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1. 发明专利

JP2018139324A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018139324A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2018098592
申请日：2018-05-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：笹川慎也 , 倉田求 , 栃林克明
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L51/50 , H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/44 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/47573 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置であって、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】第1の電極層と、第1の電極層上に位置し、第1の導電層及び第2の導電層の積層構造を含む第2の電極層と、厚さ方向において第1の電極層と第2の電極層との間に位置する酸化物半導体膜及び絶縁膜と、を有し、第1の導電層及び絶縁膜は第1の電極層と重なる領域に第1の開口部を有し、酸化物半導体膜は、第1の開口部と重なる領域に第2の開口部を有し、第2の導電層は、第1の開口部及び第2の開口部から露出した第1 の電極層と接する半導体装置を提供する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018085507A 半導体装置、および半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018085507A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2017220570
申请日：2017-11-16
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 加藤清 , 遠藤佑太 , 徳丸亮
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/443 , H01L21/465 , H01L21/47573 , H01L27/10802 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/1255 , H01L27/1262 , H01L29/1054 , H01L29/42384 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：【課題】非導通状態において極めてリーク電流が小さいため、低消費電力の半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物406は、酸化物406a、酸化物406b、及び酸化物406cの順に積層されている。酸化物406aの側面と酸化物406bの側面は略一致していることが好ましい。また、酸化物406bの側面と酸化物406aの側面は一つの面を形成していることが好ましい。酸化物406cは、酸化物406a及び酸化物406bを覆って形成されることが好ましい。酸化物406は、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、エネルギーギャップが2eV(好ましくは2.5eV)以上のものを用いる。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018061045A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018061045A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017218132
申请日：2017-11-13
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：岡崎健一 , 宮本敏行 , 野村昌史 , 羽持貴士 , 山崎舜平 , 佐々木俊成
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/283 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/288 , H01L21/363 , H01L21/316 , C23C16/42 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02565 , H01L21/47573 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸素欠損の含有量を低減する。また、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。【解決手段】基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接する一対の電極とを有するトランジスタ上に、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、及び一対の電極を覆う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、25℃ において0.5重量%のフッ酸に対する第1の絶縁膜のエッチング速度が10nm/分以下であり、且つ第2の絶縁膜より遅いことを特徴とする。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017050551A 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP2017050551A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2016206649
申请日：2016-10-21
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：笹川慎也 , 藤木寛士 , 家田義紀
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02565 , H01L21/47573 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L21/02554
摘要：【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜126により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁膜116及び第2の絶縁膜118を積層して形成し、第2の絶縁膜上にエッチングマスク128を形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部130を形成する。第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝す。エッチングマスクを除去し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部に導電膜を形成する。第1の絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第2の絶縁膜は、第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第1の絶縁膜よりもガス透過性が低い。【選択図】図4

5. 发明专利

JP2016225661A 薄膜トランジスタパネルの製造方法审中-公开
标题翻译：一种制造薄膜晶体管面板的方法
公开(公告)号：JP2016225661A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016195146
申请日：2016-09-30
申请人：三星ディスプレイ株式會社 , Samsung Display Co.,Ltd.
发明人：金己園 , 柳慧英 , 李禹根 , 崔昇夏 , 尹在亨 , 鄭卿在 , 李永旭 , 李制勳 , 尹甲洙 , 金度賢 , 楊東周 , 崔永柱 , 尹弼相
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/441 , H01L21/475 , H01L21/47573 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要：【課題】工程中に酸化物半導体パターンの劣化が発生することを防止することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板、前記絶縁基板上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に配置された酸化物半導体パターン、前記酸化物半導体パターン上に形成されたエッチング防止パターン、前記エッチング防止パターン上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含み、前記エッチング防止パターンのすべての側面は前記酸化物半導体パターンの側面の内側に位置する。【選択図】図9
摘要翻译：在这个过程中，氧化物半导体图案的恶化，以提供能够防止发生一种制造薄膜晶体管基板的方法。一种薄膜晶体管基板，绝缘基板，在所形成的栅极绝缘膜的绝缘性基板，所述栅绝缘布置在膜的氧化物半导体图案，形成在氧化物半导体图案蚀刻阻止图案包括源电极和形成在抗蚀刻图案的漏电极，该抗蚀刻图案的所有方面被定位在氧化物半导体图案的侧表面的内侧。 9系统技术领域

6. 发明专利

JP2016197758A 半導体装置の作製方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016197758A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2016163440
申请日：2016-08-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：本田達也 , 小俣貴嗣 , 野中裕介
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/08 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L21/02255
摘要：【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高可靠性的半导体器件，其通过使用具有稳定电特性的氧化物半导体膜，为半导体器件提供稳定的电特性，并且还提供通过使用氧化物半导体提高迁移率的半导体器件具有高结晶度的膜。解决方案：通过在表面粗糙度降低的绝缘膜上接触，可以通过形成具有结晶度的氧化物半导体膜来形成具有稳定电特性的氧化物半导体膜。可以通过给半导体器件提供稳定的电特性来提供具有可靠性的半导体器件。此外，可以提供移动性提高的半导体器件。选择图：图1

7. 发明专利

JP2015012048A アクティブマトリクス基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：主动矩阵基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2015012048A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013134433
申请日：2013-06-27
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： ISHIGA NOBUAKI , INOUE KAZUNORI , TSUMURA NAOKI , NAGAYAMA KENSUKE , ITO YASUYOSHI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/0273 , H01L21/47573 , H01L21/47635 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：【課題】アクティブマトリクス基板製造時の写真製版工程の回数を抑える。【解決手段】TFT基板200は、TFT201のドレイン電極4に接続された画素電極8と、TFT201のソース電極3に接続されたソース配線31と、TFT201のゲート電極7に接続されたゲート配線71とを備える。ソース電極3、ドレイン電極4、ソース配線31は、画素電極8と同層の導電膜を含む。ソース配線31および画素電極8の下には、TFT基板200のチャネル部2aを構成する半導体膜2と同層の半導体層が残存する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：减少制造有源矩阵基板中的照相印刷工艺的数量。解决方案：TFT基板200包括：连接到TFT 201的漏电极4的像素电极8; 连接到TFT201的源电极3的源极布线31; 以及连接到TFT 201的栅电极7的栅极布线71.源电极3，漏电极4和源极布线31包括与像素电极8相同层的导电膜。同一半导体层构成TFT基板200的沟道部分2a的半导体膜2的层保持在源极布线31和像素电极8的下方。

8. 发明专利

JP2013021305A Method for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2013021305A
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2012125788
申请日：2012-06-01
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： SASAGAWA SHINYA , FUJIKI HIROSHI , IEDA YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/47573 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which has high reliability and low contact resistance and is less apt to generate leakage current between a source and a drain.SOLUTION: A method for manufacturing the semiconductor device has the steps of: laminating and forming a first insulating film and a second insulating film provided to contact with an oxide semiconductor film on an electrode film of a transistor formed by the oxide semiconductor film; forming an etching mask on the second insulating film; forming an opening part exposing the electrode film by etching parts of the first and second insulating films overlapped with the opening part of the etching mask; removing the etching mask by exposing opening parts of the first and the second insulating films to argon plasma; and forming a conductive film on opening parts of the first and the second insulating films. The first insulating film is an insulating film in which a part of oxygen is desorbed by heating. The second insulating film is more hardly etched than the first insulating film and has a gas permeability being lower than that of the first insulating film. Alternatively a reverse sputtering may be performed.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高可靠性和低接触电阻并且不太容易在源极和漏极之间产生漏电流的半导体器件。解决方案：制造半导体器件的方法包括以下步骤：在由氧化物半导体膜形成的晶体管的电极膜上层叠和形成设置成与氧化物半导体膜接触的第一绝缘膜和第二绝缘膜 ; 在所述第二绝缘膜上形成蚀刻掩模; 通过蚀刻与蚀刻掩模的开口部分重叠的第一和第二绝缘膜的部分，形成露出电极膜的开口部; 通过将第一和第二绝缘膜的开口部分暴露于氩等离子体来去除蚀刻掩模; 以及在所述第一和第二绝缘膜的开口部分上形成导电膜。第一绝缘膜是其中一部分氧被加热解吸的绝缘膜。第二绝缘膜比第一绝缘膜更难蚀刻，并且具有比第一绝缘膜低的透气性。或者，可以进行反溅射。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2017523611A 共面型酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017523611A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2017502846
申请日：2014-08-15
申请人：深▲セン▼市華星光電技術有限公司 , 深▲せん▼市華星光電技術有限公司
发明人：呂曉文 , ▲曽▼志遠 , 蘇智▲いく▼ , 胡宇▲とう▼ , 李文輝 , 石龍強 , 張合靜
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/443 , H01L21/47573 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/7869
摘要：【課題】フォトリソグラフィーの工程数を減らして工程のプロセスと製造サイクルを短縮し、生産性と歩留まりを高め、製品の市場における競争能力を強め、必要とするフォトマスクの数を減らして生産コストを低減させる共面型酸化物半導体TFT基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板を用意するステップ1と、該基板上に第1金属層を蒸着してパターン化し、ゲート電極を形成するステップ2と、該ゲート電極と該基板上にゲート電極絶縁層を形成し、該ゲート電極絶縁層によって該ゲート電極と該基板とを完全に覆うステップ3と、該ゲート電極絶縁層上にフォトレジスト層を形成するステップ4と、該フォトレジストを各領域に区分けして露光、現像を行い、かつ該フォトレジスト層にホールと複数の凹状部を形成するステップ5と、該ホール下方の該ゲート電極絶縁層を除去するステップ6と、該複数の該凹状部下方のフォトレジスト層を除去するステップ7と、該ゲート電極絶縁層と残ったフォトレジスト層上に第2金属層を蒸着するステップ8と、残った該フォトレジスト層と、その上に蒸着した該第2金属層とを除去してソース/ドレイン電極を形成するステップ9と、酸化物半導体層を蒸着してパターン化するステップ10と、保護層を蒸着してパターン化するステップ11と、を含む。【選択図】図8

10. 发明专利

JP2017041536A 半導体装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2017041536A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015162421
申请日：2015-08-20
申请人：株式会社ジャパンディスプレイ
发明人：佐々木俊成 , 鈴村功
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/465 , H01L21/47573 , H01L29/401 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78603
摘要：【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置は、酸化物半導体層と、酸化物半導体層に対向して配置されたゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁層と、酸化物半導体層の下層に配置された第1バリア層と、酸化物半導体層の上層に配置され、酸化物半導体層の上方及び側方を囲み、酸化物半導体層の周囲において第1バリア層と接する第2バリア層と、酸化物半導体層と第1バリア層との間に配置された第1酸化層と、酸化物半導体層と第2バリア層との間に配置された第2酸化層と、を有する。【選択図】図2A
摘要翻译：是提供一种制造可靠性高的半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：氧化物半导体层，布置成与栅极电极，氧化物半导体层和设置在栅电极之间的栅极绝缘层，氧化物中的氧化物半导体层设置在半导体层下面的第一阻挡层，设置在所述氧化物半导体层的上层上，围绕氧化物半导体层的顶面和侧面，在与氧化物半导体层的周围的第一势垒层接触的第一和第二阻挡层，设置在所述氧化物半导体层和所述第一阻挡层，以及设置在所述氧化物半导体层和第二阻挡层之间的第二氧化物层之间的第一氧化物层一。 .The 2A

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