专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015044186A 相分離構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法有权
标题翻译：相分离结构制造方法，图案形成方法和精细图案形成方法
公开(公告)号：JP2015044186A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014149247
申请日：2014-07-22
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： SESHIMO TAKEHIRO , DAZAI NAOHIRO , MAEBASHI TAKAYA , MIYAGI MASARU , UTSUMI YOSHIYUKI
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/00 , C08F212/08 , C08J5/18 , C08J7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , C08L3/00 , C08L33/12 , G03F7/0002 , G03F7/40 , G03F7/427
摘要：【課題】相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法、微細パターン形成方法の提供。【解決手段】基板上に、複数種類のブロックが結合した純度が98%以上のブロックコポリマーを含む層を形成する工程と、当該ブロックコポリマーを含む層を相分離させる工程と、を有することを特徴とする相分離構造を含む構造体の製造方法。本発明においては、さらに、基板上に、中性化膜を塗布し、該中性化膜からなる層を形成する工程、ガイドパターンを形成する工程を有することが好ましい。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造包括相分离结构，图案形成方法和精细图案形成方法的结构的方法。解决方案：一种用于制造具有相分离结构的结构的方法，其特征在于包括：在基板上形成具有多个块的组合的含有纯度为98％以上的嵌段共聚物的层的工序; 以及使含有所述嵌段共聚物的层相分离的步骤。优选地，该方法还包括：通过将中和膜施加到基底来形成具有中和膜的层的步骤; 以及形成引导图案的步骤。

2. 发明专利

JP2015031760A レジスト組成物、酸発生剤、高分子化合物及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：耐蚀组合物，酸发生剂，聚合物和形成耐火图案的方法
公开(公告)号：JP2015031760A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013159899
申请日：2013-07-31
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： NAGAMINE TAKASHI , KOMURO YOSHITAKA , ARAI MASATOSHI , UTSUMI YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , C07C381/12 , C08F224/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要：【課題】レジスト組成物における酸発生剤として有用な化合物、該化合物を含有するレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】一般式(m0)で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。式(m0)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアルケニル基を表し、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R3は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよいアルキニル基を表す。V1は、単結合又はアルキレン基を表す(但し、R3が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である場合、アルキレン基である)。X0−は、1価の有機アニオンを表す。[化1]【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供可用作抗蚀剂组合物中的酸产生剂的化合物，含有该化合物的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。溶胶：抗蚀剂组合物含有由通式公式（m0）。在式（m0）中，Rand Reach独立地表示任选具有取代基的芳基，任选具有取代基的烷基或任选具有取代基的烯基，并且可以彼此键合形成环，并与硫原子在配方中; R表示任选具有取代基的芳族烃基，任选具有取代基的烯基或任选具有取代基的炔基; V表示单键或亚烷基（但是，当R 1为任选具有取代基的芳族烃基时，Vis为亚烷基）。 XO表示一价有机阴离子。

3. 发明专利

JP2014185157A Compound and acid generator comprising the same 有权
标题翻译：包含该化合物和酸的发生器
公开(公告)号：JP2014185157A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2014099069
申请日：2014-05-12
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KAWAKAMI AKINARI , UTSUMI YOSHIYUKI , ABE SHO
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/06 , C07C309/12 , C09K3/00 , G03F7/004
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new compound useful as an acid generator for a resist composition, and an acid generator comprising the compound.SOLUTION: The compound is expressed by general formula (b1-11) shown below. In formula (b1-11), R" to R" each independently represent an aryl group or an alkyl group, any two in R" to R" may be bonded to each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula, and at least one in R" to R" is a substituted aryl group having a group expressed by general formula (I) shown below as a substituent; and Xrepresents an anion. In formula (I), Rrepresents a hydrogen atom or a fluorinated alkyl group; Rrepresents a hydrogen atom, an alkyl group or a fluorinated alkyl group; f represents 0 or 1; and h represents 1 or 2.
摘要翻译：要解决的问题：提供可用作抗蚀剂组合物的酸发生剂的新化合物和包含该化合物的酸产生剂。溶液：该化合物由下述通式（b1-11）表示。在式（b1-11）中，R“至R”各自独立地表示芳基或烷基，R“至R”中的任意两个可以彼此键合，与式中的硫原子一起形成环，R“〜R”中的至少一个为具有下述通式（I）表示的基团的取代芳基作为取代基; X表示阴离子。在式（I）中，R表示氢原子或氟代烷基; R表示氢原子，烷基或氟代烷基; f表示0或1; h表示1或2。

4. 发明专利

JP2014130222A Resist composition, method for forming resist pattern, and polymer compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐火图案的方法和聚合物化合物
公开(公告)号：JP2014130222A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2012287623
申请日：2012-12-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KAIHO TAKAAKI , UTSUMI YOSHIYUKI , IWASHITA ATSUSHI , YAHAGI MASATO
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition or the like which is excellent in lithography characteristics.SOLUTION: The resist composition, which generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes by the action of an acid, is characterized in that: it contains a base component (A) whose solubility in a developer changes by the action of an acid; and the base component (A) contains a polymer compound (A1) having a constituent unit (a0) derived from a compound represented by general formula (a0-1). [In the formula, Ris a hydrocarbon group of carbon number 5 or more which may have a substituent; Yis a divalent linking group; Vis an alkylene group; Vis a fluorinated alkylene group; n is an integer of 0-2; Mis an m-valent organic cation; and m is an integer of 1 or more.]
摘要翻译：要解决的问题：提供光刻特性优异的抗蚀剂组合物等。解决方案：曝光后产生酸并且其在显影剂中的溶解度随酸的作用而变化的抗蚀剂组合物的特征在于，：它含有其中在显影剂中的溶解度通过酸的作用而改变的碱成分（A）碱成分（A）含有具有由通式（a0-1）表示的化合物衍生的构成单元（a0）的高分子化合物（A1）。 [式中，R为可以具有取代基的碳数5以上的烃基，是二价连接基团; 观察亚烷基; 维持氟化亚烷基; n是0-2的整数; 错配有机阳离子; m为1以上的整数。]

5. 发明专利

JP2014010255A Positive type resist composition for thick film, method for producing thick film resist pattern and method for producing connection terminal 有权
标题翻译：用于厚膜的正型耐电组合物，用于生产厚膜电阻图案的方法和用于生产连接端子的方法
公开(公告)号：JP2014010255A
公开(公告)日：2014-01-20
申请号：JP2012146122
申请日：2012-06-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： SHIMIZU TAKAHIRO , UTSUMI YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/022 , C07C381/12 , C07F5/02 , C07F9/52 , C09K3/00 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive type resist composition for a thick film, a method for forming resist pattern using the positive type resist composition for thick film, and a method for producing a connection terminal.SOLUTION: The positive type resist composition is used for forming a thick film resist pattern on a support medium, and comprises: a resin component (A) whose dissolubility to a developer changes owing to the action of acid; and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure. The acid generator component (B)comprises an acid generator (B1) including a compound expressed by general formula (b1-1) [wherein, Ydenotes a bivalent connection group; W denotes S, Se or I; Rdenotes a hydrocarbon group which may have a substituent; Rdenotes 1 to 5C alkyl group or alkoxy group; in the case, W=I, m+n=2; W=S, Se, m+n=3 and also, m≥1, n≥O;p denotes 0 to 5; and Xdenotes a counter anion].
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于厚膜的正型抗蚀剂组合物，使用该用于厚膜的正型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法以及一种用于制造连接端子的方法。解决方案：正型抗蚀剂组合物是用于在支持介质上形成厚膜抗蚀剂图案，并且包括：由于酸的作用，其对显影剂的溶解性改变的树脂组分（A）和在曝光时产生酸的酸发生剂组分（B）。酸产生剂组分（B）包括含有由通式（b1-1）表示的化合物的酸发生剂（B1）[其中，Y表示二价连接基团; W表示S，Se或I; R表示可以具有取代基的烃基; R 1表示1〜5的烷基或烷氧基; 在这种情况下，W = I，m + n = 2; W = S，Se，m + n = 3，m≥1，n≥O; p表示0〜5; 和Xdenotes一种抗衡阴离子]。

6. 发明专利

JP2013203895A Method for producing polymer compound, resist composition, and resist pattern forming method 审中-公开
标题翻译：生产聚合物化合物的方法，耐蚀组合物和耐蚀图案形成方法
公开(公告)号：JP2013203895A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：JP2012074955
申请日：2012-03-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： ARAI MASATOSHI , UTSUMI YOSHIYUKI
IPC分类号： C08F8/00 , C08F20/38 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel method for producing a polymer compound having a structural unit which is decomposed by exposure to generate an acid, a resist composition containing the polymer compound, and a resist pattern forming method using the resist composition.SOLUTION: A method for producing a polymer having a structural unit which is decomposed by exposure to generate an acid includes steps of: reacting a first precursor polymer having a first ammonium cation with an amine having an acid dissociation constant (pKa) of conjugate acid larger than the first ammonium cation to form a second precursor polymer having a second ammonium cation that is a conjugate acid of the amine; and salt-exchanging the second precursor polymer with a sulfonium cation or iodonium cation. The second ammonium cation is lower in hydrophobicity than the first ammonium cation, and lower in hydrophobicity than the sulfonium cation or iodonium cation.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制备具有通过曝光分解以产生酸的结构单元的高分子化合物的新方法，含有高分子化合物的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。解决方案：一种制备具有通过暴露分解以生成酸的结构单元的聚合物的方法，其包括以下步骤：使具有第一铵阳离子的第一前体聚合物与具有大于所述酸的共轭酸的酸解离常数（pKa）的胺反应第一铵阳离子以形成具有作为胺的共轭酸的第二铵阳离子的第二前体聚合物; 并用锍阳离子或碘鎓阳离子盐交换第二前体聚合物。第二铵阳离子的疏水性比第一铵阳离子低，疏水性比锍阳离子或碘鎓阳离子低。

7. 发明专利

JP2013113915A Resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐火图案的方法和聚合物
公开(公告)号：JP2013113915A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：JP2011257859
申请日：2011-11-25
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： TAKAGI DAICHI , SHIONO HIROHISA , UTSUMI YOSHIYUKI , IWASHITA ATSUSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/34 , C08F20/54 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , C08F220/18 , C08F220/38 , C08F220/58 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition that has excellent sensitivity, resolution, and lithography property; a polymeric compound useful for the resist composition; and a method of forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: A resist composition generates acid by being exposed to light, and contains a base component (A) in which solubility to developer changes due to the action of acid. The base component (A) includes a polymeric compound (A1) having a structural unit (a5) represented by the general formula (a5-0), and a structural unit (a6) that generates acid by being exposed to light.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的灵敏度，分辨率和光刻性能的抗蚀剂组合物; 用于抗蚀剂组合物的聚合物; 以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。抗蚀剂组合物通过曝光而产生酸，并且含有由于酸的作用而使显影剂的溶解度变化的碱成分（A）。基础组分（A）包括具有由通式（a5-0）表示的结构单元（a5）的聚合化合物（A1）和通过曝光产生酸的结构单元（a6）。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2013101355A Resist composition, method for forming resist pattern, compound, acid generator 有权
标题翻译：抗蚀剂组合物，形成耐火图案的方法，化合物，酸发生器
公开(公告)号：JP2013101355A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2012268855
申请日：2012-12-07
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KAWAKAMI AKINARI , UTSUMI YOSHIYUKI , HANEDA HIDEO , NAKAMURA TAKESHI , SHIMIZU HIROAKI , ISHIZUKA KEITA , SESHIMO TAKEHIRO , MATSUZAWA KENSUKE
IPC分类号： G03F7/004 , C07C309/04 , C07C309/07 , C07C309/10 , C07C309/11 , C07C309/17 , C07C311/48 , C07C311/51 , C07C381/12 , C07D213/79 , C07D285/00 , C07D327/04 , C07D493/18 , C08F20/18 , C08F20/36 , C09K3/00 , G03F7/039
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new compound useful as an acid generator for a resist composition, an acid generator comprising the compound, a resist composition containing the acid generator, and a method for forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: The resist composition comprises: a base component the solubility of which with an alkali developing solution changes by an action of an acid; and an acid generator component that generates an acid by exposure. The acid generator component contains an acid generator comprising a compound expressed by general formula (b1-11). In formula (b1-11), at least one of R" to R" is a substituted aryl group having a group expressed by formula (I) as a substituent, and W in formula (I) represents a divalent connecting group; and Xrepresents an anion expressed by formula (b-3) or (b-4).
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种可用作抗蚀剂组合物的酸发生剂的新化合物，包含该化合物的酸产生剂，含有酸产生剂的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。抗蚀剂组合物包括：其与碱性显影液的溶解度通过酸的作用而改变的碱成分; 以及通过曝光产生酸的酸发生剂组分。酸产生剂组分含有由通式（b1-11）表示的化合物的酸发生剂。在式（b1-11）中，R 7 “至R 9 ”中的至少一个是具有由式（I）表示的基团作为取代基，式（I）中的W表示二价连接基团; - 表示由式（b-3）或（b-4）表示的阴离子。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2013080245A Resist composition, method for forming resist pattern, compound and acid generator 有权
标题翻译：抗蚀剂组合物，形成耐火模式，化合物和酸发生器的方法
公开(公告)号：JP2013080245A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：JP2012268856
申请日：2012-12-07
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KAWAKAMI AKINARI , UTSUMI YOSHIYUKI , HANEDA HIDEO , NAKAMURA TAKESHI , SHIMIZU HIROAKI , ISHIZUKA KEITA , SESHIMO TAKEHIRO , MATSUZAWA KENSUKE
IPC分类号： G03F7/004 , C07C309/17 , C07C381/12 , C08F20/10 , C09K3/00 , G03F7/039 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an acid generator useful for a resist composition, a resist composition containing the acid generator, and a method for forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: A resist composition includes a base component (A) whose solubility in an alkali developer changes by an action of an acid and an acid generator component (B) generating an acid by exposure, where the acid generator component (B) comprises an acid generator (B1) made of a compound represented by the general formula (b1-11). In the formula (b1-11), Rto Rare each independently an alkyl group or an alkoxy group, n1 is an integer of 1 to 5, and n3 and n4 are each independently an integer of 0 to 3. Xis an anion.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可用于抗蚀剂组合物的酸发生剂，含有酸产生剂的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。解决方案：抗蚀剂组合物包括其在碱性显影剂中的溶解度由酸和通过暴露产生酸的酸产生剂组分（B）的作用而改变的碱组分（A），其中酸产生剂组分（B）包含由通式（b1-11）表示的化合物制成的酸发生剂（B1）。在式（b1-11）中，R 101 分别独立地为烷基或烷氧基，n1 是1〜5的整数，n3和n4各自独立地为0〜3的整数。X - 是阴离子。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2013060419A Compound, radical polymerization initiator, method for producing the compound, polymer, resist composition and method for forming resist pattern 有权
标题翻译：化合物，自由基聚合引发剂，生产该化合物的方法，聚合物，耐蚀组合物和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：JP2013060419A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：JP2012173408
申请日：2012-08-03
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： UTSUMI YOSHIYUKI , DAZAI NAOHIRO , MIYASHITA KENICHIRO , MOTOIKE NAOTO
IPC分类号： C07C255/65 , C07C253/30 , C08F4/04 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition excellent in lithography characteristic and a pattern shape, a polymer useful in the resist composition, a compound useful as a radical polymerization initiator used in production of the polymer, a method for producing the compound, a radical polymerization initiator made of the compound, and a method for forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: This compound is expressed by general formula (I), where in the formula (I), Ris a 1-10C hydrocarbon group; Z is a 1-10C hydrocarbon group or cyano group, provided that Rand Z may be bonded mutually to form a ring; X is a single bond or a divalent linking group which may contain -O-C(=O)-, -NH-C(=O)- or -NH-C(=NH)-; Ris a 1-20C hydrocarbon group optionally having a substituent, provided that a part of carbon atoms constituting the hydrocarbon group may be substituted by an atom or atomic group other than carbon atom.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供光刻特性和图案形状优异的抗蚀剂组合物，可用于抗蚀剂组合物中的聚合物，用作生产聚合物中的自由基聚合引发剂的化合物，化合物，由化合物制成的自由基聚合引发剂，以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。解决方案：该化合物由通式（I）表示，其中在式（I）中，R 1是= 1-10C烃基; Z是1-10C烃基或氰基，条件是R 1可以相互键合形成环; X是单键或可以含有-O-C（= O） - ， - NH-C（= O） - 或-NH-C（= NH） - ）的二价连接基团。任选具有取代基的1-20C烃基，条件是构成烃基的一部分碳原子可以被碳原子以外的原子或原子基团取代。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式