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31. 发明公开

EP2579470A2 Semiconductor integrated circuit and drive apparatus including the same 有权
标题翻译： Halbleiterintegrierte Schaltung und Antriebsvorrichtung damit
公开(公告)号：EP2579470A2
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：EP12179501.7
申请日：2012-08-07
申请人： Renesas Electronics Corporation
发明人： Kaeriyama, Shunichi
IPC分类号： H04B5/00
CPC分类号： G06F11/08 , G01R31/265 , G01R31/302 , G06K19/0723 , H01L23/5227 , H01L25/16 , H01L25/162 , H01L25/167 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H03F3/085 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F3/45475 , H03F3/45479 , H03F2203/45544 , H03F2203/45621 , H03K17/0828 , H03K17/567 , H03K17/689 , H03K17/691 , H03K17/78 , H03K2017/0806 , H04B5/0012 , H04B5/0075 , H04B5/0081 , H04L25/0266 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： Disclosed herein is a semiconductor integrated circuit capable of detecting an abnormality that can cause a malfunction in signal transmission via an isolation element and of issuing a stop signal to the target to be controlled. The semiconductor integrated circuit includes a transmission circuit generating and outputting a transmission signal reflecting transmission data supplied from outside, a reception circuit reproducing the transmission data based on a reception signal, an isolation element isolating the transmission circuit from the reception circuit and transmitting the transmission signal as the reception signal, an abnormality detection part detecting an abnormality that can cause a malfunction in signal transmission via the isolation element, and a control part outputting a stop signal if the abnormality detection part detects the abnormality, regardless of the transmission data supplied to the transmission circuit from outside.
摘要翻译：这里公开了一种半导体集成电路，其能够检测能够经由隔离元件发生信号传输的异常并向待控制的目标发出停止信号的异常。半导体集成电路包括发送电路，其生成并输出反映从外部提供的发送数据的发送信号，接收电路基于接收信号再现发送数据;隔离元件，使发送电路与接收电路隔离，并发送发送信号作为接收信号的异常检测部，检测能够经由隔离元件发生信号传输的异常的异常，以及异常检测部检测到异常时输出停止信号的控制部，而不管提供给传输电路从外面。

32. 发明公开

EP2546988A1 Circuit de commande d'un circuit électrique de puissance en fonction d'impulsions de commande 有权转让
标题翻译： Steuerungsschaltkreis eines elektrischen Leistungsschaltises在Steuerimpulsfunktion
公开(公告)号：EP2546988A1
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：EP12175234.9
申请日：2012-07-06
申请人： Astrium SAS
发明人： Loréa, Marc
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/691
CPC分类号： H03K17/567 , H03K17/691
摘要： Circuit de commande (20) d'un circuit électrique de puissance, dit « circuit à commander » (Tp, 40), comportant un étage, dit « étage de connexion/déconnexion » (22), comportant un port d'entrée (22a), un port de sortie (22b), et des moyens de connecter son port de sortie (22b) à son port d'entrée (22a) lorsqu'une impulsion de commande est appliquée sur ledit port d'entrée, et de déconnecter son port de sortie (22b) de son port d'entrée (22a) lorsqu'aucune impulsion de commande n'est appliquée sur ledit port de sortie. En outre, le circuit de commande (20) comporte un étage, dit « étage de mémorisation » (23), comportant un premier transistor MOSFET (Tm1) et un second transistor MOSFET (Tm2), respectivement de type N et de type P, des électrodes de grille desdits premier et second transistors MOSFET étant reliées directement entre elles, et des électrodes de source desdits premier et second transistors MOSFET étant reliées directement entre elles, L'étage de mémorisation comporte en outre un port d'entrée (23a), couplé au port de sortie (22b) de l'étage de connexion/déconnexion (22), comportant deux bornes dont l'une est couplée aux électrodes de grille et l'autre est couplée aux électrodes de source des premier et second transistors MOSFET, et un port de sortie destiné à être couplé au circuit à commander,
摘要翻译：电路（20）具有存储级（23），其输入端口（23a）与连接/断开级（22）的输出端口（22b）耦合。双极晶体管锁存级，使得在连接/断开阶段断开期间，通过连接/断开阶段施加的信号被存储在输入端口上。只要存储由连接/断开阶段施加的信号，将存储器级的MOSFET的漏电极（Tm1，Tm2）接收的控制信号施加到存储器级的输出端口（23b）。电气设备还包括独立权利要求。

33. 发明公开

EP2128984A4 RECTIFIER 有权
标题翻译：整流器
公开(公告)号：EP2128984A4
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：EP07849867
申请日：2007-12-20
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TAKESHITA MIYUKI , IWATA AKIHIKO , SUGA IKURO , HARADA SHIGEKI , KAWABATA KENICHI , KUMAGAI TAKASHI , FUJIWARA KENJI
IPC分类号： H03K17/74 , H02M7/21 , H02M7/217 , H03K17/06 , H03K17/30 , H03K17/567 , H03K17/687
CPC分类号： H02M7/217 , H03K17/063 , H03K17/302 , H03K17/567 , H03K17/74 , H03K2017/307 , H03K2217/0081

34. 发明授权

EP1783910B1 Schaltungsanordnung und ein Verfahren zur galvanisch getrennten Ansteuerung eines Halbleiterschalters 有权
标题翻译：电路装置和方法，用于在半导体开关的电气隔离触发
公开(公告)号：EP1783910B1
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：EP05024239.5
申请日：2005-11-07
申请人： Bosch Rexroth AG
发明人： Dittrich, Thomas
IPC分类号： H03K17/691 , H03K17/567 , H03K17/687 , H02M1/08 , H03K17/06
CPC分类号： H02M1/08 , H03K17/063 , H03K17/161 , H03K17/567 , H03K17/691 , H03K2017/066

35. 发明公开

EP2503693A1 Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention 有权转让
标题翻译： Verbundstoffhalbleitervorrichtung mit aktivem Schwingungsschutz
公开(公告)号：EP2503693A1
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：EP12159776.9
申请日：2012-03-15
申请人： International Rectifier Corporation
发明人： Bramian, Tony , Zhang, Jason
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/16 , H03K17/10
CPC分类号： H01L27/085 , H01L21/8236 , H01L21/8258 , H01L25/18 , H01L27/0883 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H03K17/107 , H03K17/168 , H03K17/302 , H03K17/567 , H01L2924/00
摘要： There are disclosed herein various implementations of composite semiconductor devices with active oscillation control. In one exemplary implementation, a normally OFF composite semiconductor device (200) comprises a normally ON III-nitride power transistor (210) and a low voltage, LV, device (220) cascoded with the normally ON III-nitride power transistor to form the normally OFF composite semiconductor device. The LV device may be configured to include one or both of a reduced output resistance due to, for example, a modified body implant and a reduced transconductance due to, for example, a modified oxide thickness to cause a gain of the composite semiconductor device to be less than approximately 10,000.
摘要翻译：这里公开了具有主动振荡控制的复合半导体器件的各种实现方式。在一个示例性实施方案中，正常关闭复合半导体器件（200）包括正常的III族氮化物功率晶体管（210）和与正常的III族氮化物功率晶体管共模耦合的低电压LV器件（220），以形成常关复合半导体器件。 LV器件可以被配置为包括由于例如修改的体植入物引起的减小的输出电阻中的一个或两个，并且由于例如修改的氧化物厚度导致复合半导体器件的增益导致的降低的跨导小于约10,000。

36. 发明授权

EP1427107B1 Commutateur de type SCR commande en HF 有权
标题翻译：在SCR型的HF-受控开关
公开(公告)号：EP1427107B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：EP03300242.9
申请日：2003-12-02
申请人： STMicroelectronics S.A.
发明人： Pezzani, Robert
IPC分类号： H03K17/722 , H01L29/74
CPC分类号： H03K17/722 , H01L29/7408 , H03K17/567

37. 发明公开

EP2256799A2 Monolithic vertically integrated composite group III-V and group IV semiconductor device and method for fabricating same 审中-公开
标题翻译：复合材料选自III-IV和IV组的材料和工艺及其制备由一种单片垂直集成半导体部件
公开(公告)号：EP2256799A2
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：EP10004470.0
申请日：2010-04-28
申请人： International Rectifier Corporation
发明人： Briere, Michael, A.
IPC分类号： H01L21/8258 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/8221 , H01L21/8258 , H01L23/481 , H01L23/535 , H01L27/0605 , H01L27/0694 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H03K17/567 , H01L2924/00
摘要： According to one disclosed embodiment, a monolithic vertically integrated composite device comprises a double sided semiconductor substrate having first and second sides, a group IV semiconductor layer formed over the first side and comprising at least one group IV semiconductor device, and a group III-V semiconductor body formed over the second side and comprising at least one group III-V semiconductor device electrically coupled to the at least one group IV semiconductor device. The composite device may further comprise a substrate via and/or a through-wafer via providing electric coupling. In one embodiment, the group IV semiconductor layer may comprise an epitaxial silicon layer, and the at least one group IV semiconductor device may be a combined FET and Schottky diode (FETKY) fabricated on the epitaxial silicon layer. In one embodiment, the at least one group III-V semiconductor device may be a III-nitride high electron mobility transistor (HEMT).
摘要翻译：。根据一个盘游离缺失实施方式中，单片垂直集成复合装置包括具有第一和第二侧的双面半导体衬底，形成在所述第一侧和包含至少一种IV族半导体器件的IV族半导体层，以及III-V族半导体本体形成在第二侧以及至少一个包含III-V族半导体装置电耦合到所述至少一个组IV半导体器件。该复合设备可以经由提供电耦合通路和/或贯穿晶片包括另一基材。在一个，实施例中的IV族半导体层可包括外延硅层，并且所述至少一种IV族半导体器件可以是在外延硅层上制造的组合FET及肖特基二极管（FETKY）。在一个，该实施例的至少一个III-V族半导体器件可以是III族氮化物高电子迁移率晶体管（HEMT）。

38. 发明公开

EP2171757A2 NORMALLY-OFF INTEGRATED JFET POWER SWITCHES IN WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS AND METHODS OF MAKING 审中-公开
标题翻译：常闭JFET集成电路与BIG BAND距离和方法SEMICONDUCTORS
公开(公告)号：EP2171757A2
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：EP08781291.3
申请日：2008-07-02
申请人： Semisouth Laboratories, Inc.
发明人： SANKIN, Igor , MERRETT, Joseph, Neil
IPC分类号： H01L27/098 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L21/04 , H01L21/8232
CPC分类号： H01L29/808 , H01L27/098 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/8083 , H01L29/8122 , H01L29/8124 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872 , H03K17/08142 , H03K17/08148 , H03K17/567 , H03K17/6871 , H03K2017/6875
摘要： Wide bandgap semiconductor devices including normally-off VJFET integrated power switches are described. The power switches can be implemented monolithically or hybridly, and may be integrated with a control circuit built in a single-or multi-chip wide bandgap power semiconductor module. The devices can be used in high-power, temperature -tolerant and radiation-resistant electronics components. Methods of making the devices are also described.

39. 发明公开

EP2164155A1 ELECTRONIC ELEMENT DRIVING CIRCUIT 有权
标题翻译： ANSTEUERSCHALTUNGFÜRELEKTRONISCHE ELEMENTE
公开(公告)号：EP2164155A1
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：EP07768044.5
申请日：2007-07-03
申请人： Mitsubishi Electric Corporation
发明人： MIYAZAKI, Yuji
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H02M1/08 , H03K17/06 , H03K17/567 , H03K2017/066 , H03K2217/0045 , H03K2217/0081
摘要： A drive circuit (1) for an IGBT (10) includes an H-bridge circuit (80) using first to fourth switch elements (Q1 - Q4). When a control unit (20) receives a command for changing the IGBT (10) from an on state to an off state, it switches states of the first to fourth switch elements from a first state in which the first and fourth switch elements (Q1 and Q4) are in an on state and the second and third switch elements (Q2 and Q3) are in an off state to a second state in which the first and fourth switch elements (Q1 and Q4) are in the off state and the second and third switch elements (Q2 and Q3) are in the on state. This structure of the drive circuit (1) can apply a reverse bias to the IGBT (1) from a single power supply (15).
摘要翻译：用于IGBT（10）的驱动电路（1）包括使用第一至第四开关元件（Q1-Q4）的H桥电路（80）。当控制单元（20）接收到将IGBT（10）从接通状态改变为断开状态的命令时，将第一至第四开关元件的状态从第一和第四开关元件（Q1 和Q4）处于导通状态，并且第二和第三开关元件（Q2和Q3）处于断开状态到第一和第四开关元件（Q1和Q4）处于断开状态的第二状态，第二开关元件和第三开关元件（Q2和Q3）处于导通状态。驱动电路（1）的这种结构可以从单个电源（15）向IGBT（1）施加反向偏置。

40. 发明公开

EP2005435A4 LUS SEMICONDUCTOR AND APPLICATION CIRCUIT 审中-公开
标题翻译： LUS半导体和应用电路
公开(公告)号：EP2005435A4
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：EP06825223
申请日：2006-09-29
申请人： LU CHAO CHENG
发明人： LU CHAO-CHENG
IPC分类号： H02M3/335 , G11C8/00 , H01L29/78 , H03K5/08
CPC分类号： H03K17/567 , H02M3/33592 , H03K17/687 , Y02B70/1475

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