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1. 发明公开

EP2973685A4 MEMS DEVICE HAVING A GETTER 有权
标题翻译： MEMS-VORRICHTUNG MIT EINEM GETTER
公开(公告)号：EP2973685A4
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：EP14774321
申请日：2014-03-13
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SAMARAO ASHWIN , O'BRIEN GARY , FEYH ANDO , YAMA GARY , GRAHAM ANDREW , KIM BONGSANG , PURKL FABIAN
IPC分类号： H01L23/12 , B81B7/02 , H01L21/322
CPC分类号： B81C1/00285 , B81C2201/0115 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L21/3223 , H01L21/3225 , H01L23/28
摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.
摘要翻译：微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或者通过在器件的密封空腔内形成沟槽。硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物以减少存在于密封室中的气体的量，从而形成低压室。高密度吸气剂用于测辐射热计和陀螺仪，但不限于这些设备。

2. 发明公开

EP1792339A1 METHOD FOR OBTAINING A THIN LAYER BY IMPLEMENTING CO-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：程序，用于获得由IMPLEMENIEREN COIMPLANTATION和随后植入薄层
公开(公告)号：EP1792339A1
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：EP04787559.6
申请日：2004-09-21
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： AKATSU, Takeshi
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506 , H01L21/3223
摘要： The invention proposes a method for transferring a thin layer of semiconductor material on a substrate by the SMARTCUTTM type process, the method being characterized in that the implantation step comprises: a first implantation operation consisting in carrying out an implantation of species so as to create said embrittlement zone at a first depth in the thickness of the donor substrate; a second implantation operation consisting in carrying out an implantation of species according to second implantation conditions chosen to create: - at a second depth different from said first depth so as not to affect the detachment that has to take place at the level of the embrittlement zone at said first depth, gettering region preventing the diffusion of species implanted during said first implantation operation towards said face of the donor substrate under which implantation is carried out, thus limiting blisters formation.

3. 发明授权

EP0767486B1 Method of producing a semiconductor substrate 失效
标题翻译：一种用于生产半导体衬底的工艺
公开(公告)号：EP0767486B1
公开(公告)日：2004-01-02
申请号：EP96307306.9
申请日：1996-10-07
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Sato, Nobuhiko , Yonehara, Takao , Sakaguchi, Kiyofumi
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/3221 , H01L21/3223 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L31/1892 , Y02E10/50

4. 发明公开

EP2800138A1 SOI (silicon on insulator) structure semiconductor device and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译： Halbleiterbauelement mit Silizium-auf-Isolator-Struktur und Herstellungsverfahrendafür
公开(公告)号：EP2800138A1
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：EP14167851.6
申请日：2008-10-20
申请人： DENSO CORPORATION , Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
发明人： Ohtsuki, Hiroshi , Katada, Mitsutaka , Noto, Nobuhiko , Takeno, Hiroshi , Yoshida, Kazuhiko
IPC分类号： H01L29/32
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L21/26506 , H01L21/3221 , H01L21/3223 , H01L21/3226 , H01L21/76256 , H01L21/76264 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/32 , H01L29/7849 , H01L29/78603
摘要： In a SOI structure semiconductor device using a SOI substrate 100, a lattice distortion layer 4 is formed by implanting Ar ions into a silicon substrate as an active layer 3. The lattice distortion layer 4 is capable of serving as a gettering site. The dose amount of Ar ions is adjusted in such a manner that tensile stress in the lattice distortion layer 4 is equal to or greater than 11MPa and equal to or less than 27MPa. Thus, the lattice distortion layer 4 can prevent occurrence of a leakage current while serving as the gettering site.
摘要翻译：在使用SOI衬底100的SOI结构半导体器件中，通过将Ar离子注入作为有源层3的硅衬底中而形成晶格畸变层4.晶格畸变层4能够用作吸杂位点。调整Ar离子的剂量，使晶格畸变层4的拉伸应力为11MPa以上且27MPa以下。因此，晶格畸变层4可以防止在作为吸杂位置时发生漏电流。

5. 发明公开

EP2048697A4 METHOD FOR REUSING REMOVED WAFER 有权转让
标题翻译：程序RE-删除的WAFER
公开(公告)号：EP2048697A4
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：EP07744943
申请日：2007-06-08
申请人： SHINETSU HANDOTAI KK
发明人： TAMURA AKIHIKO , OKI KONOMU
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/3223 , H01L21/3225

6. 发明公开

EP2306518A1 Méthode de protection d'une puce de circuit intégré contre une analyse par attaques laser 有权
标题翻译：对于通过激光照射在分析之前保护的集成电路芯片的方法。
公开(公告)号：EP2306518A1
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：EP10186459.3
申请日：2010-10-04
申请人： STMicroelectronics (Rousset) SAS
发明人： Fornara, Pascal , Marinet, Fabrice
IPC分类号： H01L23/58 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L27/02
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/3223 , H01L23/573 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un procédé de protection contre des attaques laser d'une puce de circuit intégré (21) formée dans et sur un substrat semiconducteur (3) et comprenant dans la partie supérieure du substrat une partie active (5) dans laquelle sont formés des composants, ce procédé comportant les étapes suivantes : former dans le substrat une zone (23) de piégeage d'impuretés s'étendant sous la partie active (5), la limite supérieure de ladite zone étant à une profondeur comprise entre 5 et 50 µm de la face supérieure du substrat ; et introduire dans le substrat des impuretés métalliques diffusantes.
摘要翻译：基板的方法包括在形成杂质通过引入惰性气体中的半导体（3）捕获区域（23）延伸到下面活性部分（5），即氦，在半导体，其中在截留区的上限是在一个深度范围从5至50微米，从在所述半导体衬底的上表面上的衬底。杂质扩散金属与浓度10power17和每立方厘米之间10power18原子测距，被引入在半导体衬底，其中所述的杂质被保留在截留区。截留区被氧沉淀形成的。金属杂质包含铁原子。因此独立claimsoft被包括用于在集成电路芯片，包括有源部分。

7. 发明公开

EP1626440A1 SOI-Scheibe 有权
标题翻译： SOI-沙伊贝
公开(公告)号：EP1626440A1
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：EP05021844.5
申请日：2002-06-27
申请人： Siltronic AG
发明人： Murphy, Brian , Wahlich, Reinhold , Schmolke, Rüdiger, Dr. , Ammon von, Wilfried, Dr. , Moreland, James, Dr.
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/76251
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine SOI-Scheibe, bestehend aus einer Trägerscheibe und einer dünnen Siliciumschicht, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Siliciumschicht eine Dicke von 50 nm oder weniger, eine Dickenvariation von 5 % oder weniger und eine HF-Defekt-Dichte von weniger als 0,1/cm 2 aufweist.
摘要翻译：半导体膜或层通过以下方式制造：在半导体材料表面上产生具有规定几何形状的重复凹部（2）的结构; 热处理直到具有周期性重复的中空室（3）的层形成在材料表面上的封闭层（4）下方; 以及沿着所述中空室的层与所述材料的其余部分分离所述表面上的所述封闭层。优选特征：半导体材料由硅，硅锗，砷化镓，碳化硅或磷化铟制成，优选用异物掺杂。半导体材料是单晶的。

8. 发明公开

EP2973685A1 MEMS DEVICE HAVING A GETTER 有权
标题翻译：吸气剂MEMS DEVICE
公开(公告)号：EP2973685A1
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：EP14774321.5
申请日：2014-03-13
申请人： Robert Bosch GmbH
发明人： SAMARAO, Ashwin , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , YAMA, Gary , GRAHAM, Andrew , KIM, Bongsang , PURKL, Fabian
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/322 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00285 , B81C2201/0115 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L21/3223 , H01L21/3225 , H01L23/28
摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.

9. 发明授权

EP2048697B1 METHOD FOR REUSING DELAMINATED WAFER 有权转让
标题翻译：程序RE-删除的WAFER
公开(公告)号：EP2048697B1
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：EP07744943.7
申请日：2007-06-08
申请人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
发明人： TAMURA, Akihiko , OKI, Konomu
IPC分类号： H01L21/322 , H01L27/12 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/3223 , H01L21/3225

10. 发明公开

EP2793267A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 有权
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：EP2793267A1
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：EP13764095.9
申请日：2013-03-15
申请人： Fuji Electric Co., Ltd.
发明人： MIZUSHIMA, Tomonori
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/2636 , H01L21/304 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/36 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/8611
摘要： First and second n-type field stop layers (10a, 10b) are provided in an n - drift region (1) so as to come into contact with a p + collector layer. The first n-type field stop layer (10a) has an impurity concentration distribution in which impurity concentration is reduced toward an n + emitter region (3) at a steep gradient. The second n-type field stop layer (10b) has an impurity concentration distribution in which impurity concentration is reduced toward the n + emitter region (3) at a gentle gradient than that in the first n-type field stop layer (10a) and the impurity concentration of a peak position is less than that in the impurity concentration distribution of the first n-type field stop layer (10a). The impurity concentration distributions of the first and second n-type field stop layers (10a, 10b) have the same peak position. The first and second n-type field stop layers (10a, 10b) are formed using annealing and first and second proton irradiation processes which have the same projected range and different acceleration energy levels.
摘要翻译：第一和第二n型场截止层（10a，10b）设置在n-漂移区（1）中以便与p +集电极层接触。第一n型场截止层（10a）具有杂质浓度分布，其中杂质浓度以陡峭的梯度朝着n +发射极区（3）减小。第二n型场截止层（10b）具有杂质浓度分布，其中杂质浓度以平缓梯度朝着n +发射极区（3）减小，比第一n型场终止层（10a）和第峰值位置的杂质浓度小于第一n型场终止层（10a）的杂质浓度分布中的杂质浓度。第一和第二n型场终止层（10a，10b）的杂质浓度分布具有相同的峰值位置。第一和第二n型场阻止层（10a，10b）使用具有相同投影范围和不同加速能级的退火和第一和第二质子照射过程形成。

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