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91. 发明专利

JP2008166533A Tunnel type magnetism detecting element and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：隧道式磁铁检测元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008166533A
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：JP2006355084
申请日：2006-12-28
申请人： Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： NAKABAYASHI AKIRA , HASEGAWA NAOYA , SAITO MASAJI , IDE YOSUKE , ISHIZONE MASAHIKO , NISHIMURA KAZUMASA
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01L43/08
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B5/40 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01F41/32 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/31678
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a tunnel type magnetism detecting element having low reduction in resistance change rate and small magnetostriction in a free magnetic layer. SOLUTION: The tunnel type magnetism detecting element has a structure in which a fixed magnetic layer having a magnetization direction fixed in one direction, an insulating barrier layer, and a free magnetic layer having a magnetization direction variable due to an external magnetic field are sequentially laminated from the bottom. In the element, a first protective layer formed of platinum (Pt) is formed on the free magnetic layer. Thus, the element can largely reduce the magnetostriction of the free magnetic layer while maintaining a higher resistance change rate, compared to a tunnel type magnetism detecting element having no first protective layer. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：获得在自由磁性层中电阻变化率降低和磁致伸缩小的隧道式磁检测元件。解决方案：隧道式磁检测元件具有这样的结构，其中磁化方向固定在一个方向上的固定磁性层，绝缘阻挡层和具有由于外部磁场而变化的磁化方向的自由磁性层从底部顺序层压。在元件中，在自由磁性层上形成由铂（Pt）形成的第一保护层。因此，与没有第一保护层的隧道型磁检测元件相比，该元件可以大大减小自由磁层的磁致伸缩，同时保持较高的电阻变化率。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

92. 发明专利

JP4111274B2 The dry etching method of the magnetic material 有权
公开(公告)号：JP4111274B2
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：JP2003201254
申请日：2003-07-24
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：吉三小平 , 太一廣見
IPC分类号： C23F4/00 , G11C11/16 , H01F41/30 , H01L21/3065 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23F4/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01J2237/3343 , H01L43/12 , Y10T29/49052

93. 发明专利

JP2008098523A Magneto-resistance effect element, and magnetic memory 审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和磁记忆
公开(公告)号：JP2008098523A
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：JP2006280620
申请日：2006-10-13
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KITAGAWA EIJI , NAGASE TOSHIHIKO , YOSHIKAWA MASAHISA , NISHIYAMA KATSUYA , KISHI TATSUYA , YODA HIROAKI
IPC分类号： H01L43/10 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08 , Y10S977/935
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve thermal stability and reduce an inversion current density in magnetization inversion. SOLUTION: The magneto-resistance effect element includes: a magnetization-free layer 12 which contains a magnetic material, has magnetization of the direction vertical to a film surface, changes the direction of magnetization by an action of a spin-polarized electron, and has a fct-type crystal structure that a (001) surface is oriented; a first and second non-magnetic layers 13, 14 which are located to sandwich the magnetization-free layer 12 and has a tetragonal or cubic system crystal structure; and a magnetization fixed layer 11 which is located only on one side of the magnetization-free layer 12, moreover, is located on the surface opposite to the surface of the first non-magnetic layer 13 that the magnetization-free layer 12 is located, contains a magnetic material, has magnetization in the direction vertical to the film surface, and the direction of magnetization is fixed. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提高热稳定性并降低磁化反转中的反转电流密度。解决方案：磁阻效应元件包括：含磁性材料的无磁化层12具有垂直于膜表面的方向的磁化，通过自旋极化电子的作用改变磁化方向并具有（001）面取向的fct型晶体结构。第一和第二非磁性层13,14位于夹着无磁化层12并具有四方晶系或立方晶系晶体结构; 此外，仅位于无磁化层12的一侧的磁化固定层11位于与无磁化层12所位于的第一非磁性层13的表面相反的表面上，含有磁性材料，在垂直于膜表面的方向上具有磁化，并且磁化方向固定。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

94. 发明专利

JP2008066612A Tunnel magnetoresistance effect element and its manufacturing method 审中-公开
标题翻译：隧道磁阻效应元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008066612A
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：JP2006244977
申请日：2006-09-11
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： KOMAGAKI KOJIRO
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01F41/18 , H01L43/12
CPC分类号： G11B5/3163 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B5/398 , H01F10/3254 , H01F10/3281 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems with the surface roughness of an antiferromagnetic layer and the crystallinity of a tunnel barrier layer to obtain favorable magnetoresistance characteristics, for achieving the thinning of a tunnel magnetoresistance effect element layer.
SOLUTION: In a magnetoresistance effect layer in which an underlayer, an antiferromagnetic layer, a first stationary magnetic layer, a non-magnetic middle layer, a second stationary magnetic layer, a tunnel barrier layer, a free magnetic layer and a protective layer are stacked in order, by smoothing the first stationary magnetic layer, the nonmagnetic middle layer is also smoothed, whereby a stable antiferromagnetic exchange coupling can be obtained between the first stationary magnetic layer and the second stationary magnetic layer. Further, the tunnel barrier layer is also smoothed, whereby stable magnetoresistance characteristics can be obtained even if the layer is formed thin. Additionally, the tunnel barrier layer requiring crystallinity can have favorable magnetoresistive characteristics.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题为了解决反铁磁层的表面粗糙度和隧道势垒层的结晶度的问题，为获得良好的磁阻特性，为了实现隧道磁阻效应元件层的薄化。解决方案：在其中下层，反铁磁性层，第一固定磁性层，非磁性中间层，第二固定磁性层，隧道势垒层，自由磁性层和保护性层的磁阻效应层中层通过平滑第一固定磁性层，非磁性中间层也被平滑化，从而可以在第一固定磁性层和第二固定磁性层之间获得稳定的反铁磁交换耦合。此外，隧道势垒层也被平滑化，由此即使形成薄层，也可以获得稳定的磁阻特性。此外，需要结晶性的隧道势垒层可以具有良好的磁阻特性。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

95. 发明专利

JP2008507854A The method of manufacturing a magnetic tunnel junction device structure and the magnetic tunnel junction device structure 审中-公开
公开(公告)号：JP2008507854A
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：JP2007523558
申请日：2005-06-16
申请人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
发明人：アッカーマン、ジョアン , サン、ジジュン , エム．スローター、ジョン , ダブリュ．デイブ、レニュ
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/132 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/303 , H01L43/12
摘要：磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子構造とＭＴＪ素子構造の製造方法とが提供される。ＭＴＪ素子構造（１０）は、結晶質ピン層（２６）、非晶質固定層（３０）、および前記結晶質ピン層と前記非晶質固定層の間に配置された結合層（２８）を含み得る。非晶質固定層（３０）は結晶質ピン層（２６）に反強磁性的に結合される。前記ＭＴＪ素子は更に、自由層（３４）と、前記非晶質固定層と前記自由層の間に配置されたトンネル障壁層（３２）を含む。別のＭＴＪ素子構造（６０）は、ピン層（２６）、固定層（３０）、およびそれらの間に配置された非磁性結合層（２８）を含み得る。固定層（３０）と自由層（３４）の間にトンネル障壁層（３２）が配置される。トンネル障壁層（３２）と非晶質材料層（３０）に隣接してインタフェース層（６２）が配置される。第１インタフェース層（６２）は、非晶質材料（３０）のスピン偏極よりも大きいスピン偏極を有する材料で構成される。

96. 发明专利

JP2008060273A Tunnel type magnetic detection element and manufacturing method therefor 有权
标题翻译：隧道式磁性检测元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008060273A
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：JP2006234464
申请日：2006-08-30
申请人： Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： NAKABAYASHI AKIRA , NISHIMURA KAZUMASA , IDE YOSUKE , ISHIZONE MASAHIKO , SAITO MASAJI , HASEGAWA NAOYA
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F41/32 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/32 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a tunnel type magnetic detection element in which the increase in magnetostriction is low in a free magnetic layer and change rate in the resistance is high. SOLUTION: In a tunnel type magnetic detection element comprising a fixed magnetic layer that has a fixed direction of magnetization, an insulation barrier layer, and a free magnetic layer having a direction of magnetization that is variable with external magnetic field formed sequentially from below, a first protective layer of magnesium (Mg) is formed on the free magnetic layer. As compared with conventional structures where the first protective layers are not formed or structures where the first protective layers are formed of Al, Ti, Cu or IrMn, magnetostriction is indicated low in the free magnetic layer and change rate in the resistance is high. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了获得在自由磁性层中磁致伸缩增加较低并且电阻变化率高的隧道式磁检测元件。解决方案：在包括具有固定磁化方向的固定磁性层的绝缘磁性检测元件中，绝缘阻挡层和具有随着外部磁场变化的磁化方向的自由磁性层，顺序地由在自由磁性层上形成镁（Mg）的第一保护层。与不形成第一保护层的常规结构或由Al，Ti，Cu或IrMn形成第一保护层的结构相比，自由磁层中的磁致伸缩指示为低，电阻变化率高。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

98. 发明专利

JPWO2005086250A1 トンネルジャンクション素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2005086250A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：JP2006510651
申请日：2005-02-25
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 独立行政法人科学技術振興機構
发明人：十倉　好紀 , 好紀十倉 , 川崎　雅司 , 雅司川崎 , 博司赤▲穂▼ , 博司赤▲穂▼ , 山田　浩之 , 浩之山田 , 石井　祐司 , 祐司石井 , 佐藤　弘 , 弘佐藤 , 金子　良夫 , 良夫金子
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/18 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11C11/16 , H01F1/407 , H01F10/3254 , H01F41/205 , H01L43/10 , Y10T428/1114
摘要：スピン保持力を制御できるトンネルジャンクション素子を提供する。トンネルジャンクション素子において、LaAlO3-δ(電気的絶縁層)13を強磁性(フェリ磁性を含む)金属材料としてLa0.6Sr0.4MnO3-δ電極12とLa0.6Sr0.4Mn1-yRuyO3-δ電極14で挟むように構成した。

99. 发明专利

JP2007531178A Stabilizer and a manufacturing method for a magnetoresistive head 审中-公开
公开(公告)号：JP2007531178A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：JP2006534519
申请日：2004-04-02
申请人： Tdk株式会社
发明人：ラシドシビア , 治幸森田
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/127 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： G11B5/3932 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：対平面垂直電流磁気抵抗ヘッドからなる読み取り素子は、そこに隣接させた安定化器を有し、渦効果と電荷蓄積とに起因するセンサエッジでの磁化分布を殆ど防止するセンサ付きスピンバルブを含む。少なくとも一つのフリー層が、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させてある。フリー層上には、キャップ層が配設してある。安定化器は、フリー層に隣接するピン強磁性層と、その上に配置した反強磁性層とを含む。異なる磁気モーメントと膜厚を有する様々な材料を用い、効果的なバイアスを提供することは容易となる。小寸法用のセンサエッジに関連する問題もまた、克服される。読み取り素子の製造方法もまた、提供される。

100. 发明专利

JP2007266122A Magnetoresistance effect element, magnetic head, and magnetic disk device 有权
标题翻译：磁阻效应元件，磁头和磁盘设备
公开(公告)号：JP2007266122A
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：JP2006086422
申请日：2006-03-27
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： FUKUZAWA HIDEAKI , KUROSAKI YOSHINARI , YUASA HIROMI , FUJI YOSHIHIKO , IWASAKI HITOSHI
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01F41/18 , H01F41/20 , H01F41/22 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10
CPC分类号： G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/398 , G11B5/455 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01L43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetoresistance effect element capable of improving an MR change rate and reliability, to provide a magnetic head, and to provide a magnetic disk device. SOLUTION: The magnetoresistance effect element is provided with a magnetization fixing layer in which a magnetization direction is substantially fixed in one direction, a spacer layer arranged on the magnetization fixing layer while having an insulating layer and a metallic conductor penetrating through the insulating layer, and a magnetization free layer which is arranged on the spacer layer oppositely to the metallic conductor and in which the magnetization direction changes corresponding to an external magnetic field. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

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