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1. 发明公开

EP0025050A1 DIELECTRICALLY ISOLATED HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICES 失效
标题翻译：电介质隔离的高压半导体器件。
公开(公告)号：EP0025050A1
公开(公告)日：1981-03-18
申请号：EP80900538.0
申请日：1980-03-03
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： BERTHOLD, Joseph Ernest , HARTMAN, Adrian Ralph , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L29 , H01L21 , H01L27
CPC分类号： H01L29/7392 , H01L21/314 , H01L21/76297 , H01L27/0817 , H01L29/8605 , Y10S148/025 , Y10S148/085 , Y10S148/122 , Y10S257/914
摘要： Structure permettant d'obtenir des dispositifs a haute tension espaces etroitement dans des circuits integres. Les dispositifs sont formes dans des baquets ("tubs") monocristallins (11) dans un substrat polycristallin. Pour empecher le potentiel du substrat de provoquer la rupture des dispositifs, on incorpore entre les baquets monocristallins et le substrat polycristallin une couche semi-isolante (13) qui possede des etats de piegeage capables de prendre la charge provenant de la region monocristalline. La protection assuree par la couche semi-isolante permet de faire les regions superficielles du dispositif plus pres du substrat polycristallin et les baquets moins profonds.

2. 发明授权

EP0053113B1 CONTROL CIRCUITRY USING TWO BRANCH CIRCUITS FOR HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE SWITCHES 失效
标题翻译：使用两个分支电路进行高压固态开关的控制电路
公开(公告)号：EP0053113B1
公开(公告)日：1986-09-03
申请号：EP81900321.1
申请日：1980-12-22
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： DAVIS, James Alvin , MACPHERSON, William Frederick , MUSSMAN, Harry Edward , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H03K17/60 , H03L5/00 , H03K3/01 , H03K3/26 , H03K3/42
CPC分类号： H03K17/785 , H03K17/567 , H03K17/74
摘要： To switch a first gated diode switch (GDSL1) to the "OFF" state requires a voltage applied to the gate which is more positive than that of the anode or cathode and a sourcing of current into the gate of substantially the same order of magnitude as flows between the anode and cathode of the first switch. Control circuitry, which uses a second gated diode switch (GDSC) coupled by the cathode to the gate of the first switch (GDSL1), is used to control the state of the first switch (GDSL1). The control circuitry also comprises a first branch circuit coupled to the anode of the GDSC and to a first potential source V1 and a second branch circuit coupled to the anode of GDSC and to a second potential source V2 which is of a lower potential than V1. The second branch circuit has a high voltage and high current capability switch in series between V2 and the anode of GDSC. The first branch circuit has a high voltage but modest current handling switch in series between V1 and the anode of GDSC. The second branch circuit is used to provide a surge of current if and when needed during the current break operation to turn GDSL1 to an OFF state and the first branch circuit is used to maintain the state of the load switch. The second branch circuit can be shared by many control circuits.

3. 发明授权

EP0025050B1 DIELECTRICALLY ISOLATED HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICES 失效
标题翻译：电介质隔离型高压半导体器件
公开(公告)号：EP0025050B1
公开(公告)日：1985-08-28
申请号：EP80900538.2
申请日：1980-03-03
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： BERTHOLD, Joseph Ernest , HARTMAN, Adrian Ralph , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L29/7392 , H01L21/314 , H01L21/76297 , H01L27/0817 , H01L29/8605 , Y10S148/025 , Y10S148/085 , Y10S148/122 , Y10S257/914
摘要： Structure for achieving closely spaced high voltage devices in integrated circuits. The devices are formed in monocrystalline tubs (11) in a polycrystalline substrate (10). To prevent the potential of the substrate from causing breakdown of the devices, there is included between the single crystalline tubs and the polycrystalline substrate a semi-insulating layer (13) which has trapping states capable of taking on charge From the monocrystalline region. The shielding provided by the semi-insulating layer permits the surface regions of the device to be made closer to the polycrystalline substrate and the tubs to be made more shallow.

4. 发明公开

EP0075589A1 GATED DIODE SWITCH 失效
标题翻译：门控开关二极管。
公开(公告)号：EP0075589A1
公开(公告)日：1983-04-06
申请号：EP82901270.0
申请日：1982-03-25
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： HARTMAN, Adrian Ralph , RILEY, Terence James , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L29 , H01L21 , H03K17
CPC分类号： H03K17/941 , H01L29/7392 , H03K17/567
摘要： Commutateur de haute tension a l'etat solide permettant un blocage bidirectionnel. se composant d'un premier corps de semi-conducteur du type p (16) separe d'un organe de support (substrat semi-conducteur) par une couche dielectrique (14) pourvue d'une region d'anode du type p (18) situee a une extremite du corps semi-conducteur, une region de cathode du type n + (24) situee a l'autre extremite, et une region de porte du type n + (20) situee entre les regions d'anode et de cathode. Le commutateur peut commuter dans un etat 'ARRET' (blocage), portant ainsi la region de la porte a la tension de l'anode. La concentration du support de la partie en vrac du corps semi-conducteur varie entre 2 x 1012 a 2 x 1013 impuretes/cm3. Un chemin resistif (R1) peut relier les regions d'anode et de cathode. Des circuits uniques de commandes sont aussi decrits.

5. 发明公开

EP0053113A1 CONTROL CIRCUITRY USING TWO BRANCH CIRCUITS FOR HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE SWITCHES 失效
标题翻译：控制电路两个分支电路，用于高压开关SHALBLEITER。
公开(公告)号：EP0053113A1
公开(公告)日：1982-06-09
申请号：EP81900321.0
申请日：1980-12-22
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： DAVIS, James Alvin , MACPHERSON, William Frederick , MUSSMAN, Harry Edward , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L29 , H03K17
CPC分类号： H03K17/785 , H03K17/567 , H03K17/74
摘要： Pour commuter un premier commutateur a diode portillonnee (GDSL1) sur l'etat "OFF" il est necessaire d'appliquer une tension sur la porte qui soit plus positive que celle de l'anode ou de la cathode et une source de courant dans la porte sensiblement du meme ordre de grandeur que celui qui passe entre l'anode et la cathode du premier commutateur. Un circuit de commande, qui utilise un second commutateur a diode portillonnee (GDSC) couple par la cathode a la porte du premier commutateur (GDSL1), est utilise pour commander l'etat du premier commutateur (GDSL1). Le circuit de commande comprend aussi un premier circuit de derivation couple a l'anode du GDSC et a une premiere source de potentiel V1 et un second circuit de derivation couple a l'anode de GDSC et a une seconde source de potentiel V2 qui est d'un potentiel inferieur a V1. Le second circuit de derivation possede une haute tension et un commutateur ayant une capacite d'intensite de courant elevee en serie entre V2 et l'anode de GDSC. Le premier circuit de derivation possede une tension elevee mais un commutateur de courant modeste en serie entre V1 et l'anode de GDSC. Le second circuit de derivation est utilise pour produire un a-coup de courant si necessaire et, lorsque cela est necessaire, pendant l'operation de disjonction du courant pour placer GDSL1 sur l'etat "OFF" et le premier circuit de derivation est utilise pour maintenir l'etat du commutateur de charge. Le second circuit de derivation peut etre partage par de nombreux circuits de commande.

6. 发明授权

EP0075589B1 GATED DIODE SWITCH 失效
标题翻译：栅极二极管开关
公开(公告)号：EP0075589B1
公开(公告)日：1987-01-14
申请号：EP82901270.7
申请日：1982-03-25
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： HARTMAN, Adrian Ralph , RILEY, Terence James , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L29/74 , H01L27/14 , H01L29/747 , H01L27/12 , H01L27/02 , H01L29/06 , H03K3/35 , H03K17/72
CPC分类号： H03K17/941 , H01L29/7392 , H03K17/567

7. 发明授权

EP0045310B1 CONTROL CIRCUITRY USING A PULL-DOWN TRANSISTOR FOR HIGH VOLTAGE SOLID-STATE SWITCHES 失效
标题翻译：使用用于高电压固态开关的上拉晶体管的控制电路
公开(公告)号：EP0045310B1
公开(公告)日：1986-08-20
申请号：EP81900372.4
申请日：1980-12-22
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： DAVIS, James Alvin , MACPHERSON, William Frederick , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H03K17/60 , H03K3/35 , H03K3/353 , H01L29/80 , H01L29/74 , H01L29/12
CPC分类号： H03K17/567 , H01L27/0817
摘要： To switch a first gated diode switch (e.g. GDSC1) to the "OFF" state requires a voltage applied to the gate which is more positive than that of the anode or cathode and the sourcing of current into the gate which is of the same order of magnitude as flows between the anode and cathode. Control circuitry, which uses a second (e.g. GDSC) coupled by the cathode to the gate of the first GDS, is used to control the state of the first GDS. The state of the second GDS is controlled by a branch circuit (e.g. 510A) having a relatively modest current handling capability. An n-p-n junction transistor (e.g. T1) has the emitter and collector coupled to the cathode and gate, respectively, of the first GDS and has the base coupled through a p-n-p transistor (e.g. T2) to the input terminal of the control circuitry. The n-p-n transistor facilitates a quick turn-on of the first GDS by rapidly bringing the potentials of the gate and cathode of the first GDS to levels which are close together.

8. 发明公开

EP0045310A1 CONTROL CIRCUITRY USING A PULL-DOWN TRANSISTOR FOR HIGH VOLTAGE SOLID-STATE SWITCHES 失效
标题翻译：与减速晶体管高电压半导体开关控制电路。
公开(公告)号：EP0045310A1
公开(公告)日：1982-02-10
申请号：EP81900372.0
申请日：1980-12-22
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： DAVIS, James Alvin , MACPHERSON, William Frederick , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L29 , H01L27 , H03K17
CPC分类号： H03K17/567 , H01L27/0817
摘要： Pour commuter un premier commutateur a diode portillonnee (p.ex. GDS61) sur l'etat "OFF" (coupure) il est necessaire d'appliquer une tension sur la porte qui soit plus positive que celle de l'anode ou de la cathode et la source de courant dans la porte qui est du meme ordre de grandeur que celui qui passe entre l'anode et la cathode. Un circuit de commande, qui utilise un second commutateur de commande (p.ex. GDSC) couple par la cathode a la porte du premier GDS, est utilise pour commander l'etat du premier GDS. L'etat du second GDS est commande par un circuit de derivation (p.ex. 510A) ayant une capacite de courant relativement modeste. Un transistor a jonction npn (p.ex. T1) possede l'emetteur et le collecteur couples a la cathode et a la porte, respectivement du premier GDS, et possede la base couplee par l'intermediaire d'un transistor pnp (p.ex. T2) a la borne d'entree du circuit de commande. Le transistor npn facilite une mise sous tension rapide du premier GDS en amenant rapidement les potentiels de la porte et de la cathode du premier GDS a des niveaux proches l'un de l'autre.

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