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31. 发明公开

EP0078336A1 Schattenwurfmaske für die Ionenimplantation und die Ionenstrahllithographie 失效
标题翻译：离子植入和离子电离层析仪。
公开(公告)号：EP0078336A1
公开(公告)日：1983-05-11
申请号：EP81109370.7
申请日：1981-10-30
申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH , International Business Machines Corporation
发明人： Bohlen, Harald , Greschner, Johann, Dr. , Nehmiz, Peter, Dr.
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： G03F1/20 , H01L21/266
摘要： Die Maske enthält eine dünne P+-dotierte Siliciumschicht (1) mit durchgehenden, dem Maskenmuster angepaßten Löchern (21), ein dies& Schicht (1) unterstützendes Gitter (2) aus Siliciumrippen, mindestens auf ihrer von dem Gitter (2) abgewandten Seite eine Schicht (5, 6), welche mindestens so dick ist, daß das Implantieren von lonen in die Siliciumschicht verhindert wird. Mindestens die der lonenstrahlung ausgesetzte Oberfläche der Maske ist elektrisch und thermisch leitfähig und mechanisch widerstandsfähig. Die Beschichtung des Siliciumgerüsts (1, 2) der Maske ist so ausgebildet, daß sie keine temperaturbedingte und/oder durch Eigenspannungen der Beschichtung bedingte Deformation der Maske verursacht. Bevorzugt dienen als absorbierende Materialien Gold, Silber, Platin, Wolfram und Tantal und als mechanisch widerstandsfähige Materialien Kohlenstoff, Molybdän, Titan, Wolfram und Tantal.
Beim Einsatz wird die Maske mit dem Gitter (2) auf das zu bestrahlende Substrat aufgesetzt und dann mit einem lonenstrahl ganzflächig beleuchtet oder Zeile für Zeile überstrichen, bis jeder Punkt der Maske sich im Strahlengang befunden hat.
摘要翻译： 1.包括具有适合于掩模图案的通孔的薄P +掺杂硅层（1）的阴影投影掩模和在没有空穴的区域中支撑该层（1）的栅格（2），并且由不同于硅层（1）至少具有背离栅格（2）的侧面（以下称为上侧）的离子吸收层，并且其中至少暴露于离子辐射的表面是导电和导热的; 其特征在于，在要暴露于离子束的地方，掩模的硅框架（1,2）的涂层由能够抵抗离子的机械攻击和离子吸收的材料组成，或者是暴露于离子辐射的层由抵抗离子的机械攻击的材料组成，并且与考虑到离子能量和吸收特性的离子吸收材料的面向硅框架的层相反的层具有没有离子渗透到硅中的厚度，并且包含栅格（2）（以下称为下侧）的掩模侧具有优选与沉积在上侧上的涂层相同的涂层 - 其补偿机械张力由上层的涂层造成。

32. 发明公开

EP0073312A2 Method of electron beam evaporating reactive metals onto semiconductors 失效
标题翻译：一种用于在通过电子束半导体活性金属的汽相沉积过程。
公开(公告)号：EP0073312A2
公开(公告)日：1983-03-09
申请号：EP82105478.0
申请日：1982-06-23
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Dalal, Hormazdyar Minocher , Lowney, John Joseph
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/443
CPC分类号： H01L21/0278 , C23C14/04 , H01L21/0272 , H01L21/28537 , Y10S438/974
摘要： A method for making low barrier Schottky devices by the electron beam evaporation of a reactive metal such as tantalum, titanium, hafnium, tungsten, molybdenum, and niobium which is selectively deposited at a semiconductor surface such as n-type silicon using a photoresist mask. The method includes a series of steps during the deposition of the barrier metal for degassing the semiconductor substrate (9), photoresist mask (25), reactive metal charge (17) and deposition chamber (2). The method may include steps for preliminarily degassing the substrate, mask and surrounding chamber (3) by infrared heating under vacuum, followed by steps for preliminarily degassing the charge and surrounding chamber (4), while the substrate and mask are shielded, by electron beam heating the charge while under vacuum. Thereafter, and prior to deposition, the substrate and mask can be finally degassed by irradiation with X-rays (31) produced by electron beam heating the charge to a temperature below evaporation for a predetermined time under vacuum. Upon further heating of the charge, the barrier metal is evaporated and deposited at the semiconductor substrate surface.

33. 发明公开

EP0072933A1 Method for photolithographic pattern generation in a photoresist layer 失效
标题翻译： Verfahren zur photolithographischen Mustererzeugung in einer Photolackschicht。
公开(公告)号：EP0072933A1
公开(公告)日：1983-03-02
申请号：EP82106777.4
申请日：1982-07-27
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Abrahamovich, Karen Marie , Hamel, Clifford Joseph , Payne, Edward Henry , Weed, Dean Robert
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/308 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/2022 , H01L21/0272 , H01L21/0274 , Y10S430/153
摘要： With the method, in which the photoresist is exposed to radiation more than once, a hole pattern corresponding to the pattern of openings (15, 16) of an exposure mask (14) as well as a hole pattern corresponding to the negative of the pattern of openings (28, 29, 30) of another exposure mask (25) are sequentially produced in a single photoresist layer (12). The method is used e.g. in forming holes (23, 24) defined by the positive image into an oxide layer (11) on a substrate (10), and in producing a metallization pattern (36a, 36b) defined by the negative image for interconnecting areas of the substrate (10).
摘要翻译：利用其中光致抗蚀剂暴露于辐射不止一次的方法，与曝光掩模（14）的开口（15,16）的图案相对应的孔图案以及对应于图案的负的孔图案的另一个曝光掩模（25）的开口（28,29,30）顺序地产生油墨单个光致抗蚀剂层（12）。该方法例如使用。在由正像形成的孔（23,24）形成在基板（10）上的氧化物层（11）中，并且在制造由负像形成的用于互连基板的区域的金属化图案（36a，36b） 10）。

34. 发明公开

EP0065133A2 Schottky barrier diode with a guard ring and method of making same 失效
标题翻译： Schottky-Sperrschichtdiode mit Schutzring und Verfahren zu ihrer Herstellung。
公开(公告)号：EP0065133A2
公开(公告)日：1982-11-24
申请号：EP82103562.3
申请日：1982-04-27
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Anantha, Narasipur Gundappa , Bhatia, Harsaran Singh , Gaur, Santosh Prasad , Mauer IV, John Lester
IPC分类号： H01L29/91
CPC分类号： H01L29/872
摘要： The Schottky barrier diode having a self-aligned guard ring comprises a dielectric layer (3) on a silicon substrate said layer (3) having a substantially vertically walled hole therein, a doped silicon lining (5) being of uniform width covering the silicon along the walls of said hole and contact metal (7) on said substrate exposed within the inner perimeter of that lining (5).
To produce such a diode a hole ist etched anisotropically into a dielectric layer (3) on a silicon substrate. Then a doped silicon layer (4) is deposited which is reactively ion etched, to expose said substrate through said hole. By heating the dopant in the remainder of said silicon layer (4) is diffused into the substrate. Onto the exposes substrate metal (7) is applied.
摘要翻译：具有自对准保护环的肖特基势垒二极管包括在硅衬底上的介电层（3），所述层（3）上具有基本上垂直的壁孔，掺杂硅衬层（5）具有均匀的宽度，覆盖硅所述孔的壁和所述基底上的接触金属（7）暴露在该衬里（5）的内周边内。为了制造这样的二极管，将各向异性地蚀刻到硅衬底上的电介质层（3）中的孔。然后沉积掺杂的硅层（4），其被反应离子蚀刻，以通过所述孔暴露所述衬底。通过加热所述硅层（4）的其余部分中的掺杂剂扩散到衬底中。在曝光的基底金属（7）上施加。

35. 发明公开

EP0064662A2 Method of forming a silicon and copper doped aluminum metallization and a Schottky diode 失效
标题翻译：一种用于生产硅和铜掺杂的铝的金属化方法，和肖特基二极管。
公开(公告)号：EP0064662A2
公开(公告)日：1982-11-17
申请号：EP82103563.1
申请日：1982-04-27
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Kim, Sang Uk
IPC分类号： H01L21/285 , H01L29/91
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/28537 , Y10S438/918 , Y10T428/12528 , Y10T428/12674
摘要： The method includes the steps of depositing the constituents of the metallization on a silicon body where the constituents are deposited in two or three layers consisting of different materials or material combinations but containing not more than two constituents and where the layer adjacent to the silicon body is not formed from aluminum as well as copper, and by sintering the whole unit to form the Schottky diode.
Four embodiments of the method are described.
The produced Schottky diodes are resistant to internal field emission characteristics created by co-incidental copper-aluminum precipitates and aluminum doped solid phase epitaxial grown silicon mounds.
摘要翻译：该方法包括沉积成分的金属化上的硅体，其中的组分被沉积在两层或三层由不同材料或材料组合的，但含有不超过两种组分，并且其中邻近所述硅体的层是如下步骤不形成从铝以及铜，和通过烧结整个组件，以形成肖特基二极管。 ... 的方法的四个实施例进行了描述。 ... 产生的肖特基二极管是通过共附带铜 - 铝沉淀物和掺杂铝的固相外延生长的硅丘创建内部场发射特性有抗性。

36. 发明公开

EP0061729A2 Process for producing integrated semiconductor device structures with a mesa configuration and structure of said type 失效
标题翻译：一种用于生产结构与这种类型的台面构造和结构集成半导体组件的过程。
公开(公告)号：EP0061729A2
公开(公告)日：1982-10-06
申请号：EP82102504.6
申请日：1982-03-25
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Goth, George Richard , Malaviya, Shashi Dhar
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/76 , H01L29/72 , H01L27/06 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76885 , C08G12/34 , C08G12/40 , H01L21/3086 , H01L21/76202 , H01L29/735 , H01L29/8605 , H01L29/872
摘要： The process starts with a flat semiconductor substrate (9, 13) on a portion of which at least a first layer (17) of material is provided. A stud (27) is formed at the edge of layer (17) e.g. by blanket depositing a second layer (27) and etching it anisotropically. Layer (17) is removed. The semiconductor substrate (9, 13) is etched anisotropically using stud (27) as etch mask. The protrusion (30) form is electrically contacted to its opposing vertical sidewall after- if necessary - diffusing impurities through these sidewalls to a predetermined depth.
The structure of the type as produced by that process has a mesa configuration with protrusions (30) integral with, and extending outward from a semiconductor pedestal and being surrounded with an oxide isolation (39) recessed in that pedestal. The protrusions (30) include for example PNP and NPN-lateral transistors.
摘要翻译：该过程开始于上，其至少一部分的部分材料的第一层（17）的平坦的半导体衬底（9，13）设置。的柱螺栓（27）在层（17）的边缘形成E.G. 通过覆盖沉积的第二层（27）和各向异性蚀刻它。层（17）被除去。半导体基板（9,13）是用柱螺栓（27）作为蚀刻掩模的突起各向异性蚀刻（30）形式的电接触，以它的后置垂直侧壁 - 如果必要 - 扩散通过合成侧壁杂质至预定深度， ... 的类型，如通过做过程中产生的结构具有突出（30）成一体，并从半导体基座向外延伸并且与隔离（39）在该凹座的氧化物包围的台面结构。凸出（30）对于实施例包括PNP和NPN横向晶体管。

37. 发明公开

EP0058337A2 Process for predicting oxygen precipitation in semiconductor wafers 失效
标题翻译：一种用于预测氧Prezipitation到半导体衬底的方法。
公开(公告)号：EP0058337A2
公开(公告)日：1982-08-25
申请号：EP82100720.0
申请日：1982-02-02
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Elliot, Brian John , Hearn, Eric White , Markovits, Gary
IPC分类号： H01L29/167 , G01N27/04 , H01L21/322
CPC分类号： H01L29/167 , G01N27/041 , H01L21/3225 , Y10S117/916
摘要： A method or technique is disclosed for predicting where oxygen precipitation will occur in semiconductor wafers that are being processed in connection with integrated circuit manufacture; the technique is based upon the discovery that such precipitation will occur at resistivity peaks measured prior to any thermal treatment of the wafers. In other words, the technique permits characterizing the wafers by the diametral resistivity profile that is obtained in the initial resistivity measurements, whereby a change in oxygen precipitation can be predicted where compensated intrinsic regions have been measured in the initial measurements.

38. 发明公开

EP0053279A1 Method of preparing a printed circuit 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung。
公开(公告)号：EP0053279A1
公开(公告)日：1982-06-09
申请号：EP81108984.6
申请日：1981-10-27
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Canestaro, Michael James , Fey, Edmond Otto
IPC分类号： C23C22/63 , C23F1/00 , H05K3/06
CPC分类号： C23C22/63 , H05K3/381 , H05K3/385 , H05K2203/0307 , H05K2203/0315 , H05K2203/0723 , H05K2203/1152
摘要： A copper foil having at least one nodular surface is contacted with an oxidizing composition for a length of time sufficient to oxidize said nodular surface of said copper foil further to roughen said nodular surface. The oxidizing composition e.g. consists of an aqueous alkaline solution of alkali metal chlorite, said solution containing said chlorite in a concentration of about 2 percent to about 10 percent, and alkali metal hydroxide in a concentration of about 0.3 percent to about 0.7 percent.
The copper foil resulting from the oxidizing treatment is useful as a sacrificial metal layer in producing metal plated substrates by creating an irregular surface on the dielectric substrate employed and it is applicable in the preparation of printed circuits.
摘要翻译：具有至少一个结节表面的铜箔与氧化组合物接触足以使所述铜箔的所述结节表面氧化以进一步粗糙化所述结节表面的时间。氧化组合物例如由碱金属亚氯酸钠的碱性水溶液组成，所述溶液含有约2％至约10％的浓度的亚氯酸盐，浓度为约0.3％至约0.7％的碱金属氢氧化物。 ...由氧化处理得到的铜箔在制造金属镀覆基板的牺牲金属层中是有用的，通过在所使用的电介质基板上产生不规则表面，并且可用于制备印刷电路。

39. 发明授权

EP0001100B1 Verfahren zum Herstellen von in Silicium eingelegten dielektrischen Isolationsbereichen mittels geladener und beschleunigter Teilchen 失效
标题翻译：通过充电和加速颗粒形成硅中残留介电隔离区的方法
公开(公告)号：EP0001100B1
公开(公告)日：1981-12-30
申请号：EP78100804.0
申请日：1978-09-01
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Bondur, James Allen , Pogge, Hans Bernhard
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/308 , H01L21/32 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/32 , H01L21/76208 , Y10S148/051 , Y10S148/085 , Y10S148/106 , Y10S148/117 , Y10S148/131

40. 发明公开

EP0040664A1 Verfahren zum Herstellen eines mit Füllstoffen und/oder Pigmenten versehenen Lackpräparats für Aufzeichnungsträger und aus diesem Präparat hergestellter Lack 失效
标题翻译：一种制造设置有填料和/或颜料涂料制备记录载体和从该制备清漆制成的方法。
公开(公告)号：EP0040664A1
公开(公告)日：1981-12-02
申请号：EP81100491.0
申请日：1981-01-23
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Bahr, Dietrich Jürgen, Dr. , Briska, Marian
IPC分类号： C09D3/14 , B41M5/24
CPC分类号： C09D101/14 , C08K3/26 , C08K5/10 , C08L1/14 , C08L31/04 , C08L2666/02 , C08L2666/28 , C08L2666/54
摘要： Verfahren zum Herstellen eines mechanisch stabilen, temperaturbeständigen Lackes für Aufzeichnungsträger auf Celluloseaceto-Monobutyrat-Basis, bei dem das Celluloseaceto-Monobutyrat mit einem Polyvinylester-Copolymerisat mit aus längeren aliphatischen Ketten bestehenden Seitenzweigen miteinander vermischt werden und nach Beigabe der Füllstoffe und/oder Pigmente zu Lack verarbeitet werden.
摘要翻译：一种制备用于对Celluloseaceto-单丁酸酯基的记录载体，其中，所述Celluloseaceto-单丁酸酯与具有由长脂族链侧分支的聚乙烯基酯共聚物混合在一起机械稳定的，耐热的油漆过程中，和在加入填料和/或颜料的后油漆进行处理。

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