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1. 发明公开

EP3141519A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PIÈCE MICROMÉCANIQUE HORLOGÈRE ET LADITE PIÈCE MICROMÉCANIQUE HORLOGÈRE 有权
标题翻译：赫尔辛基（FHR）EIN MIKROMECHANISCHES UHRENBAUTEIL UND ENTSPRECHENDES MIKROMECHANISCHES UHRENBAUTEIL
公开(公告)号：EP3141519A1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：EP15184184.8
申请日：2015-09-08
申请人： Nivarox-FAR S.A.
发明人： Dubois, Philippe
IPC分类号： B81B3/00 , G04D3/00
CPC分类号： G04B15/14 , B81B3/007 , B81B2201/035 , B81C1/0038 , B81C1/00539 , B81C1/00547 , B81C1/00714 , B81C1/00992 , B81C2201/0115 , C09K13/00 , C09K13/08 , C23C14/0611 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/12 , C23C16/0254 , C23C16/45525 , C25F3/02 , C25F3/12 , G04D3/0069
摘要： L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une pièce micromécanique horlogère à partir d'un substrat à base de silicium (1), comprenant, dans l'ordre, les étapes de :
a) former des pores (2) à la surface d'au moins une partie d'une surface dudit substrat à base de silicium (1) d'une profondeur déterminée,
b) remplir entièrement lesdits pores (2) d'un matériau choisi parmi le diamant, le carbone-diamant (DLC), l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, des céramiques, des polymères et leurs mélanges, afin de former dans les pores (2) une couche dudit matériau d'une épaisseur au moins égale à la profondeur des pores (2).
L'invention concerne également une pièce micromécanique horlogère comprenant un substrat à base de silicium (1) qui présente, à la surface d'au moins une partie d'une de ses surfaces, des pores (2) d'une profondeur déterminée, lesdits pores (2) étant entièrement remplis d'une couche d'un matériau choisi parmi le diamant, le carbone-diamant (DLC), l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, des céramiques, des polymères et leurs mélanges, d'une épaisseur au moins égale à la profondeur des pores (2).
摘要翻译：一种用于制造从硅基基底开始的微机械钟表部件的方法，包括在所确定的深度的所述硅基底板的至少一部分表面的表面上形成孔，用选定的材料完全填充孔来自金刚石，类金刚石碳，氧化硅，氮化硅，陶瓷，聚合物及其混合物，以在孔中形成至少等于孔深度的厚度的材料层。一种微机械钟表部件，其包括硅基基板，所述硅基基板在所述硅基基板的表面的至少一部分的表面上具有确定深度的孔，所述孔被完全填充有选自以下的材料层：金刚石，类金刚石碳，氧化硅，氮化硅，陶瓷，聚合物及其混合物，其厚度至少等于孔的深度。

2. 发明授权

EP1597193B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS MIT EINEM HALBLEITERTRÄGER 有权
标题翻译：方法用于制造部件与半导体CARRIER
公开(公告)号：EP1597193B1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：EP03782094.1
申请日：2003-11-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： FISCHER, Frank , PANNEK, Thorsten , METZGER, Lars
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B81C2201/0115

3. 发明公开

EP2453470A1 Procédé de formation d'une structure multicouches 有权
标题翻译： Verfahren zum Formen einer Mehrschichtenstruktur
公开(公告)号：EP2453470A1
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：EP11354065.2
申请日：2011-11-09
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
发明人： Desplobain, Sébastien , Gaillard, Frederic-Xavier , Morand, Yves , Nemouchi, Fabrice
IPC分类号： H01L21/306 , B81B1/00
CPC分类号： H01L21/306 , B81C1/0038 , B81C2201/0109 , B81C2201/0115
摘要： Le procédé de formation d'une structure multicouches sur un substrat comprend la prévision d'un empilement comprenant successivement une couche de blocage de trous d'électrons, une première couche (6) en matériau semi-conducteur dopé de type N ayant une concentration en éléments dopants supérieure ou égale à 10 18 atomes/cm 3 ou dopé de type P, et une deuxième couche en matériau semi-conducteur de nature différente. Un plot de contact électrique latéral (12) entre la première couche (6) et le substrat est réalisé et le matériau de la première couche est soumis à un traitement anodique dans un électrolyte (18).
摘要翻译：该方法包括提供连续包含电子空穴阻挡层的叠层，由掺杂浓度大于或等于10倍18原子/立方厘米或P掺杂半导体材料的N掺杂半导体材料制成的层（6），以及由不同性质的半导体材料制成的另一层（8）。在前一层和基底之间形成横向电接触焊盘（12）。前一层的材料在电解质（18）即氢氟酸基电解质中进行阳极处理。

4. 发明授权

EP2125607B1 Sensorelement zur Relativdruckmessung und Herstellungsverfahren 有权
标题翻译：用于测量相对压力和制造工艺的传感器元件
公开(公告)号：EP2125607B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：EP07847470.7
申请日：2007-11-28
申请人： Robert Bosch GmbH
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C2201/0115 , G01L19/0038
摘要： The present invention proposes a method for the production of a component (10), comprising at least one membrane (11) configured in the component surface, the membrane spanning a cavern (12), and further comprising at least one access opening (14) to the cavern (12) coming from the component rear, wherein at least one first membrane layer (2) and the cavern (12) are created in a monolithic semiconductor substrate (1) starting from the component surface, and wherein the access opening (14) starting from the substrate rear is created in a chronologically limited etching process. For this purpose, according to the invention the access opening (14) is disposed in a region in which the substrate material reaches the first membrane layer (2). Further, the etching process comprises at least one anisotropic etching step and at least one isotropic etching step for creating the access opening (14), wherein an etching channel (15) is created starting at the substrate rear in the anisotropic etching step, the channel ending beneath the first membrane layer (2) in the surrounding region of the cavern (12), and wherein at least the and region (16) of this etching channel (15) is widened in the isotropic etching step, until the etching channel (15) is connected to the cavern.

5. 发明公开

EP2364953A1 Procédé de fabrication d'un microsystème électromécanique utilisant la gravure d'une couche sacrificielle à travers d'une zone poreuse 有权
标题翻译：对于具有在牺牲层移除通过蚀刻剂的渗透通过多孔层的微机械部件的制造方法。
公开(公告)号：EP2364953A1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：EP11157318.4
申请日：2011-03-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： Gaillard, Frédéric-Xavier , Nemouchi, Fabrice
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00476 , B81C2201/0115
摘要： Un procédé de fabrication avec libération de parties mécaniques mobiles d'un microsystème électromécanique est décrit. Le procédé est caractérisé en ce que des zones poreuses sont formées sur la face avant d'une première tranche d'un matériau semi-conducteur. Des motifs d'un matériau apte à constituer les parties mécaniques mobiles du microsystème électromécanique sont ensuite formés sur la face avant de la première tranche au droit des zones poreuses et enrobés dans une couche sacrificielle. Puis une couche d'un matériau résistant à une attaque par un solvant de la couche sacrificielle est déposée. La libération des parties mécaniques mobiles est alors effectuée par la face arrière de la première tranche à travers les zones poreuses à l'aide d'un solvant de la couche sacrificielle.
摘要翻译：该方法涉及形成在半导体晶片（1）的多孔硅区（30）;以及形成从材料E. G.图案单晶或多晶硅，在半导体晶片，其中该图案构成的移动机械部件（35）的前表面。该图案是在牺牲层（39），其中，所述牺牲层是由半导体材料的氧化物形成的部分放置。移动机械部分是使用溶剂牺牲层通过多孔区除去（81）通过将半导体晶片的背面。因此独立权利要求中包括了以下内容：一种用于制造微机电系统（2）的微机电系统，包括：半导体晶片（1）的装置。

6. 发明授权

EP2027058B1 MONOLITHICALLY INTEGRATED MONOCRYSTALLINE MICROMECHANICAL ELEMENTS 有权
标题翻译：单晶集成单晶微机电元件
公开(公告)号：EP2027058B1
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：EP07733870.5
申请日：2007-06-13
申请人： MTA Müszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet
发明人： ÁDÁM, Antalné , BÁRSONY, István , DÜCSÖ, Csaba , ERÖS, Magdolna , MOHÁCSY, Tibor , PAYER, Károlyné , VÁZSONYI, Éva
IPC分类号： B81C1/00 , G06K9/00 , G01L5/22
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , B81B2207/015 , B81C2201/0115 , B81C2203/0714 , B81C2203/0742 , G01L5/228 , G06F3/0414 , Y10T29/42

7. 发明公开

EP2046490A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS, INSBESONDERE EIN MIKROMECHANISCHES UND/ODER MIKROFLUIDISCHES UND/ODER MIKROELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND BAUELEMENT 有权
标题翻译：方法来生产部件的多孔材料区域
公开(公告)号：EP2046490A1
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：EP07728798.5
申请日：2007-05-04
申请人： Robert Bosch GmbH
发明人： FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： B01D67/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B01D61/243 , B01D67/003 , B01D67/0058 , B01D71/02 , B01D2323/35 , B01D2325/028 , B01D2325/08 , B01D2325/26 , B81B2201/10 , B81C2201/0115 , Y10T428/24893
摘要： A method for producing a component and a component are proposed, particularly a micromechanical and/or microfluidic and/or microelectronic component, wherein the component comprises at least one structured material region, wherein in a first step the structured material region is produced in that microparticles of a first material are embedded in a matrix of a second material and wherein in a second step the structured material region is etched by means of a dry etching method or a gas-phase etching method thereby rendering it porous.

8. 发明公开

EP2035328A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON PORÖSEN MIKRONADELN UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：工艺，一种生产多孔微针及其用途
公开(公告)号：EP2035328A1
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：EP07728630.0
申请日：2007-04-27
申请人： Robert Bosch GmbH
发明人： LAERMER, Franz , STUMBER, Michael , FEYH, Ando , SCHOLTEN, Dick , MAEURER, Christian , CASSEMEYER, Julia
IPC分类号： B81C1/00 , A61M37/00
CPC分类号： B81C1/00119 , A61M37/0015 , A61M2037/003 , A61M2037/0038 , A61M2037/0046 , A61M2037/0053 , B81C2201/0112 , B81C2201/0115
摘要： The invention relates to a method for producing porous micro-needles (10) that are arranged on a silicon substrate (5) in an array, for the transdermal administration of medicaments and to the use of said micro-needles. Said method consists of the following steps, a silicon substrate (5) is prepared, a first etching mask is applied, micro-needles (10) are structured by means of a DRIE-process (deep reactive ion etching), the first etching mask is removed and the Si-substrate (5) is at least partially made porous. The porous making process starts on the front side (15) of the Si-substrate (5) and a porous reservoir is formed.

9. 发明授权

EP1341655B1 METHOD OF MAKING A PRODUCT WITH A MICRO OR NANO SIZED STRUCTURE 有权
标题翻译：用于生产微米或纳米结构化的产品
公开(公告)号：EP1341655B1
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：EP01998434.3
申请日：2001-12-03
申请人： Aquamarijn Holding BV
发明人： VAN RIJN, Cornelis, Johannes, Maria , VOGELAAR, Laura , NIJDAM, Wietze , BARSEMA, Jonathan, Nathaniel , WESSLING, Matthias
IPC分类号： B29C33/00 , B01D67/00 , B01D69/06 , B01D29/01 , B29C41/38 , B29C67/02
CPC分类号： B01D67/0088 , A61F2/06 , A61F2002/044 , A61F2002/046 , A61L27/50 , A61L27/56 , B01D67/0009 , B01D67/0018 , B01D67/002 , B01D67/0069 , B01D67/0072 , B01D67/0093 , B01D69/00 , B01D69/02 , B01D69/08 , B01D69/12 , B01D71/02 , B01D71/64 , B01D71/68 , B01D2323/06 , B01D2323/08 , B01D2323/30 , B01D2325/022 , B01D2325/04 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00824 , B01J2219/00833 , B01J2219/00835 , B01J2219/00844 , B01J2219/0086 , B01J2219/00864 , B01J2219/00907 , B01L3/0241 , B01L3/5085 , B01L2200/12 , B01L2300/0819 , B29C33/0033 , B29C41/08 , B29C41/38 , B29C67/02 , B29K2105/0073 , B29L2031/737 , B81B2201/10 , B81C99/008 , B81C2201/0115 , B81C2201/034 , G01N27/44704 , H01L31/18 , Y10T428/24
摘要： Using phase separation technique perforated as well as non-perforated polymeric structures can be made with high aspect ratios (>5). By varying the phase separation process the properties (e.g. porous, non-porous, dense, open skin) of the moulded product can be tuned. Applications are described in the field of micro fluidics (e.g. micro arrays, electrophoretic boards), optics, polymeric solar cells, ball grid arrays, and tissue engineering.

10. 发明公开

EP1810947A2 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement 有权
标题翻译：一种用于制造半导体器件的工艺，以及根据半导体器件的方法制造的材料
公开(公告)号：EP1810947A2
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：EP07107755.6
申请日：2001-04-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： Benzel, Hubert , Weber, Heribert , Artmann, Hans , Schaefer, Frank
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/306
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00047 , B81C1/00595 , B81C2201/0115 , G01L9/0045 , H01L21/3063
摘要： Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 2200), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Drucksensor, das ein Halbleitersubstrat (101) aufweist, wie insbesondere aus Silizium, und von einem verfahrensgemäß hergestellten Halbleiterbauelement.
Insbesondere zur Reduzierung der Herstellungskosten eines solchen Halbleiterbauelements wird vorgeschlagen, das Verfahren dahingehend weiterzubilden, daß in einem ersten Schritt eine erste poröse Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, und daß in einem zweiten Schritt ein Hohlraum bzw. eine Kaverne (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) unter oder aus der ersten porösen Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, wobei der Hohlraum bzw. die Kaverne mit einer externen Zugangsöffnung versehen sein kann.
摘要翻译：多层半导体电路（100）具有由硅构成的基片（101）。的第一多孔层（104）在所述基板的顶表面的中央部形成。空腔可根据本多孔层形成，并且所述腔体可以具有外部开口，以提供接入。的第二多孔层（105）可在第一下形成，具有较大孔。掩蔽层（102）可以上一左一右或围绕所述多孔层形成。

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