する。【選択図】図4

8. 发明专利

JP5974421B1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP5974421B1
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2016507938
申请日：2015-11-13
申请人：株式会社野田スクリーン
发明人：小山田成聖
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/12 , H01L23/32 , H01L21/822
CPC分类号： H01L23/642 , H01G4/33 , H01L21/822 , H01L23/50 , H01L23/647 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/33 , H01L27/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/16 , H01L2224/16265 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103
摘要：半導体装置(100)は、バンプ搭載面(2S)を有する半導体集積回路(2)と、バンプ搭載面にバンプ(22)によって接続される薄膜キャパシタ部(1)とを備える。半導体集積回路(2)は、一方の極性の電源電圧(Vdd)が印加される第1電源パッド(21V)と、他方の極性の電源電圧(Gnd)が印加される第2電源パッド(21G)とを含む。薄膜キャパシタ部(1)は、第1電源パッドに接続される第1電極層(11)と、第2電源パッドに接続される第2電極層(12)と、第1電極層と第2電極層との間に形成された誘電体層(13)と、を含む。半導体装置は、半導体集積回路に電力を供給する電力供給経路(30)と、電力供給経路中に設けられ、第1電極層および第2電極層の体積抵抗率より高い体積抵抗率を有する金属系高抵抗材料からなる薄板状の金属抵抗部(17)とを備える。
摘要翻译：的半导体器件（100）包括具有凸块安装表面（2S）的半导体集成电路（2），薄膜电容器部通过凸块（22）连接到该凸块安装表面和（1）。半导体集成电路（2），所述第二电源焊盘和电源电压（VDD）的一种极性的所述第一电源焊盘被施加（21V）时，供电电压（GND）的另一极性被施加（21G）包括门。薄膜电容器部（1）包括连接到所述第一电源焊盘（11），连接到所述第二电源焊盘（12），所述第一电极层和第二电极的第二电极层的第一电极层包括层（13）之间形成的介电层，所述。该半导体器件包括在所述供电路径设置用于为半导体集成电路（30）供给电力的电力供给路径，金属，带高体积电阻率比所述第一电极层的体积电阻率和所述第二电极层和薄的板状的金属电阻器部分制成的高电阻材料（17）的。

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