专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

JP2011034995A Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2011034995A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：JP2009176781
申请日：2009-07-29
申请人： Elpida Memory Inc , エルピーダメモリ株式会社
发明人： HIROTA TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/31683 , C23C16/405 , C23C16/45527 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L27/10852 , H01L28/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which peeling in an air bubble state can be prevented from occurring between an electrode and an insulating film (metal oxide film) for a capacitor, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.
SOLUTION: The method of manufacturing the semiconductor device includes the following processes. By supplying a source gas over a base substance in S1, a metal nitride film is accumulated with a film thickness of 3 nm or less by an ALD method in S2, S3 and S4. By repeating, a plurality of times, the process in which the metal nitride film is oxidized in S5 and S6 to form a metal oxide film, a laminated film comprising the metal oxide films is formed over the base substance. Thus, the peeling in the air bubble state can be prevented from occurring between the electrode and insulating film (metal oxide film) for the capacitor.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种可以防止在电极和用于电容器的绝缘膜（金属氧化物膜）之间发生气泡状态的剥离的半导体器件，并且提供一种制造半导体器件。解决方案：制造半导体器件的方法包括以下处理。通过在S1中将原料气体供给到基体物质上，通过在S2，S3，S4中的ALD法，以3nm以下的膜厚累积金属氮化物膜。通过重复多次，在S5和S6中金属氮化物膜被氧化以形成金属氧化物膜的工艺，在基础物质上形成包含金属氧化物膜的层叠膜。因此，可以防止在电容器的电极和绝缘膜（金属氧化物膜）之间发生气泡状态的剥离。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

12. 发明专利

JP2010272898A Method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2010272898A
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：JP2010201169
申请日：2010-09-08
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SAKATA ATSUKO , WADA JUNICHI , OMOTO SEIICHI , HATANO SHOSUKE , KATADA TOMIO , AZUMA KAZUYUKI , NAKAMURA NAOFUMI , YAMADA MASAKI , KINOSHITA KAZUYA , YAMASHITA SOICHI , HASUNUMA MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, the adhesion of which to an interconnect line member is excellent and which has a metal film with high barrier property, and to provide a method of manufacturing the same. SOLUTION: The semiconductor device includes a layered structure formed by laminating an insulating film, a barrier metal film made of a metal, and a Cu interconnect metal film in this order on a substrate. Diffraction intensity of the oxide of the barrier metal film by X-ray diffraction measurement is ≤10 times as low as the diffraction intensity of the compound of the barrier metal film and the Cu interconnect metal film. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种半导体器件，其对互连线构件的粘合性优异，并且具有高阻隔性的金属膜，并提供其制造方法。解决方案：半导体器件包括通过在衬底上层叠绝缘膜，由金属制成的阻挡金属膜和Cu互连金属膜而形成的层状结构。通过X射线衍射测定，阻挡金属膜的氧化物的衍射强度为阻挡金属膜和Cu互连金属膜的化合物的衍射强度的10倍以下。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

13. 发明专利

JP2004179617A Insulating film and electronic element 有权
公开(公告)号：JP2004179617A
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：JP2003197808
申请日：2003-07-16
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SHIMIZU TATSUO , SATAKE HIDEKI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L29/12 , H01L29/15 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/28185 , B82Y10/00 , H01L21/02148 , H01L21/02156 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/02293 , H01L21/02337 , H01L21/28194 , H01L21/28291 , H01L21/3142 , H01L21/3147 , H01L21/3162 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01L29/122 , H01L29/152 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an insulating film with high dielectric constant and small leakage current, and an electronic element using the same. SOLUTION: A first insulating film is provided with a first barrier layer comprising a material having a first band gap and a first dielectric constant; a well layer provided on the first barrier layer and comprising the material having a second band gap smaller than the first band gap and a second dielectric constant larger than the first dielectric constant; and a second barrier layer provided on the well layer and comprising the material having a third band gap larger than the second band gap and a third dielectric constant smaller than the second dielectric constant. Discrete levels due to quantum effect are formed in the well layer. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

14. 发明专利

JP6436886B2 半導体装置の製造方法及びプログラム审中-公开
公开(公告)号：JP6436886B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015189708
申请日：2015-09-28
申请人：株式会社KOKUSAI ELECTRIC
发明人：中山雅則 , 井川博登
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/40 , C23C16/02 , H01L21/316
CPC分类号： H01L27/1085 , H01J37/32926 , H01L21/02175 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/321 , H01L21/67109 , H01L21/67757 , H01L21/68742 , H01L28/40

15. 发明专利

JP2018078300A 装置の作製方法及びELモジュールの作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018078300A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2017231637
申请日：2017-12-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：江口晋吾 , 門馬洋平 , 谷敦弘 , 廣末美佐子 , 橋本健一 , 保坂泰靖
IPC分类号： H01L27/12 , H05B33/02 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/67092 , H01L21/707 , H01L27/1266
摘要：【課題】半導体素子の作製時に用いた基板から、半導体素子を含む素子形成層を剥離するときに、剥離によって発生した静電気による放電を抑える。【解決手段】基板10上に剥離層12、素子形成層11を形成する。素子形成層11の上面には、後で剥離可能な支持基材13が固定される。支持基材13を介して、素子形成層 11を変形させ、素子形成層11と剥離層12の界面で剥離を生じさせる。剥離によって逐次現れる素子形成層11および剥離層12が純水などの液体15で濡れるように、液体 15を供給しながら剥離を行う。液体15により素子形成層11および剥離層12の表面に発生した電荷が拡散され、剥離帯電による放電をなくすことができる。【選択図】図3

16. 发明专利

JP2018056590A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018056590A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017242631
申请日：2017-12-19
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：花岡一哉 , 笹川慎也
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02244 , H01L21/02107 , H01L21/02252 , H01L21/02323 , H01L21/02521 , H01L27/1156 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：【課題】酸化物半導体膜と接して酸素を放出する絶縁膜を設けることで、酸化物半導体膜中の酸素欠損を低減できることが知られている。そこで、過剰酸素を含む積層膜を提供する。また、当該積層膜を用いることで、トランジスタの形状不良を低減する。また、安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。【解決手段】酸化物絶縁膜上に金属膜の設けられた積層膜の処理方法であって、酸素を含む雰囲気下で、圧力を5Pa以上15Pa以下とし、積層膜側に電力密度0.59W/c m 2 以上1.18W/cm 2 以下の高周波電力を印加することで酸素イオンを含むプラズマを生成し、酸素イオンによって、金属膜を酸化させ、かつ酸化物絶縁膜を過剰酸素を有する酸化物絶縁膜を形成する。【選択図】図1

17. 发明专利

JPWO2016098423A1 酸化物の前駆体、酸化物層、半導体素子、及び電子デバイス、並びに酸化物層の製造方法及び半導体素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016098423A1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2015552674
申请日：2015-10-05
申请人：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 , 住友精化株式会社
发明人：下田　達也 , 達也下田 , 井上　聡 , 聡井上 , 深田　和宏 , 和宏深田 , 聖司西岡 , 聖司西岡 , 信貴藤本 , 信貴藤本 , 鈴木　正博 , 正博鈴木
IPC分类号： H01L21/368 , C23C18/12 , H01L21/288 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/12 , C23C18/1279 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/288 , H01L29/786
摘要：【課題】電子デバイス又は半導体素子に採用され得る薄膜を印刷法によって形成する際に、曳糸性を制御し得る脂肪族ポリカーボネート、酸化物の前駆体、及び酸化物層を提供する。【解決手段】本発明の1つの酸化物の前駆体は、分子量が6千以上40万以下の脂肪族ポリカーボネートの比率が該脂肪族ポリカーボネート全体の80質量%以上である、前述の脂肪族ポリカーボネートからなるバインダー(不可避不純物を含み得る)を含む溶液中に、酸化されたときに金属酸化物となる金属の化合物を分散させたものである。その結果、図1に示すように、半導体素子の製造に使用できる良好なパターンを形成することができる。

18. 发明专利

JP2017085163A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2017085163A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2017009274
申请日：2017-01-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： HANAOKA KAZUYA , SASAGAWA SHINYA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L51/50
CPC分类号： H01L21/02244 , H01L21/02107 , H01L21/02252 , H01L21/02323 , H01L21/02521 , H01L27/1156 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：【課題】酸化物半導体膜と接して酸素を放出する絶縁膜を設けることで、酸化物半導体膜中の酸素欠損を低減できることが知られている。そこで、過剰酸素を含む積層膜を提供する。また、当該積層膜を用いることで、トランジスタの形状不良を低減する。また、安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。【解決手段】酸化物絶縁膜上に金属膜の設けられた積層膜の処理方法であって、酸素を含む雰囲気下で、圧力を5Pa以上15Pa以下とし、積層膜側に電力密度0.59W/cm2以上1.18W/cm2以下の高周波電力を印加することで酸素イオンを含むプラズマを生成し、酸素イオンによって、金属膜を酸化させ、かつ酸化物絶縁膜を過剰酸素を有する酸化物絶縁膜を形成する。【選択図】図1

19. 发明专利

JP6082640B2 積層膜の処理方法および半導体装置の作製方法有权
标题翻译：用于制造的处理方法的方法，并且所述多层膜的半导体装置
公开(公告)号：JP6082640B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2013078476
申请日：2013-04-04
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：花岡一哉 , 笹川慎也
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/50 , H05B33/14 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02244 , H01L21/02107 , H01L21/02323 , H01L21/02521 , H01L27/1156 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L21/02252

20. 发明专利

JP6077868B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6077868B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2013018105
申请日：2013-02-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：磯部敦生 , 細谷邦雄
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02178 , H01L21/02244 , H01L21/0237 , H01L21/02565 , H01L21/383 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/47573 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/7869 , H01L27/10873 , H01L27/1108 , H01L27/1156

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式