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1. 发明公开

EP2973685A4 MEMS DEVICE HAVING A GETTER 有权
标题翻译： MEMS-VORRICHTUNG MIT EINEM GETTER
公开(公告)号：EP2973685A4
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：EP14774321
申请日：2014-03-13
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SAMARAO ASHWIN , O'BRIEN GARY , FEYH ANDO , YAMA GARY , GRAHAM ANDREW , KIM BONGSANG , PURKL FABIAN
IPC分类号： H01L23/12 , B81B7/02 , H01L21/322
CPC分类号： B81C1/00285 , B81C2201/0115 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L21/3223 , H01L21/3225 , H01L23/28
摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.
摘要翻译：微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或者通过在器件的密封空腔内形成沟槽。硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物以减少存在于密封室中的气体的量，从而形成低压室。高密度吸气剂用于测辐射热计和陀螺仪，但不限于这些设备。

2. 发明公开

EP1792339A1 METHOD FOR OBTAINING A THIN LAYER BY IMPLEMENTING CO-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：程序，用于获得由IMPLEMENIEREN COIMPLANTATION和随后植入薄层
公开(公告)号：EP1792339A1
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：EP04787559.6
申请日：2004-09-21
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： AKATSU, Takeshi
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506 , H01L21/3223
摘要： The invention proposes a method for transferring a thin layer of semiconductor material on a substrate by the SMARTCUTTM type process, the method being characterized in that the implantation step comprises: a first implantation operation consisting in carrying out an implantation of species so as to create said embrittlement zone at a first depth in the thickness of the donor substrate; a second implantation operation consisting in carrying out an implantation of species according to second implantation conditions chosen to create: - at a second depth different from said first depth so as not to affect the detachment that has to take place at the level of the embrittlement zone at said first depth, gettering region preventing the diffusion of species implanted during said first implantation operation towards said face of the donor substrate under which implantation is carried out, thus limiting blisters formation.

3. 发明授权

EP0767486B1 Method of producing a semiconductor substrate 失效
标题翻译：一种用于生产半导体衬底的工艺
公开(公告)号：EP0767486B1
公开(公告)日：2004-01-02
申请号：EP96307306.9
申请日：1996-10-07
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Sato, Nobuhiko , Yonehara, Takao , Sakaguchi, Kiyofumi
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/3221 , H01L21/3223 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L31/1892 , Y02E10/50

4. 发明公开

EP2800138A1 SOI (silicon on insulator) structure semiconductor device and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译： Halbleiterbauelement mit Silizium-auf-Isolator-Struktur und Herstellungsverfahrendafür
公开(公告)号：EP2800138A1
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：EP14167851.6
申请日：2008-10-20
申请人： DENSO CORPORATION , Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
发明人： Ohtsuki, Hiroshi , Katada, Mitsutaka , Noto, Nobuhiko , Takeno, Hiroshi , Yoshida, Kazuhiko
IPC分类号： H01L29/32
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L21/26506 , H01L21/3221 , H01L21/3223 , H01L21/3226 , H01L21/76256 , H01L21/76264 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/32 , H01L29/7849 , H01L29/78603
摘要： In a SOI structure semiconductor device using a SOI substrate 100, a lattice distortion layer 4 is formed by implanting Ar ions into a silicon substrate as an active layer 3. The lattice distortion layer 4 is capable of serving as a gettering site. The dose amount of Ar ions is adjusted in such a manner that tensile stress in the lattice distortion layer 4 is equal to or greater than 11MPa and equal to or less than 27MPa. Thus, the lattice distortion layer 4 can prevent occurrence of a leakage current while serving as the gettering site.
摘要翻译：在使用SOI衬底100的SOI结构半导体器件中，通过将Ar离子注入作为有源层3的硅衬底中而形成晶格畸变层4.晶格畸变层4能够用作吸杂位点。调整Ar离子的剂量，使晶格畸变层4的拉伸应力为11MPa以上且27MPa以下。因此，晶格畸变层4可以防止在作为吸杂位置时发生漏电流。

5. 发明公开

EP2048697A4 METHOD FOR REUSING REMOVED WAFER 有权转让
标题翻译：程序RE-删除的WAFER
公开(公告)号：EP2048697A4
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：EP07744943
申请日：2007-06-08
申请人： SHINETSU HANDOTAI KK
发明人： TAMURA AKIHIKO , OKI KONOMU
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/3223 , H01L21/3225

6. 发明公开

EP2306518A1 Méthode de protection d'une puce de circuit intégré contre une analyse par attaques laser 有权
标题翻译：对于通过激光照射在分析之前保护的集成电路芯片的方法。
公开(公告)号：EP2306518A1
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：EP10186459.3
申请日：2010-10-04
申请人： STMicroelectronics (Rousset) SAS
发明人： Fornara, Pascal , Marinet, Fabrice
IPC分类号： H01L23/58 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L27/02
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/3223 , H01L23/573 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un procédé de protection contre des attaques laser d'une puce de circuit intégré (21) formée dans et sur un substrat semiconducteur (3) et comprenant dans la partie supérieure du substrat une partie active (5) dans laquelle sont formés des composants, ce procédé comportant les étapes suivantes : former dans le substrat une zone (23) de piégeage d'impuretés s'étendant sous la partie active (5), la limite supérieure de ladite zone étant à une profondeur comprise entre 5 et 50 µm de la face supérieure du substrat ; et introduire dans le substrat des impuretés métalliques diffusantes.
摘要翻译：基板的方法包括在形成杂质通过引入惰性气体中的半导体（3）捕获区域（23）延伸到下面活性部分（5），即氦，在半导体，其中在截留区的上限是在一个深度范围从5至50微米，从在所述半导体衬底的上表面上的衬底。杂质扩散金属与浓度10power17和每立方厘米之间10power18原子测距，被引入在半导体衬底，其中所述的杂质被保留在截留区。截留区被氧沉淀形成的。金属杂质包含铁原子。因此独立claimsoft被包括用于在集成电路芯片，包括有源部分。

7. 发明公开

EP1626440A1 SOI-Scheibe 有权
标题翻译： SOI-沙伊贝
公开(公告)号：EP1626440A1
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：EP05021844.5
申请日：2002-06-27
申请人： Siltronic AG
发明人： Murphy, Brian , Wahlich, Reinhold , Schmolke, Rüdiger, Dr. , Ammon von, Wilfried, Dr. , Moreland, James, Dr.
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/76251
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine SOI-Scheibe, bestehend aus einer Trägerscheibe und einer dünnen Siliciumschicht, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Siliciumschicht eine Dicke von 50 nm oder weniger, eine Dickenvariation von 5 % oder weniger und eine HF-Defekt-Dichte von weniger als 0,1/cm 2 aufweist.
摘要翻译：半导体膜或层通过以下方式制造：在半导体材料表面上产生具有规定几何形状的重复凹部（2）的结构; 热处理直到具有周期性重复的中空室（3）的层形成在材料表面上的封闭层（4）下方; 以及沿着所述中空室的层与所述材料的其余部分分离所述表面上的所述封闭层。优选特征：半导体材料由硅，硅锗，砷化镓，碳化硅或磷化铟制成，优选用异物掺杂。半导体材料是单晶的。

8. 发明公开

EP2790208A4 PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译： HERSTELLUNGSVERFAHRENFÜREIN HALBLEITERBAUELEMENT
公开(公告)号：EP2790208A4
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：EP13763864
申请日：2013-03-14
申请人： FUJI ELECTRIC CO LTD
发明人： KOBAYASHI YUSUKE , YOSHIMURA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/324 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/263 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/402 , H01L29/66128 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/8611

9. 发明公开

EP2207194A4 SEMICONDUCTOR DEVICE OF SOI (Silicon on insulator) STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译： WITH SOI结构（绝缘体上的硅）及其制造方法半导体布置
公开(公告)号：EP2207194A4
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：EP08841352
申请日：2008-10-20
申请人： DENSO CORP , SHINETSU HANDOTAI KK
发明人： OHTSUKI HIROSHI , KATADA MITSUTAKA , NOTO NOBUHIKO , TAKENO HIROSHI , YOSHIDA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L21/26506 , H01L21/3221 , H01L21/3223 , H01L21/3226 , H01L21/76256 , H01L21/76264 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/32 , H01L29/7849 , H01L29/78603
摘要： In a SOI structure semiconductor device using a SOI substrate 100, a lattice distortion layer 4 is formed by implanting Ar ions into a silicon substrate as an active layer 3. The lattice distortion layer 4 is capable of serving as a gettering site. The dose amount of Ar ions is adjusted in such a manner that tensile stress in the lattice distortion layer 4 is equal to or greater than 11MPa and equal to or less than 27MPa. Thus, the lattice distortion layer 4 can prevent occurrence of a leakage current while serving as the gettering site.

10. 发明公开

EP2048697A1 METHOD FOR REUSING REMOVED WAFER 有权转让
标题翻译： VERFAHREN ZUR WIEDERVERWENDUNG EINES ENTFERNTEN WAFERS
公开(公告)号：EP2048697A1
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：EP07744943.7
申请日：2007-06-08
申请人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
发明人： TAMURA, Akihiko , OKI, Konomu
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/26 , H01L21/304 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/3223 , H01L21/3225
摘要： The present invention provides a method for reusing a delaminated wafer, which is a method for applying reprocessing that is at least polishing to a delaminated wafer 17 byproduced when manufacturing an SOI wafer based on an ion implantation delamination method and thereby again reusing the delaminated wafer 17 as a bond wafer 21 in an SOI wafer manufacturing process, wherein, at least, a CZ wafer 11 used as the bond wafer is a low-defect wafer whose entire surface is formed of an N region, and an RTA treatment is carried out in the reprocessing with respect to the delaminated wafer 17 at a higher temperature than a temperature in formation of a thermal oxide film 12 performed with respect to the bond wafer in the SOI wafer manufacturing process. As a result, there can be provided the method for reusing a delaminated wafer which does not induce a bonding failure or a reduction in quality of an SOI layer even if the delaminated wafer byproduced when the CZ wafer having a large diameter of 200 mm or above is used as the bond wafer to fabricate the SOI wafer based on the ion implantation delamination method is repeatedly reused as the bond wafer.
摘要翻译：本发明提供了一种重复使用分层晶片的方法，其是通过在基于离子注入分层方法制造SOI晶片时通过产生的至少抛光到再分散晶片17的再处理方法，从而再次使用分层晶片17 作为SOI晶片制造工序中的接合晶片21，其中，至少用作接合晶片的CZ晶片11为全面由N区形成的低缺陷晶片，并且RTA处理在在相对于SOI晶片制造工艺中相对于接合晶片执行的热氧化膜12的形成温度高于相对于分层晶片17的再处理。结果，即使在具有200mm以上的大直径的CZ晶片时，即使分解的晶片被副产生，也可以提供再次使用不会引起接合失败或SOI层的质量下降的分层晶片的方法用作接合晶片以制造SOI晶片为基础的离子注入分层方法被重复重复使用作为接合晶片。

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