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1. 发明授权

EP2500947B1 A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
公开(公告)号：EP2500947B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：EP09851281.7
申请日：2009-11-13
申请人： Fujitsu Limited
发明人： KONDO, Daiyu , SATO, Shintaro
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/778 , H01L23/532 , H01L21/336 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/66045 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/02282 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/043 , H01L23/53276 , H01L29/1606 , H01L29/66015 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , Y10S977/734 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device including a graphene layer and a method of manufacturing the same are disclosed. A method in which graphene is grown on a catalyst metal by a chemical vapor deposition or the like is known. However, the graphene cannot be used as a channel, since the graphene is in contact with the catalyst metal, which is conductive. There is disclosed a method in which a catalyst film (2) is formed over a substrate (1), a graphene layer (3) is grown originating from the catalyst film (2), an electrode (4) in contact with the graphene layer (3) is formed, and the catalyst film (2) is removed.

2. 发明公开

EP3358049A1 FOUNDATION SUBSTRATE FOR PRODUCING DIAMOND FILM AND METHOD FOR PRODUCING DIAMOND SUBSTRATE USING SAME 审中-公开
公开(公告)号：EP3358049A1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：EP18155185.4
申请日：2018-02-05
申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. , National Institute of Advanced Industrial Science and Technology , National University Corporation Kanazawa University
发明人： Noguchi, Hitoshi , Makino, Toshiharu , Ogura, Masahiko , Kato, Hiromitsu , Kawashima, Hiroyuki , Yamasaki, Satoshi , Tokuda, Norio
IPC分类号： C30B25/10 , C23C16/27 , C30B25/18 , C30B29/04 , H01L21/00
CPC分类号： C30B25/20 , C23C16/0281 , C23C16/272 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04 , H01L21/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02491 , H01L21/02499 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02634
摘要： It is an object to provide a method for producing a diamond substrate effective for reducing various defects including dislocation defects and a foundation substrate used for the same. This object is achieved by a foundation substrate for forming a diamond film by a chemical vapor deposition method, wherein an off angle is provided to the surface of the foundation substrate with respect to a predetermined crystal plane orientation.

3. 发明公开

EP3356582A1 EPITAXIAL GROWTH OF DEFECT-FREE, WAFER-SCALE SINGLE-LAYER GRAPHENE ON THIN FILMS OF COBALT 有权转让
公开(公告)号：EP3356582A1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：EP16784623.7
申请日：2016-09-28
申请人： SunEdison Semiconductor Limited , The Board of Trustees of the University of Illinois
发明人： BERRY, Vikas , BEHURA, Sanjay , NGUYEN, Phong , SEACRIST, Michael R.
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/02
CPC分类号： H01L21/02527 , C01B32/184 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/02 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/1606
摘要： A method for depositing a layer of graphene directly on the surface of a substrate, such as a semiconductor substrate is provided. Due to the strong adhesion of graphene and cobalt to a semiconductor substrate, the layer of graphene is epitaxially deposited.

4. 发明公开

EP3340282A1 SUBSTRAT POUR LE DEPOT D'UN FILM DE GRAPHENE 审中-公开
公开(公告)号：EP3340282A1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：EP17209131.6
申请日：2017-12-20
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： GOLANSKI, Luana , FOURNEL, Frank , FUGIER, Pascal , RODRIGUEZ, Guillaume
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/02516 , H01L21/02527
摘要： Substrat utile pour le dépôt d'un film de graphène, le substrat comportant un empilement comportant, en succession et se superposant les uns sur les autres, une base autoporteuse, une couche électriquement isolante et une couche de catalyse, avec la base autoporteuse comportant une zone monocristalline de base,
la couche de catalyse comportant une zone monocristalline de catalyse contenant en masse plus de 99,9% d'un métal de transition choisi parmi le fer, le cobalt, le nickel, le cuivre, le ruthénium, l'iridium, le platine, l'or, le palladium, le rhodium, et leurs alliages,
la couche électriquement isolante comportant une zone monocristalline électriquement isolante contenant en masse plus de 99,9% d'un oxyde présentant une constante diélectrique supérieure à 4,0, et
la zone monocristalline électriquement isolante étant épitaxiée avec la zone monocristalline de catalyse et avec la zone monocristalline de base.

5. 发明公开

EP3258510A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONTACT ELECTRIQUE SUR UNE STRUCTURE 有权
标题翻译：在结构上产生电接触的方法
公开(公告)号：EP3258510A1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：EP17175157.1
申请日：2017-06-09
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： RAMOS, Raphaël , DIJON, Jean
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L21/265 , H01J2893/0022 , H01L21/02527 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L51/002 , H01L51/0048
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact électrique sur une structure (10) faite d'un matériau anisotrope NA présentant une conductivité anisotrope, la structure (10) présentant une conductivité axiale selon un premier axe XX' de la structure (10), et une conductivité orthogonale selon une direction orthogonale YY' au premier axe XX' de la structure (10), la conductivité orthogonale étant inférieure à la conductivité axiale, le procédé comprenant :
- une étape de formation d'une électrode conductrice (20), d'une épaisseur initiale Ei, comprenant une espèce M, sur une première surface (30) de la structure (10), la première surface (30) étant orthogonale à la direction orthogonale YY' ;
le procédé étant caractérisé en ce que l'étape de formation de l'électrode conductrice (20) est suivie d'une étape d'implantation d'espèces X, au travers de l'électrode conductrice (20), dans la structure (10).
摘要翻译：本发明涉及一种制造具有各向异性导电性上的结构由NA各向异性材料的电接触（10）的方法，具有沿所述结构的第一轴线XX”的轴向导电性的结构（10）（ 10），以及在正交的方向Y-Y“于第一轴线XX”的结构（10），正交导率小于所述轴向导电性的正交性，该方法包括： - 导电电极形成工序（ 20），初始厚度E，包括在所述结构（10）的第一表面（30），一个物种男，中，第一表面（30）垂直于所述正交方向YY“; 该方法的特征在于，所述导电电极形成工序（20）之后通过注入物种X，通过该结构中的导电电极（20）的步骤（10 ）。

6. 发明公开

EP3254750A1 METHOD FOR MAKING POROUS GRAPHENE MEMBRANES AND MEMBRANES PRODUCED USING THE METHOD 审中-公开
标题翻译：制备多孔石墨烯膜的方法和使用该方法生产的膜
公开(公告)号：EP3254750A1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：EP16174017.0
申请日：2016-06-10
申请人： ETH Zurich , HeiQ Materials AG
发明人： PARK, Hyung Gyu , HEIGHT, Murray
IPC分类号： B01D67/00 , B01D69/10 , B01D71/02 , H01L29/16
CPC分类号： B01D71/021 , A41D2400/22 , B01D67/0062 , B01D67/0072 , B01D69/10 , B01D2325/04 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C01P2006/16 , H01L21/02425 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L29/1606
摘要： Method for making a porous graphene layer (5) of a thickness of less than 100 nm with pores (6) having an average size in the range of 5-900 nm, is presented, comprising the following steps:
providing a catalytically active substrate (1) catalyzing graphene formation under chemical vapor deposition conditions, said catalytically active substrate (1) in or on its surface (3) being provided with a plurality of catalytically inactive domains (2) having a size essentially corresponding to the size of the pores (6) in the resultant porous graphene layer (5);
chemical vapor deposition using a carbon source in the gas phase and formation of the porous graphene layer (5) on the surface (3) of the catalytically active substrate (1), the pores (6) in the graphene layer (5) in situ being formed due to the presence of the catalytically inactive domains (2).
摘要翻译：提供了制备厚度小于100nm且具有平均尺寸为5-900nm的孔（6）的多孔石墨烯层（5）的方法，其包括以下步骤：提供催化活性基底（ 1）在化学气相沉积条件下催化石墨烯的形成，所述催化活性基质（1）在其表面（3）中或其表面上具有多个催化非活性区域（2），所述催化非活性区域的大小基本上对应于所述孔隙的大小 6）在所得多孔石墨烯层（5）中; 在气相中使用碳源进行化学气相沉积并且在催化活性基底（1）的表面（3）上形成多孔石墨烯层（5），石墨烯层（5）中的孔（6）在原位由于存在无催化活性的结构域（2）而形成。

7. 发明公开

EP3234984A1 COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES COMPRISING POLYCRYSTALLINE CVD DIAMOND 有权
标题翻译：包含多晶CVD金刚石的化合物半导体器件结构
公开(公告)号：EP3234984A1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：EP15805526.9
申请日：2015-12-09
申请人： RFHIC Corporation
发明人： NASSER-FAILI, Firooz , FRANCIS, Daniel , LOWE, Frank Yantis , TWITCHEN, Daniel James
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/02115 , H01L21/02263 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02444 , H01L21/02513 , H01L21/02527 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L29/1602 , H01L29/2003 , H01L29/267
摘要： A semiconductor device structure comprising: a layer of compound semiconductor material; and a layer of polycrystalline CVD diamond material, wherein the layer of polycrystalline CVD diamond material is bonded to the layer of compound semiconductor material via a layer of nano-crystalline diamond which is directly bonded to the layer of compound semiconductor material, the layer of nano-crystalline diamond having a thickness in a range 5 to 50 nm and configured such that an effective thermal boundary resistance (TBReff) as measured by transient thermoreflectance at an interface between the layer of compound semiconductor material and the layer of polycrystalline CVD diamond material is no more than 50 m
2 K/GW.
摘要翻译：一种半导体器件结构，包括：一层化合物半导体材料; 和多晶CVD金刚石材料层，其中所述多晶CVD金刚石材料层通过直接结合到所述化合物半导体材料层的纳米晶体金刚石层结合到所述化合物半导体材料层，所述纳米层 - 晶体金刚石，其厚度在5至50nm的范围内并且被配置成使得通过在化合物半导体材料层与多晶CVD金刚石材料层之间的界面处的瞬态热反射测量的有效热边界电阻（TBReff）不是超过50平方米/千瓦。

8. 发明公开

EP3211660A1 METHODS AND APPARATUS FOR THIN FILM MANIPULATION 审中-公开
标题翻译：用于薄膜操纵的方法和设备
公开(公告)号：EP3211660A1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：EP16156988.4
申请日：2016-02-23
申请人： Nokia Technologies Oy
发明人： Radivojevic, Zoran , Liu, Yinglin , Bower, Chris , Bottomley, Joseph , Rushton, Ashley
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02527 , H01L21/02664
摘要： A thin film manipulation method comprising: wetting a textured surface of a thin film manipulator with a liquid, the textured surface comprising peaks separated by valleys, the liquid forming capillary bridges between the peaks of the textured surface; picking up a thin film by contacting the thin film with the wetted textured surface to adhere the thin film to the wetted textured surface by capillary action of the capillary bridges with the thin film; and releasing the adhered thin film from the thin film manipulator. Also disclosed is a thin film manipulator.
摘要翻译：一种薄膜操作方法，包括：用液体润湿薄膜操作器的纹理化表面，纹理化表面包括由谷部分开的峰，液体形成毛细管桥接在纹理化表面的峰之间; 通过使所述薄膜与所述润湿的纹理化表面接触以通过所述毛细管桥与所述薄膜的毛细作用将所述薄膜粘附到所述润湿的纹理化表面来拾取薄膜; 并从薄膜机械手上释放粘附的薄膜。还公开了一种薄膜机械手。

9. 发明公开

EP2602830A4 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR GROWING GRAPHENE 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体组件和方法进行繁殖GRAPH
公开(公告)号：EP2602830A4
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：EP10855623
申请日：2010-08-05
申请人： FUJITSU LTD
发明人： HAYASHI KENJIRO , SATO SHINTARO
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/66431 , B82Y10/00 , H01L21/02527 , H01L29/0649 , H01L29/1606 , H01L29/41725 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78687 , H01L51/0045 , H01L51/0558

10. 发明授权

EP2226413B1 METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND MONOCRYSTAL HAVING A THIN FILM, AND DIAMOND MONOCRYSTAL HAVING A THIN FILM. 有权
标题翻译：用于生产单单只钻石晶体薄膜金刚石单晶与薄膜
公开(公告)号：EP2226413B1
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：EP07860225.7
申请日：2007-12-26
申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
发明人： UEDA, Akihiko , MEGURO, Kiichi , YAMAMOTO, Yoshiyuki , NISHIBAYASHI, Yoshiki , IMAI, Takahiro
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/04 , C30B25/10 , H01L21/02
CPC分类号： C30B29/04 , C30B25/02 , C30B25/105 , H01L21/02376 , H01L21/02433 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , Y10T428/24355 , Y10T428/30

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