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2. 发明公开

EP0955681A3 Optical semiconductor device and method of fabricating the same 失效
标题翻译：光学半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：EP0955681A3
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：EP99250062.9
申请日：1995-09-27
申请人： NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
发明人： Kobayashi,Fumihiko , Miyazawa,Takeo , Mori,Hidefumi
IPC分类号： H01S3/00 , H01L33/00 , H01S3/19 , H01S3/085 , H01L21/20
CPC分类号： H01S5/18347 , G02B6/125 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , G02B2006/12147 , G02B2006/1215 , G02B2006/12159 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178 , G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L27/15 , H01L33/0062 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/0609 , H01S5/065 , H01S5/10 , H01S5/183 , H01S5/1835 , H01S5/2201 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/3202 , H01S5/4056 , H01S5/423 , H01S5/50 , H01S2301/176
摘要： An optical semiconductor device includes several optical semiconductor elements, a dummy portion, and a buried layer. The optical semiconductor elements are formed on a semiconductor substrate. The dummy portion is formed in a centre of a square at four corners of which the optical semiconductor elements are arranged. The buried layer is formed by vapor phase epitaxy so as to buy a portion between the optical semiconductor elements and the dummy portion. In this optical semiconductor device, the buried layer is formed by growth from the side surfaces of the dummy portion in addition to growth from the surface of the semiconductor substrate and from the side of the optical semiconductor elements.
摘要翻译：一种光学半导体器件包括多个光学半导体元件，虚设部分和埋层。光半导体元件形成在半导体衬底上。虚设部分形成在光学半导体元件布置在其四角的正方形的中心。埋入层通过气相生长形成，以便购买光半导体元件和虚设部分之间的部分。在该光半导体装置中，除了从半导体基板的表面以及从光半导体元件侧生长之外，通过从伪部的侧面生长而形成埋入层。

3. 发明授权

EP0729208B1 Semiconductor light source having a spectrally broad, high power optical output 失效
标题翻译：具有大的光谱宽度和高输出功率半导体源
公开(公告)号：EP0729208B1
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：EP96301020.2
申请日：1996-02-14
申请人： AT&T IPM Corp.
发明人： Liou, Kang-Yih
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/02 , H01L33/00 , H04B10/155
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/026 , H01S5/2275 , H01S5/2277

4. 发明公开

EP0729208A1 Semiconductor light source having a spectrally broad, high power optical output 失效
标题翻译： Halbleiterquelle mit grosser spektraler Breite und hoher Ausgangsleistung
公开(公告)号：EP0729208A1
公开(公告)日：1996-08-28
申请号：EP96301020.2
申请日：1996-02-14
申请人： AT&T IPM Corp.
发明人： Liou, Kang-Yih
IPC分类号： H01S3/25 , H01S3/025 , H01L33/00 , H04B10/155
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/026 , H01S5/2275 , H01S5/2277
摘要： A light source includes a light emitting diode and an optical fiber having a first end coupled to the output of the light emitting diode. A single or multiple transverse mode optical semiconductor amplifier has an input coupled to a second end of the optical fiber. The light source may be fabricated from discrete components or alternatively it may be fabricated as a monolithically integrated device, in which case the optical fiber is replaced by an integrated optical waveguide.
摘要翻译：光源包括发光二极管和具有耦合到发光二极管的输出的第一端的光纤。单个或多个横向模式光学半导体放大器具有耦合到光纤的第二端的输入。光源可以由分立的部件制造，或者可以被制造为单片集成器件，在这种情况下，光纤被集成的光波导代替。

5. 发明授权

EP0260909B1 Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same 失效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：EP0260909B1
公开(公告)日：1992-11-19
申请号：EP87308096.4
申请日：1987-09-14
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kinoshita, Jun'ichi c/o Patent Division , Morinaga, Motoyasu c/o Patent Division , Furuyama, Hideto c/o Patent Division , Hirayama, Yuzo c/o Patent Division
IPC分类号： H01S3/19 , H01L33/00 , H01S3/06
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2277 , Y10S148/05 , Y10S148/051 , Y10S148/066 , Y10S148/095 , Y10T29/413

6. 发明授权

EP0205139B1 Distributed feedback semiconductor laser device 失效
标题翻译：分布式反馈半导体激光器件
公开(公告)号：EP0205139B1
公开(公告)日：1992-09-23
申请号：EP86107823.6
申请日：1986-06-09
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Mito, Ikuo , Yamaguchi, Masayuki
IPC分类号： H01S3/19 , H01S3/06
CPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/06255 , H01S5/06258 , H01S5/12 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/2277

7. 发明授权

EP0169567B1 Semiconductor laser device 失效
公开(公告)号：EP0169567B1
公开(公告)日：1991-10-09
申请号：EP85109337.7
申请日：1985-07-25
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Yamaguchi, Masayuki , Mito, Ikuo , Kitamura, Mitsuhiro
IPC分类号： H01S3/103 , H01S3/085 , H01S3/06
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/06258 , H01S5/1203 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/32391

8. 发明授权

EP0187662B1 Monolithically integrated semiconductor optical device and method of fabricating same 失效
标题翻译：单片整体半导体光学器件及其制造方法
公开(公告)号：EP0187662B1
公开(公告)日：1991-03-27
申请号：EP86100154.3
申请日：1986-01-08
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Yamaguchi, Masayuki
IPC分类号： G02F1/015 , H01S3/19 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/0265 , H01S5/0625 , H01S5/12 , H01S5/2277

9. 发明授权

EP0218518B1 Procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ruban enterré avec ou sans réseau de diffraction et laser obtenu par ce procédé 失效
$Procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ruban enterré avec ou sans réseau de diffraction et laser obtenu par ce procédé$
标题翻译：生产具有或没有衍射光栅的条纹半导体激光器的方法和通过该方法获得的激光
公开(公告)号：EP0218518B1
公开(公告)日：1991-01-02
申请号：EP86402083.9
申请日：1986-09-23
申请人： Chaminant, Guy , Charil, Josette , Bouley, Jean-Claude
发明人： Chaminant, Guy , Charil, Josette , Bouley, Jean-Claude
IPC分类号： H01S3/19 , H01S3/06
CPC分类号： H01S5/20 , H01S5/12 , H01S5/2232 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/2277

10. 发明公开

EP0375021A1 Tunable semiconductor diode laser with distributed reflection and method of manufacturing such a semiconductor diode laser 失效转让
标题翻译： Verstimmbarer半导体二极管激光器与分布反射和制造这样的半导体二极管激光器的方法。
公开(公告)号：EP0375021A1
公开(公告)日：1990-06-27
申请号：EP89203139.4
申请日：1989-12-11
申请人： Philips Electronics N.V.
发明人： Kuindersma, Pieter Ids , Van Dongen, Teunis
IPC分类号： H01S3/106 , H01S3/085 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/227 , H01S5/2277
摘要： A tunable semiconductor diode laser with distributed reflection (DBR semiconductor lasers) having a wide wavelength range is a suitable transmitter or local oscillator in a receiver in heterodyne and coherent optical glass fibre communication systems. Such a diode comprises beside the Bragg section (c) in which the Bragg reflection takes place an active section (4) in which the radiation-emitting active region (13) is present. When such a semiconductor diode laser is further provided with a so-called phase section (B), tuning is possible over a large wavelength range within one oscillation mode.
It has been found, however, that so-called forbidden zones where no oscillation within the given mode is possible are formed in the wavelength range over which the laser is tunable.
According to the invention, a laser which is continuously tunable over the whole wavelength range is obtained by providing means (21) with which the intensity of radiation which is reflected at the junction between the active section (A) and the phase section (B) is made low with respect to the intensity of the radiation which returns from the phase section (B) to the active section (A).
These means comprise an extra radiation-conductive layer (21) in the phase section (B) which adjoins and smoothly merges into the active region (13) situated in the active section (A). When the active section (A) is present centrally in the Bragg section (C) and the phase section (B) the means may also comprise a high-reflecting coating (56) which is present on a free side of the phase section (B). In the latter case the means may also comprise the said extra radiation-conductive layer. The extra radiation-conductive layer (21) and the active region of the first radiation-conductive layer (11) are preferably separated by a passive layer (12) having such a thickness that the said layers (11, 13) are situated within each others amplification profile.
摘要翻译：具有宽波长范围内具有分布反射（DBR半导体激光器）的可调谐半导体二极管激光器是在差和相干光导玻璃纤维通信系统的接收器的合适的发送器或本地振荡器。这样的二极管包括布拉格部（C），其中发生布拉格反射的有源部分（4）存在于发射辐射的有源区（13）是旁边。当寻求半导体二极管激光器还设置有所谓的相部分（B），调谐可以通过一个振荡模式中的大的波长范围。已经发现，然而，没有所谓的禁区中给定模式内没有振荡可能形成的波长范围在其上的激光是可调的。。根据本发明，一个激光所有这是连续可调在整个波长范围是通过提供装置（21）获得具有其中辐射的，其在所述活性部分（A）之间的接合处的反射强度的所有和相位部分（B）相对于从所述相位部（B）的活性部分（A）返回辐射的强度由低。这些装置位于相部分（B）邻接额外辐射导电层（21）的包括和平滑地合并到所述有源部分（A）的有源区（13）。当活性部分（A）存在集中在布拉格部分（C）和相位部分（B）的装置可因此包括高反射涂层（56），所有这些是存在于相部的自由侧（B ）。在后一种情况下，装置可因此包括所述附加辐射导电层。额外的辐射导电层（21）和所述第一辐射导电层（11）的有源区优选地由一个无源层分离（12），其具有检测厚度DASS死所述层（11，13）位于内的每个其他扩增曲线。

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