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1. 发明公开

EP1990633A3 Dispositif de mesure de déformations et son procédé de fabrication 有权转让
标题翻译：一种用于变形测量及其生产方法设备
公开(公告)号：EP1990633A3
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：EP08155425.5
申请日：2008-04-30
申请人： SNECMA
发明人： Bertrand, Pierre , Coddet, Christian , Costil, Sophie , Leman, Frédéric , Lukat, Sébastien
IPC分类号： G01L1/22 , G01N27/04 , F01D5/28 , C04B41/89
CPC分类号： C04B41/52 , C04B41/009 , C04B41/89 , C04B2111/00982 , C23C4/01 , C23C4/02 , G01B7/18 , G01N27/041 , Y10S438/96 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49004 , Y10T29/49007 , C04B41/4531 , C04B41/5059 , C04B41/4527 , C04B41/5096 , C04B41/5031 , C04B35/565 , C04B35/806
摘要： L'invention concerne un dispositif de mesure de déformations, qui comprend un premier revêtement (30) d'alumine par projection thermique atmosphérique disposé sur la sous-couche d'accroche en silicium déposée sur la couche de carbure de silicium recouvrant le substrat de la pièce, une jauge de déformations (40) en filament libre disposée sur le revêtement (30), et un revêtement d'alumine supplémentaire par projection thermique atmosphérique disposé sur la jauge de déformations.

2. 发明授权

EP2182556B1 Process for manufacturing solar cell 有权
标题翻译：一种制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：EP2182556B1
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：EP07830906.9
申请日：2007-10-24
申请人： Mitsubishi Electric Corporation
发明人： NISHIMOTO, Yoichiro
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/306
CPC分类号： H01L31/02363 , Y02E10/50 , Y10S438/96

3. 发明公开

EP1990633A2 Dispositif de mesure de déformations et son procédé de fabrication 有权转让
标题翻译：变形测量装置和制造方法
公开(公告)号：EP1990633A2
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：EP08155425.5
申请日：2008-04-30
申请人： SNECMA
发明人： Bertrand, Pierre , Coddet, Christian , Costil, Sophie , Leman, Frédéric , Lukat, Sébastien
IPC分类号： G01N27/04 , F01D5/28 , C04B41/89
CPC分类号： C04B41/52 , C04B41/009 , C04B41/89 , C04B2111/00982 , C23C4/01 , C23C4/02 , G01B7/18 , G01N27/041 , Y10S438/96 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49004 , Y10T29/49007 , C04B41/4531 , C04B41/5059 , C04B41/4527 , C04B41/5096 , C04B41/5031 , C04B35/565 , C04B35/806
摘要： L'invention concerne un dispositif de mesure de déformations, qui comprend un premier revêtement (30) d'alumine par projection thermique atmosphérique disposé sur la sous-couche d'accroche en silicium déposée sur la couche de carbure de silicium recouvrant le substrat de la pièce, une jauge de déformations (40) en filament libre disposée sur le revêtement (30), et un revêtement d'alumine supplémentaire par projection thermique atmosphérique disposé sur la jauge de déformations.
摘要翻译：本发明涉及一种变形测量装置，其包括通过大气热喷涂在氧化铝上沉积的硅底层上沉积的氧化铝的第一涂层（30），所述硅底层覆盖部分，设置在涂层（30）上的自由细丝应变仪（40），以及设置在应变仪上的附加的氧化铝大气热喷涂层。

4. 发明授权

EP0584777B2 Semiconductor device and process for producing the same 失效
公开(公告)号：EP0584777B2
公开(公告)日：2004-01-02
申请号：EP93113472.0
申请日：1993-08-24
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Kumomi, Hideya , Yonehara, Takao , Sato, Nobuhiko
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L33/346 , G01N27/12 , H01L21/306 , Y10S438/96

5. 发明授权

EP1037276B1 Method for forming a porous silicon dioxide film 有权
标题翻译：多孔质二氧化硅膜的制造方法
公开(公告)号：EP1037276B1
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：EP00105332.1
申请日：2000-03-16
申请人： Canon Sales Co., Inc. , Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd.
发明人： Maeda, Kazuo
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76849 , C23C16/04 , C23C16/402 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76819 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2221/1047 , Y10S438/96

6. 发明授权

EP0553860B1 Process for preparing a semiconductor substrate 失效
标题翻译：制备半导体衬底的工艺
公开(公告)号：EP0553860B1
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：EP93101421.1
申请日：1993-01-29
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Yonehara, Takao, c/o Canon Kabushiki Kaisha , Yamagata, Kenji, c/o Canon Kabushiki Kaisha
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/76 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/76251 , H01L21/76256 , Y10S148/012 , Y10S438/96

7. 发明公开

EP1255272A2 Silicon electron emitter 审中-公开
标题翻译： Elektronenemittierende Vorrichtung aus Silizium
公开(公告)号：EP1255272A2
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：EP02252584.4
申请日：2002-04-11
申请人： Hewlett-Packard Company
发明人： Sheng, Xia , Koshida, Nobuyoshi , Kuo, Huei-Pei
IPC分类号： H01J1/312 , H01J9/02
CPC分类号： H01J1/308 , H01J9/022 , Y10S438/96
摘要： A high emission electron emitter and a method of fabricating a high emission electron emitter are disclosed. A high emission electron emitter 10 includes an election injection layer 1. an active layer of high porosity porous silicon material 3 in contact with the electron iniection layer 1, a contact layer of low porosity porous silicon material 5 in contact with the active layer 3 and including an interface surface 12 with a heavily doped region 8, and an optional top electrode 7 in contact with the contact layer 5. The contact layer 5 reduces contact resistance between the active layer 3 and the top electrode 7 and the heavily doped region 8 reduces resistivity of the contact layer 5 thereby increasing electron emission efficiency and stable electron emission from the top electrode 7. The electron injection layer 1 is made from an electrically conductive material such as n+ semiconductor, n+ single crystal silicon, a metal, a silicide, or a nitride. The active layer 3 and the contact layer 5 are formed in a layer of silicon material 6 that is deposited on the electron injection layer 1 and then electrochemically anodized in a hydrofluoric acid solution. Prior to the anodization. the interface surface 12 can be doped to form the heavily doped region 8. The layer of silicon material 8 can be porous epitaxial silicon, porous polysilicon, porous amorphous silicon, and porous silicon carbide.
摘要翻译：公开了高发射电子发射体和制造高发射电子发射体的方法。高发射电子发射器10包括选择注入层1.与电子接触层1接触的高孔隙率多孔硅材料3的活性层，与有源层3接触的低孔隙率多孔硅材料5的接触层和包括具有重掺杂区域8的界面12和与接触层5接触的可选顶部电极7.接触层5降低有源层3与顶部电极7之间的接触电阻，并且重掺杂区域8减小接触层5的电阻率从而增加了电子发射效率和从顶部电极7稳定的电子发射。电子注入层1由导电材料制成，例如n +半导体，n +单晶硅，金属，硅化物或氮化物。有源层3和接触层5形成在沉积在电子注入层1上的硅材料层6中，然后在氢氟酸溶液中电化学阳极氧化。在阳极氧化之前。可以掺杂界面12以形成重掺杂区8.硅材料层8可以是多孔外延硅，多孔多晶硅，多孔非晶硅和多孔碳化硅。

8. 发明授权

EP0733269B1 POROUS SEMICONDUCTOR MATERIAL 失效
标题翻译：多孔半导体材料
公开(公告)号：EP0733269B1
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：EP95900872.3
申请日：1994-11-17
申请人： QinetiQ Limited
发明人： CANHAM, Leigh, Trevor
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/346 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/16 , Y10S438/96 , Y10S438/962 , Y10T428/249969 , Y10T428/24999
摘要： Porous semiconductor material in the form of crystalline silicon (12) is produced with a porosity in excess of 90 %, and voids, crazing and peeling of the material are substantially indiscernible by scanning electron microscopy at a magnification of 7,000. The material (12) is prepared by anodization of a silicon wafer (10) to produce porous silicon, followed by etching of the porous silicon to produce pore overlap defining silicon quantum wires. After etching, the porous silicon is dried by supercritical drying. The resulting material has good luminescence properties together with good morphology and crystallinity.

9. 发明公开

EP1037276A1 Method for forming a porous silicon dioxide film 有权
标题翻译： Herstellungsverfahrenfüreinenporösen硅胶氧化膜
公开(公告)号：EP1037276A1
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：EP00105332.1
申请日：2000-03-16
申请人： Canon Sales Co., Inc. , Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd.
发明人： Maeda, Kazuo
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76849 , C23C16/04 , C23C16/402 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76819 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2221/1047 , Y10S438/96
摘要： A method for forming an interlayer insulating film is disclosed. This method comprises the steps of: forming an underlying insulating film (105) on an object (104) to be formed; and forming a porous SiO 2 film (106) on said underlying insulating film (105) by a Chemical Vapor Deposition that employs a source gas containing TEOS (tetraethoxy silane) and O 3 where the O 3 is contained in the source gas with first concentration that is lower than concentration necessary for oxidizing the TEOS.
Alternative method for forming an interlayer insulating film is also disclosed. This method comprises the step of: forming an underlying insulating film (305) on an object (304) to be formed; performing Cl (chlorine) plasma treatment for the underlying insulating film (305); and forming a porous SiO 2 film (306) on the underlying insulating film (305) by a Chemical Vapor Deposition that employs a source gas containing TEOS (tetraethoxy silane) and O 3 .
摘要翻译：公开了一种形成层间绝缘膜的方法。该方法包括以下步骤：在要形成的物体（104）上形成下面的绝缘膜（105）; 并通过化学气相沉积在所述底层绝缘膜（105）上形成多孔SiO 2膜（106），所述化学气相沉积采用含有TEOS（四乙氧基硅烷）和O 3的源气体，其中O 3含在源气体中，其中第一浓度较低而不是氧化TEOS所需的浓度。还公开了用于形成层间绝缘膜的替代方法。该方法包括以下步骤：在要形成的物体（304）上形成下面的绝缘膜（305）对下面的绝缘膜（305）进行Cl（氯）等离子体处理; 以及通过采用含有TEOS（四乙氧基硅烷）和O 3的源气体的化学气相沉积在底层绝缘膜（305）上形成多孔SiO 2膜（306）。

10. 发明公开

EP1011130A1 METHOD OF ANODIZING SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING ACCELERATION SENSOR OF SURFACE TYPE 失效
标题翻译：阳极氧化方法制造表面ANZELIEROMETERS的硅衬底和方法
公开(公告)号：EP1011130A1
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：EP98923122.0
申请日：1998-06-04
申请人： Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho
发明人： IWATA, Hitoshi, K..K. Tokai Rika Denki Seisakusho , MURATE, Makoto, K.K. Tokai Rika Denki Seisakusho
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/0802 , G01P2015/0828 , H01L21/3063 , Y10S438/96
摘要： An epitaxial growth layer (6), an oxide film (8), and a passivation film (12) are formed on a silicon substrate (2). Except for an opening that is formed on a predetermined part of the passivation film (12), the upper surface of the passivation film (12) is entirely covered with metal protective film (23), which is made of W (tungsten). With the silicon substrate (2) immersed in a high-concentration hydrofluoric aqueous solution, anodization is performed with the silicon substrate (2) as an anode and the metal protective film (23) as a counter electrode.
摘要翻译：在氧化物膜（8），和钝化膜（12）的外延生长层（6）形成在硅衬底上（2）。除了上开口并形成在钝化膜 - （12）的预定部分，钝化膜 - （12）的上表面被完全覆盖，其由W（钨）的金属保护膜（23），全部。与浸渍在高浓度氢氟酸wässrige溶液中的硅衬底（2），阳极氧化执行与硅基板（2），以在阳极和作为反电极的金属保护膜（23）。

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