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1. 发明专利

JP6424249B2 シリコン及びゲルマニウムを含む基板におけるシリコンの優先的酸化のための方法审中-公开
公开(公告)号：JP6424249B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2017079749
申请日：2017-04-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：カンダバラエヌ.タピリー
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/02164 , H01L21/02236 , H01L21/02252 , H01L21/3065

2. 发明专利

JP2018129224A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018129224A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017022341
申请日：2017-02-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02252 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32348 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H05H1/46
摘要：【課題】プラズマ処理装置内に生成されるプラズマの均一性を向上させる。【解決手段】プラズマ処理装置10は、高周波電力が印加される第1の電極と、第1の電極に対して対向電極として機能する第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に生成されるプラズマと第2の電極との間に配置された複数の誘電体ユニットと、それぞれの誘電体ユニットの位置または誘電率を独立に制御することにより、それぞれの誘電体ユニットを介するプラズマと第2の電極との間のインピーダンスを制御する制御部60とを備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6257071B2 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6257071B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2013186834
申请日：2013-09-10
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：寺崎正 , 中山雅則 , 竹下光徳 , 舟木克典
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/505 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/68785 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31654 , H01L21/32105 , H01L21/67017 , H01L21/68742

4. 发明专利

JP2017228685A 半導体装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017228685A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2016124440
申请日：2016-06-23
申请人：富士通株式会社
发明人：尾崎史朗 , 岡本直哉
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/0223 , H01L21/02252 , H01L21/28264 , H01L29/205 , H01L29/513 , H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/41766
摘要：【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置において、ゲートリーク電流が低く、閾値変動の少ない半導体装置を提供する。【解決手段】基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、を有し、前記第1の絶縁膜は、前記第2の半導体層の側に形成された窒化物膜と、前記窒化物膜の上に形成された酸窒化物膜と、を有し、前記第2の絶縁膜は、酸化物により形成されていることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2017201721A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017201721A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2017149629
申请日：2017-08-02
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/316 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L29/04 , H01L29/6656 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、酸化物半導体層の上面の一部と接し、ゲート絶縁層の側面、並びに、ゲート電極層の側面及び上面を覆い、ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い絶縁層と、絶縁層を介してゲート電極層の側面に設けられた側壁絶縁層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有する半導体装置を提供する。【選択図】図1

7. 发明专利

JPWO2015170450A1 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015170450A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016517803
申请日：2015-04-17
申请人：株式会社Joled
发明人：祐太菅原 , 祐太菅原
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02233 , H01L21/02252 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/1296 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： TFT基板(20)の製造方法であって、基板(110)の上方に酸化物半導体層(140)を形成する工程と、酸化物半導体層(140)上に第1酸化膜(151)を形成する工程と、第1酸化膜(151)を形成した後に、酸化物半導体層(140)に対する酸化性処理を行う工程と、酸化性処理を行った後に、第1酸化膜(151)上に第2酸化膜(152)を形成する工程とを含む。

8. 发明专利

JP2017069254A 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017069254A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015189708
申请日：2015-09-28
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：中山雅則 , 井川博登
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/40 , C23C16/02 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/316
CPC分类号： H01L27/1085 , H01L21/02175 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/321 , H01L28/40 , H01J37/32926 , H01L21/67109 , H01L21/67757 , H01L21/68742
摘要：【課題】金属膜の酸化工程において、厚さや比抵抗率(シート抵抗値)を任意にコントロールした酸化層を均一性良く形成し、その後の工程である容量膜等の形成時に金属膜表面の酸化を抑制する技術を提供する。【解決手段】表面に金属膜が形成された基板を準備する工程と、酸素含有ガスと水素含有ガスの混合ガスのプラズマにより基板表面に形成された金属膜の表面を酸化し酸化層を形成する工程と、少なくとも酸化性ガスを基板に供給して酸化層上に薄膜を形成する工程と、を有する。【選択図】図5

9. 发明专利

JP2017034166A 基板処理方法有权
标题翻译：的基板处理方法
公开(公告)号：JP2017034166A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015154422
申请日：2015-08-04
申请人：株式会社東芝
发明人：佐藤伸良
IPC分类号： B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/0273
摘要：【課題】ウエハなどの被処理基板の周縁部が汚染されないようにする。【解決手段】基板処理方法は、被処理基板の第1主面の周縁部においてシリコン含有表面を露出させる工程と、シリコン含有表面に表面処理を行い、シリコン含有表面のレジスト材料に対する接触角を向上する工程と、表面処理後、被処理基板上にレジスト材料を供給する工程と、レジスト材料にテンプレートパターンを転写する工程と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：在基板的外周部分，以诸如被污染的晶片进行处理。一种基板处理方法包括：将被处理的衬底的所述第一主表面的周边部分上的含硅表面暴露的步骤中，在含硅表面上进行表面处理，提高相对于接触角的含硅表面的抗蚀剂材料和的步骤，在表面处理后，对被处理基板上供给抗蚀剂材料的步骤，在抗蚀剂材料中的模板图案转印的步骤。点域1

10. 发明专利

JP2016225521A 基板処理装置及び基板処理方法审中-公开
标题翻译：一种基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：JP2016225521A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015111907
申请日：2015-06-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01L21/02164 , H01L21/02252 , H01L21/31116 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01J2237/334
摘要：【課題】本発明は、均一なエッチング処理が可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】処理容器1と、該処理容器内に設けられ、周方向に沿って表面に形成された基板載置領域24を有する回転テーブル2と、該回転テーブルの前記周方向に沿った所定領域に設けられたエッチング領域P3と、該エッチング領域に前記回転テーブルに対向するように設けられ、前記回転テーブルの半径方向に延在して配置されたガス吐出孔93aを有するエッチングガス供給部90と、前記エッチング領域内の外周側のエッチング反応エネルギーの低下を防止する反応エネルギー低下防止手段93c、93d、110、113と、を有する。【選択図】図5
摘要翻译：公开了一种目的在于提供一种基板处理装置和基板处理方法，其能够均匀蚀刻工艺。和的处理容器1中，在处理容器提供，并具有基板安装在表面上形成沿周向区域24，沿旋转台的圆周方向以预定的旋转台2 在一个区域中设置的蚀刻区域P3中，以便提供成面对在旋转台的蚀刻区，蚀刻气体供给单元90，它具有一个径向布置的延伸气体喷出孔93a的转台的时，与反应能量减少防止部件93C用于防止蚀刻区域，93D，和110和113，的蚀刻反应能量的外周侧的劣化。点域5

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