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    • 5. 发明公开
    • SILICON PHOTOMULTIPLIERS WITH INTERNAL CALIBRATION CIRCUITRY
    • 具有内部校准电路的硅光电倍增管
    • EP3234648A1
    • 2017-10-25
    • EP15774802.1
    • 2015-09-18
    • General Electric Company
    • GUO, JianjunDOLINSKY, Sergei Ivanovich
    • G01T1/20G01T1/208G01T1/24
    • H04N17/002G01T1/2018G01T1/208G01T1/248H04N5/341
    • A silicon photomultiplier includes a plurality of microcells providing a pulse output in response to an incident radiation, each microcell including circuitry configured to enable and disable the pulse output. Each microcell includes a cell disable switch. The control logic circuit controls the cell disable switch and a self-test circuit. A microcell's pulse output is disabled when the cell disable switch is in a first state. A method for self-test calibration of microcells includes providing a test enable signal to the microcells, integrating dark current for a predetermined time period, comparing the integrated dark current to a predetermined threshold level, and providing a signal if above the predetermined threshold level.
    • 硅光电倍增管包括响应于入射辐射而提供脉冲输出的多个微单元,每个微单元包括被配置为启用和禁用脉冲输出的电路。 每个微蜂窝包括一个蜂窝禁用开关。 控制逻辑电路控制单元禁用开关和自测电路。 当单元禁用开关处于第一状态时,微单元的脉冲输出被禁用。 用于微单元的自测校准的方法包括向微单元提供测试使能信号,将暗电流积分预定的时间段,将积分的暗电流与预定阈值电平进行比较,并且如果高于预定阈值电平则提供信号。
    • 9. 发明公开
    • DETEKTORANORDNUNG UND ENTSPRECHENDES BETRIEBSVERFAHREN
    • 检测装置和相应的操作方法
    • EP2942812A2
    • 2015-11-11
    • EP15001242.5
    • 2015-04-27
    • Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
    • Bähr, AlexanderRichter, RainerSchopper, FlorianTreis, Johannes
    • H01L27/146
    • H01L27/14609H01L27/14641H01L27/14679H04N5/341
    • Die Erfindung betrifft eine Detektoranordnung zur Detektion von Strahlung, insbesondere von Teilchenstrahlung oder elektromagnetischer Strahlung, mit einem Halbleiterdetektor mit mehreren Pixeln zur Detektion der Strahlung. Es wird vorgeschlagen, dass die einzelnen Pixel jeweils ein erstes Subpixel (1) und ein zweites Subpixel (2) aufweisen. Der Halbleiterdetektor ist hierbei umschaltbar zwischen einem ersten Sammelzustand, in dem das erste Subpixel (1) sensitiv und das zweite Subpixel (2) insensitiv ist, so dass strahlungsgenerierte Signalladungsträger im Wesentlichen nur in dem ersten Subpixel (1) gesammelt werden, und einem zweiten Sammelzustand, in dem das zweite Subpixel (2) sensitiv und das erste Subpixel (1) insensitiv ist, so dass die strahlungsgenerierten Signalladungsträger im Wesentlichen nur in dem zweiten Subpixel (2) gesammelt werden. Weiterhin umfasst die Erfindung ein entsprechendes Betriebsverfahren sowie auf dem gleichen Konzept beruhende Detektoranordnungen mit einer höheren Anzahl von Subpixeln pro Pixel.
    • 本发明涉及一种用于检测辐射,特别是粒子辐射或电磁辐射的方法,包括具有多个像素的用于检测辐射的半导体探测器的探测器布置。 所以建议每一个都具有第一子像素(1)和第二子像素(2)的各个像素。 这里所述的半导体检测器是第二收集条件的第一总线状态之间切换,其中,第一子像素(1)敏感,并且所述第二子像素(2)是不敏感的,使得辐射产生的信号载流子基本上只在第一子像素(1)被收集,并且 其中第二子像素(2)不敏感敏感和第一子像素(1),从而使辐射产生的信号载流子被收集仅在第二子像素(2)基本上。 此外,本发明包括基于具有较高数目的每个像素的子像素的相同的概念的检测器阵列的操作的相应方法,以及。